選択MOVPE法による低駆動電流型半導体光アンプ

概要

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半導体光アンプ(LDアンプ)は、光ファイバアンプに比べ小型、低消費電力などの特長を有し、光通信、光交換用の重要なデバイスである。特にLDアンプの多チャンネルアレイは将来の並列光伝送系で強く望まれている。LDアンプには偏光無依存の増幅動作が要求されるが、これに応える構造の一つとしてサブミクロンと狭い幅のストライプ状活性層を有する構造が挙げられている。しかし従来、このように狭い幅の活性層を形成するのは困難で、ウエハ面内で均一に形成することが課題となっていた。また多チャンネルアレイでは消費電力が問題となるため、低注入電流での高利得化が課題となっていた。これらの課題のうちサブミクロン幅活性層の均一形成に関しては、我々は今までに選択MOVPE法を用いた製作方法によって実現しており、これに基づいて製作したLDアンプを報告してきた。今回さらに、低注入電流での高利得化のため活性層断面サイズの最適化を行った。断面サイズの最適化を基にLDアンプを製作しモジュール化した。その結果、ファイバー間利得15dB@40mAの低駆動電流型モジュールが偏光無依存型で実現された。
社団法人電子情報通信学会の論文
1995-09-05