オフ基板を用いた斜め端面LDアンプ

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概要

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LDアンプでは、素子端での光反射率を極力抑え残留光反射に起因する利得リップルを抑える必要がある。このため従来、端面AR被覆の他、素子端の窓領域および斜め端面構造が併用されている。今回斜め端面構造を劈開端面の法線が上下に傾くオフ基板を用いて製作した。従来斜め端面構造は、活性層を基板面内で<011>方向から傾けて形成されてきた。この場合多チャンネル化すると、光の各入出射端を結ぶ線は入出射方向に対し斜めになりモジュール化が難しい。LDアンプの多チャンネルモジュールは光交換などで強く望まれている。これに対し今回の構造では、各入出射端を結ぶ線は入出射方向と垂直になり多チャンネル化してもモジュール化が容易である。製作した本LDアンプの結果としては、素子端での光反射率約2×10^-5、チップ利得30dB、利得リップル0.5dBを実現したので報告する。
社団法人電子情報通信学会の論文
1996-03-11

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