半導体ナノ構造の形成技術とそのナノメートルスケール光物性
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概要
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最近の半導体微細構造作製技術はめざましく,2l世紀のナノエレクトロニクス・ナノフォトニクスの時代の幕開けに向けて,現在広く研究がなされている。本講演では、量子箱構造の作製技術およびそのナノメートルスケールの光学的評価について論じる。量子箱構造の作製技術としてはSKモードによる自己組織化的形成法と選択成長法について,また,量子箱のためのナノメートルスケールの光学的評価としてはμ-フォトルミネッセンス法および光STM法について論じる.さらに,量子箱構造における電子・LOフォノン相互作用と量子箱レーザダイナミックス,極限的発光デバイスにおける量子箱の役割について私見を述べたい。なお,本資料としては紙数の制限があるので最初の二つの話題に絞って記述する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-12-08
著者
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