荒川 泰彦 | 東京大学先端科学技術研究センター
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概要
関連著者
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荒川 泰彦
東京大学先端科学技術研究センター
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Arakawa Yasuhiko
Research Center For Advanced Science And Technology And Institute Of Industrial Science University O
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荒川 泰彦
東大生研
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荒川 泰彦
東大生研ncrc:東大先端研
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Arakawa Yasuhiko
3rd Department Institute Of Industrial Science University Of Tokyo
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荒川 泰彦
Institute For Nano Quantum Information Electronics The University Of Tokyo
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荒川 泰彦
東京大学先端科学技術研究センター・生産技術研究所
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荒川 薫
明治大学理工学部
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荒川 薫
明治大学理工学部情報科学科
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渡部 宏明
東京大学先端科学技術研究センター
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渡部 弘明
東京大学先端科学技術研究センター
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荒川 泰彦
東大ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構:東大生産研
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荒川 泰彦
東京大学 ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
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荒川 泰彦
1995 1996年度エレクトロニクスソサイエティ和文論文誌編集委員会
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荒川 泰彦
東京大学ナノエレクトロニクス連携研究センター
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荒川 泰彦
東大
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Arakawa Yasuhiko
Inst. For Nano Quantum Information Electronics The Univ. Of Tokyo
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西岡 政雄
東京大学先端科学技術研究センター:東京大学生産技術研究所
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岡田 卓也
明治大学理工学部情報科学科:(現)(株)日立ソフトウェア
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有田 宗貴
東京大学先端科学技術研究センター
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西岡 政雄
東京大学生産技術研究所
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岡田 卓也
明治大 理工
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松浦 浩平
明治大学理工学部
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岡田 卓也
明治大学理工学部
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荒川 泰彦
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
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岩本 敏
東京大学先端科学技術研究センター
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北村 雅季
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
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北村 雅季
東京大学先端科学技術研究センター
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橘 浩一
東京大学先端科学技術研究センター・生産技術研究所
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岩本 敏
東京大学生産技術研究所
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荒川 泰彦
東大ナノ量子機構:東大生産研
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橋本 玲
東芝研究開発センター
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櫛部 光弘
東芝研究開発センター
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江崎 瑞仙
東芝研究開発センター
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西岡 政雄
東京大学先端科学技術研究センター
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五明 明子
日本電気
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江崎 瑞仙
(株)東芝研究開発センター
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荒川 泰彦
東京大学生産技術研究所
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岩本 敏
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
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斎藤 敏夫
東京大学国際・産学共同研究センター
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橋本 玲
(株)東芝 研究開発センター
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李 大一
東京大学先端科学技術研究センター
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櫛部 光弘
東芝研究開発センター:ナノエレクトロニクス連携研究センター
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染谷 隆夫
東京大学先端科学技術研究センター・生産技術研究所
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染谷 隆夫
東京大学生産技術研究所
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工藤 一秋
東京大学生産技術研究所 物質・環境系部門
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徳島 正敏
Nec 基礎・環境研究所
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年吉 洋
東京大学生産技術研究所マイクロメカトロニクス国際研究センター
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年吉 洋
東京大学 生産技術研究所
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年吉 洋
東京大学生産技術研究所
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肥後 昭男
東京大学先端研
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年吉 洋
東京大学先端研
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内藤 裕郎
明治大学理工学部
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五明 明子
日本電気株式会社
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徳島 正敏
NEC基礎研
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五明 明子
NEC基礎研
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山田 博仁
NEC基礎研
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石田 悟己
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
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工藤 一秋
東京大学生産技術研究所
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肥後 昭男
東京大学生産技術研究所
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石田 悟己
東京大学先端科学技術研究センター
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五明 明子
MIRAI-Selete
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荒川 泰彦
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構:東京大学生産技術研究所
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高山 俊雄
東京大学生産技術研究所
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小林 恭
日本軽金属(株)
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山田 博仁
東北大学大学院工学研究科
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塚本 史郎
東京大学生産技術研究所
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塚本 史郎
東大生研NCRC
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京角 慶二
明治大学理工学部
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清藤 智子
明治大学理工学部情報科学科
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荒川 泰彦
東京大学先端科学技術研究センター 東京大学量子ナノ情報エレクトロニクス研究機構
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五明 明子
Nec基礎・環境研究所
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五明 明子
日本電気株式会社 ナノエレクトロニクス研究所
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荒川 泰彦
東京大学先端科学技術研究センター/ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構/生産技術研究所・情報・エレクトロニクス系部門
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岩本 敏
東京大学先端科学技術研究センター/ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構/生産技術研究所・情報・エレクトロニクス系部門
著作論文
- 榊裕之先生,平成20年度文化功労者に
- 1.総論:先端ナノフォトニクスの展開 : 量子ドットを中心にして(進化する先端フォトニックデバイス)
- 応用物理における将来ビジョンマップ : アカデミックロードマップの取り組み
- MOCVD法により作製したGaAs基板上GaInNAs埋め込みInAs量子ドットレーザの1.3μm帯室温連続発振(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,及び一般)
- 学術講演「未来社会に向けた工学の新展開〜エレクトロニクスを中心にして〜」
- 量子ドットレーザの展望(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- 〔invited〕量子ドットレーザの展望(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- 窒化物半導体垂直微小共振器LEDの作製と青色面発光レーザへの展望(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 窒化物半導体垂直微小共振器LEDの作製と青色面発光レーザへの展望
- 「総論:ナノテクノロジーと次世代情報通信技術>
- A-4-8 拡張成分分離型ε-フィルタの最適設計とその画像処理への応用
- SC-1-2 フォトニック結晶の新しい展開 : 量子ドット・MEMS との融合
- MEMS集積化フォトニック結晶導波路の作製と評価(半導体レーザ関連技術, 及び一般)
- 高誘電率ゲート絶縁膜を用いた高移動度有機薄膜トランジスタ(有機トランジスタ,有機材料・デバイス(有機トランジスタ,化学センサなど),一般)
- 高誘電率ゲート絶縁膜を用いた高移動度有機薄膜トランジスタ
- Alq_3型側鎖を有する可溶性高分子錯体の合成と有機EL素子への応用
- フォトニック結晶ナノ共振器によるシリコンの発光増強
- 低次元量子構造作製技術とデバイス応用の現状と展望 : 量子ドットを中心にして
- A-4-3 成分分離型ε-フィルタの最適設計
- SA-1-2 一般化ε-分離型非線形フィルタバンクを用いたルールベース顔画像美観化システム
- A-4-3 ε-分離型非線形フィルタバンクとその顔画像処理への応用
- A-4-25 成分分離型ε-フィルタとその顔画像美観化への応用
- MOCVD法により作製したGaAs基板上GaInNAs埋め込みInAs量子ドットレーザの1.3μm帯室温連続発振(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,及び一般)
- 窒化物半導体垂直微小共振器LEDの作製と青色面発光レーザへの展望(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 窒化物半導体垂直微小共振器LEDの作製と青色面発光レーザへの展望(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 成分分離型ε-フィルタを用いた音声の雑音低減法(ディジタルデータ付き論文特集)
- A-4-4 ε-フィルタバンクによる音声の雑音低減 : 小振幅低周波雑音の除去
- ファジィ論理を用いた非線形画像処理
- A-4-36 成分分離型ε-フィルタによる音声の雑音低減 : スペクトルサブトラクション法との組み合わせ
- A-4-56 適応成分分離型ε-非線形ディジタルフィルタを用いた音声の雑音除去
- 多層非線形成分分離型フィルタによる顔画像美観化
- A-4-24 ε-フィルタを用いた非線形逆フィルタの最適設計
- A-4-50 カラー顔画像美観化を目的とした条件付きメディアンフィルタ
- A-4-42 ε-フィルタを用いた非線形等化器 : 非線形逆フィルタの構成
- マルチメディア画像処理
- ε-フィルタを用いたブロック符号化に伴う歪みの除去 : ハードウェア化に適した非線形ポストフィルタ
- 窒化物半導体量子ドットの形成とレーザーへの応用 (窒化物・青色光半導体)
- 次世代窒化物半導体レーザーの展望 : -青色面発光レーザーと青色量子ドットレーザー-
- GaN系量子ドット構造における分極電界と電子状態
- GaN系量子ドット構造における分極電界と電子状態
- GaN上へのInGaN量子ドットの自然形成
- GaN上へのInGaN量子ドットの自然形成
- 4-1 量子ドットレーザの展望 : 4. ナノオプトロニクス(ナノテクノロジーの光とエレクトロニクスへの応用)
- 2 ナノオプトエレクトロニクスの展望
- SC-9-8 量子効果光デバイスの現状と展望
- 2 ナノオプトエレクトロニクスの展望
- ナノオプトエレクトロニクスの展望
- ナノ構造光デバイスの展開
- 「光機能デバイスの新展開特集号」の発行によせて
- メジアン型ファジィフィルタの提案とその最適設計
- 半導体超構造と量子素子 (「超」の付く技術)
- 有機金属気相選択成長による量子細線の作製とその光物性