フォトニック結晶ナノ共振器によるシリコンの発光増強
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概要
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間接遷移半導体であるシリコンは発光効率が低いため発光材料としてはほとんど検討されてこなかった。我々は, フォトニック結晶ナノ共振器を用いて結晶性シリコンの発光を大きく増強することに成功した。室温において, 得られた発光強度は構造を導入しない場合の300倍以上であった。この結果と光取り出し効率などの理論解析から内部量子効率が5倍程度向上している可能性を示した。これはナノ共振器により光が強く閉じ込められ, 物質との相互作用が増強されたためである。本結果は輻射場制御によるシリコンの発光効率向上の可能性を始めて示したものであり, シリコンベース光源などへの応用が期待できる。［本要旨はPDFには含まれない］
- 東京大学生産技術研究所の論文
著者
-
荒川 泰彦
東大ナノ量子機構:東大生産研
-
荒川 泰彦
東京大学先端科学技術研究センター
-
五明 明子
日本電気
-
荒川 泰彦
東京大学生産技術研究所
-
五明 明子
日本電気株式会社
-
岩本 敏
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
-
岩本 敏
東京大学先端科学技術研究センター
-
五明 明子
日本電気株式会社 ナノエレクトロニクス研究所
-
荒川 泰彦
東京大学先端科学技術研究センター/ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構/生産技術研究所・情報・エレクトロニクス系部門
-
岩本 敏
東京大学先端科学技術研究センター/ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構/生産技術研究所・情報・エレクトロニクス系部門
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