Siダブルスリット構造を有するLiNbO_3光変調器
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概要
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LiNbO_3 (LN)光変調器は, 低チャープ, 低波長依存性から高速の外部変調器として有望である。これまで, マッシュルーム型(MR)電極構造の採用により, 18 GHz (1.5 dB optical)の広帯域特性を報告してきた。今回, MR電極構造の変調器に, 新規Siダブルスリット構造を導入し, 広帯域特性と共に, 良好なDCドリフト特性を実現したので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-03-06
著者
-
北村 光弘
NEC光エレクトロニクス研究所
-
マダブシ ランガラジ
NEC
-
北村 光弘
NEC光・超高周波デバイス研究所
-
北村 光弘
Nec
-
北村 光弘
日本電気 光エレクトロニクス研
-
神戸 俊之
NEC光エレクトロニクス研究所
-
マダプシ ランガラジ
NEC光エレクトロニクス研究所
-
植松 行雄
NEC光エレクトロニクス研究所
-
神戸 俊之
日本電気(株)necネットワークス光デバイス事業部
-
植松 行雄
日本電気(株)necネットワークス光デバイス事業部
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