高誘電率ゲート絶縁膜を用いた高移動度有機薄膜トランジスタ(有機トランジスタ,有機材料・デバイス(有機トランジスタ,化学センサなど),一般)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
高誘電率ゲート絶縁膜を有する有機薄膜トランジスタについて報告する。ここで示す有機トランジスタは低電圧で動作し,高特性を示す。高誘電率絶縁膜は酸化チタンと酸化シリコンの混成膜Ti_<1-x>Si_xO_2で,スパッタリングにより成膜した。混成膜Ti_<1-x>Si_xO_2の比誘電率および膜表面の平坦性はSiO_2,組成xに依存し,平坦性の良い混成膜はx≥0.17で得られた。この混成膜Ti_<1-x>Si_xO_2をゲート絶縁膜として,pentacene薄膜トランジスタを作製した。そのトランジスタは少なくともドレイン電圧V_D≤-1Vで動作し,V_D≤-2Vでは電界効果移動度が1cm^2/Vs以上であった。主な特性は,閾値電圧-1.6V,サブスレッショルドスイング0.13V/decade,電流オンオフ比1×10^7と,良好な結果が得られた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-12-11
著者
-
荒川 泰彦
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
-
荒川 泰彦
東京大学先端科学技術研究センター
-
北村 雅季
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
-
北村 雅季
東京大学先端科学技術研究センター
-
李 大一
東京大学先端科学技術研究センター
関連論文
- 榊裕之先生,平成20年度文化功労者に
- 1.総論:先端ナノフォトニクスの展開 : 量子ドットを中心にして(進化する先端フォトニックデバイス)
- 応用物理における将来ビジョンマップ : アカデミックロードマップの取り組み
- MOCVD法により作製したGaAs基板上GaInNAs埋め込みInAs量子ドットレーザの1.3μm帯室温連続発振(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,及び一般)
- 学術講演「未来社会に向けた工学の新展開〜エレクトロニクスを中心にして〜」
- 量子ドットレーザの展望(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- 〔invited〕量子ドットレーザの展望(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- 窒化物半導体垂直微小共振器LEDの作製と青色面発光レーザへの展望(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 窒化物半導体垂直微小共振器LEDの作製と青色面発光レーザへの展望
- 「総論:ナノテクノロジーと次世代情報通信技術>
- A-4-8 拡張成分分離型ε-フィルタの最適設計とその画像処理への応用
- 高Q値3次元フォトニック結晶ナノ共振器におけるレーザ発振(量子効果デバイス(光信号処理、LD、光増幅、変調等)と集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- 高Q値3次元フォトニック結晶ナノ共振器におけるレーザ発振(量子効果デバイス(光信号処理、LD、光増幅、変調等)と集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- フォトニック結晶を利用した有機発光素子
- SC-1-2 フォトニック結晶の新しい展開 : 量子ドット・MEMS との融合
- 近接場光学顕微鏡による量子ナノ構造の極微小領域光物性の観測
- 25pXG-2 強磁性電極/半導体量子ドット/非磁性電極ナノ構造におけるスピンプロッケイド効果(量子ドット(スピン制御),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 24aTH-2 単一自己形成InAs量子ドットのスピン依存伝導特性(量子ドット(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 22aWB-2 強磁性電極/半導体量子ドットからなる単電子トランジスタのスピン伝導特性(微小領域磁性,領域3,磁性,磁気共鳴)
- 20aRC-9 強磁性電極を用いた単一InAs量子ドットの伝導特性(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 通信用フォトニック結晶デバイスと光集積回路(ナノ光技術・電子技術,次世代ナノテクノロジー論文)
- 23pXH-10 強磁性電極を用いた単一InAs量子ドットにおけるスピン伝導(23pXH 微小領域磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- MEMS集積化フォトニック結晶導波路の作製と評価(半導体レーザ関連技術, 及び一般)
- MEMS-フォトニック結晶機能素子の作製方法
- 集積化光伝導ダイポールアンテナによるテラヘルツ光の発生と検出
- 集積化光伝導ダイポールアンテナによるテラヘルツ光の発生と検出
- 高コンダクタンスC_薄膜トランジスタ(センサー,デバイス,一般)
- 有機トランジスタの低電圧動作・高性能化とCMOS応用
- 低電圧動作有機CMOS回路--フレキシブルディスプレイへの応用を目指して
- 有機薄膜トランジスタの低電圧動作と閾値電圧
- パリレン薄膜による超薄型有機ELデバイス
- 高誘電率ゲート絶縁膜を用いた高移動度有機薄膜トランジスタ(有機トランジスタ,有機材料・デバイス(有機トランジスタ,化学センサなど),一般)
- 高誘電率ゲート絶縁膜を用いた高移動度有機薄膜トランジスタ
- Alq_3型側鎖を有する可溶性高分子錯体の合成と有機EL素子への応用
- 24aPS-42 A面サファイア基板上GaNの四光波混合分光(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 走査型近接場光学顕微鏡による半導体量子ナノ構造の物性計測
- 単一量子ドットの近接場分光--量子ドット中の電子のゼーマン・スピン分裂を中心にして
- 26p-YC-6 磁場中の単一量子ドット分光
- Stranski-Krastanov成長モードによる量子ドットの自然形成
- フォトニック結晶ナノ共振器によるシリコンの発光増強
- 低次元量子構造作製技術とデバイス応用の現状と展望 : 量子ドットを中心にして
- A-4-3 成分分離型ε-フィルタの最適設計
- SA-1-2 一般化ε-分離型非線形フィルタバンクを用いたルールベース顔画像美観化システム
- A-4-3 ε-分離型非線形フィルタバンクとその顔画像処理への応用
- A-4-25 成分分離型ε-フィルタとその顔画像美観化への応用
- MOCVD法により作製したGaAs基板上GaInNAs埋め込みInAs量子ドットレーザの1.3μm帯室温連続発振(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,及び一般)
- 窒化物半導体垂直微小共振器LEDの作製と青色面発光レーザへの展望(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 窒化物半導体垂直微小共振器LEDの作製と青色面発光レーザへの展望(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 成分分離型ε-フィルタを用いた音声の雑音低減法(ディジタルデータ付き論文特集)
- A-4-4 ε-フィルタバンクによる音声の雑音低減 : 小振幅低周波雑音の除去
- ファジィ論理を用いた非線形画像処理
- A-4-36 成分分離型ε-フィルタによる音声の雑音低減 : スペクトルサブトラクション法との組み合わせ
- A-4-56 適応成分分離型ε-非線形ディジタルフィルタを用いた音声の雑音除去
- 多層非線形成分分離型フィルタによる顔画像美観化
- A-4-24 ε-フィルタを用いた非線形逆フィルタの最適設計
- A-4-50 カラー顔画像美観化を目的とした条件付きメディアンフィルタ
- A-4-42 ε-フィルタを用いた非線形等化器 : 非線形逆フィルタの構成
- マルチメディア画像処理
- ε-フィルタを用いたブロック符号化に伴う歪みの除去 : ハードウェア化に適した非線形ポストフィルタ
- 窒化物半導体量子ドットの形成とレーザーへの応用 (窒化物・青色光半導体)
- 次世代窒化物半導体レーザーの展望 : -青色面発光レーザーと青色量子ドットレーザー-
- GaN系量子ドット構造における分極電界と電子状態
- GaN系量子ドット構造における分極電界と電子状態
- 特集13 : 研究解説 : 有機金属気相選択成長による量子細線・量子ドットの作製とその光物性
- GaN上へのInGaN量子ドットの自然形成
- GaN上へのInGaN量子ドットの自然形成
- 4-1 量子ドットレーザの展望 : 4. ナノオプトロニクス(ナノテクノロジーの光とエレクトロニクスへの応用)
- 2 ナノオプトエレクトロニクスの展望
- SC-9-8 量子効果光デバイスの現状と展望
- 2 ナノオプトエレクトロニクスの展望
- ナノオプトエレクトロニクスの展望
- ナノ構造光デバイスの展開
- 「光機能デバイスの新展開特集号」の発行によせて
- メジアン型ファジィフィルタの提案とその最適設計
- 半導体超構造と量子素子 (「超」の付く技術)
- 有機金属気相選択成長による量子細線の作製とその光物性
- 量子ドットレーザの発展 : 提案から市場化までの30年