窒化物半導体量子ドットの形成とレーザーへの応用 (<小特集>窒化物・青色光半導体)
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概要
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窒化物半導体における量子ドット構造の形成とそのレーザ応用について述べる。GaN系量子ドットを活性層に用いたレーザは、短波長領域において低しきい値電流密度など優れた特性が期待される。最初に、自然形成によるInGaN量子ドットについて述べる。量子ドットの横方向の大きさは10〜20nm程度であり、室温において強い発光が観測された。さらにInGaN量子ドットを活性層に有するレーザ構造を作製し、光励起によって室温でレーザ発振を実現した。次に、量子ドットの均一性の向上を図るために選択成長によるInGaN量子ドットの作製にも取り組んだ。
- 2001-06-08
著者
-
荒川 泰彦
東京大学先端科学技術研究センター
-
荒川 泰彦
東大生研
-
Arakawa Yasuhiko
Research Center For Advanced Science And Technology And Institute Of Industrial Science University O
-
橘 浩一
東京大学先端科学技術研究センター・生産技術研究所
-
染谷 隆夫
東京大学先端科学技術研究センター・生産技術研究所
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