堀川 剛 | 産業技術総合研究所
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概要
関連著者
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堀川 剛
産業技術総合研究所
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関 三好
産業技術総合研究所
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佐野 作
独立行政法人産業技術総合研究所
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外山 宗博
産業技術総合研究所
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佐野 作
産業技術総合研究所
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北 智洋
東北大学大学院工学研究科電気・通信工学専攻
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山田 博仁
東北大学工学研究科
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藤方 潤一
フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構:技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
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藤方 潤一
フォトニクス・エレクトニクス融合システム基盤技術開発研究機構:技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
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越野 圭二
独立行政法人産業技術総合研究所
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杉山 曜宣
独立行政法人産業技術総合研究所
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北 智洋
東北大学工学研究科
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大塚 実
産業技術総合研究所
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田主 裕一朗
東北大学工学研究科
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奈良 匡樹
東北大学工学研究科
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平野 秀
東北大学工学研究科
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越野 圭二
産業技術総合研究所
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横山 信幸
産業技術総合研究所
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杉山 曜宣
産業技術総合研究所
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石塚 栄一
産業技術総合研究所
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秋山 傑
(株)富士通研究所
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前澤 正明
産業技術総合研究所
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荒川 泰彦
東京大学生産技術研究所
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清水 隆徳
日本電気株式会社システムプラットフォーム研究所
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高橋 博之
フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構
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秋山 傑
フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構
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荒川 泰彦
フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構
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中村 隆宏
フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構(pecst):技術研究組合光電子融合基盤技術研究所(petra)
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平山 直紀
フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構:産業技術総合研究所
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野口 将高
フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構:技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
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清水 隆徳
フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構(PECST)
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清水 隆徳
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所:フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構
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三浦 真
フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構(pecst):技術研究組合光電子融合基盤技術研究所(petra)
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中村 隆宏
フォトニクス・エレクトニクス融合システム基盤技術開発研究機構:技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
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徳島 正敏
産業技術総合研究所
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堀川 剛
フォトニクス・エレクトニクス融合システム基盤技術開発研究機構:独立行政法人産業技術総合研究所
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秋山 傑
富士通研究所
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清水 隆徳
フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構:光電子融合基盤技術研究所
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平山 直紀
産業技術総合研究所:フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構
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関 三好
産業技術総合研究所:フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構
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清水 隆徳
フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構
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中村 隆宏
Institute for Photonics-Electronics Convergence System Technology:Photonics Electronics Technology Research Association
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三浦 真
光電子融合基盤技術研究所
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藤方 潤一
光電子融合基盤技術研究所
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野口 将高
光電子融合基盤技術研究所
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岡本 大典
光電子融合基盤技術研究所
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岡野 誠
産業技術総合研究所
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鈴木 恵治郎
産業技術総合研究所
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前澤 正明
産総研ナノエレクトロニクス研究部門
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清水 隆徳
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所:フォトにクス・エケクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構
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山岸 雅司
産業技術総合研究所
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佐藤 哲朗
産業技術総合研究所
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日高 睦夫
産業技術総合研究所
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埜口 良二
産業技術総合研究所
著作論文
- C-3-36 シリコンフォトニクス集積に向けたCMOS技術(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- MSM型ゲルマニウム受光器の差動対光受信回路への応用(光パッシブコンポネント(フィルタ,コネクタ,MEMS),シリコンフォトニクス,一般)
- C-3-10 ArF液浸露光を用いた2次元フォトニック結晶スラブ導波路(シリコンフォトニクス(1),C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-9 高精度ArF液浸露光を用いたシリコンフォトニクスデバイス(シリコンフォトニクス(1),C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- 300mm基板上にArF液侵リソグラフィーを用いて作製したシリコンフォトニクスデバイス(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- 300mm基板上にArF液侵リソグラフィーを用いて作製したシリコンフォトニクスデバイス(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- 超伝導量子ビット集積化に向けた積層型微小接合作製プロセス(薄膜,デバイス技術及びその応用,一般)