Siダブルスリットを有する高信頼LiNbO_3光変調器
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概要
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海底中継光伝送システムへの適用を目標として、高信頼5Gb/sLN光変調器を開発した。LN光変調器の高信頼化において重要なのはDCバイアス印加及び温度変化によるバイアス電圧の変動(DCドリフト、温度シフト)の抑圧である。バイアス制御系の追従範囲を考慮して、これらの原因によるバイアス変動の所用条件を明確化した。次に、等価回路モデルを用いて、DCドリフト、温度シフト特性の解析を行った。その結果、マイナス方向のDCスリットを持たせることが有効であることがわかり、その実現手段として、Siダブルスリット構造を提案した。温度シフトに関しては、Si抵抗率の最適化により実現可能なことを見いだした。これらの高信頼化技術を適用して、使用環境において15年以上の信頼性を持つ5Gb/s光変調器を実現した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-08-28
著者
-
賣野 豊
NECネットワークス光デバイス事業部
-
北村 光弘
NEC 光エレクトロニクス研究所
-
神戸 俊之
NEC
-
植松 行雄
NEC
-
マダブシ ランガラジ
NEC
-
岩崎 正明
NEC山梨
-
小松 耕哉
NEC山梨
-
北村 光弘
NEC光・超高周波デバイス研究所
-
賣野 豊
Fiber Optic Devices Division, NEC Networks
-
賣野 豊
NECシステムプラットフォーム研究所
-
北村 光弘
Nec
-
北村 光弘
日本電気 光エレクトロニクス研
-
神戸 俊之
日本電気(株)necネットワークス光デバイス事業部
-
植松 行雄
日本電気(株)necネットワークス光デバイス事業部
-
岩崎 正明
Nec山梨デバイス総括部
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