佐野 作 | 独立行政法人産業技術総合研究所
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概要
関連著者
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佐野 作
独立行政法人産業技術総合研究所
-
外山 宗博
産業技術総合研究所
-
堀川 剛
産業技術総合研究所
-
関 三好
産業技術総合研究所
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越野 圭二
独立行政法人産業技術総合研究所
-
杉山 曜宣
独立行政法人産業技術総合研究所
-
佐野 作
産業技術総合研究所
-
北 智洋
東北大学大学院工学研究科電気・通信工学専攻
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山田 博仁
東北大学工学研究科
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北 智洋
東北大学工学研究科
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大塚 実
産業技術総合研究所
-
田主 裕一朗
東北大学工学研究科
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奈良 匡樹
東北大学工学研究科
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平野 秀
東北大学工学研究科
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越野 圭二
産業技術総合研究所
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横山 信幸
産業技術総合研究所
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杉山 曜宣
産業技術総合研究所
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石塚 栄一
産業技術総合研究所
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横山 信幸
独立行政法人産業技術総合研究所
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堀川 剛
独立行政法人産業技術総合研究所
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関 三好
独立行政法人産業技術総合研究所
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外山 宗博
独立行政法人産業技術総合研究所
-
大塚 実
独立行政法人産業技術総合研究所
-
石塚 栄一
独立行政法人産業技術総合研究所
-
山岸 雅司
独立行政法人産業技術総合研究所
-
岡野 誠
産業技術総合研究所
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鈴木 恵治郎
産業技術総合研究所
著作論文
- C-3-57 SOI導波路プロセス(VI) : 液浸ArF露光を用いた導波路パターン形成(II)(シリコンフォトニクス,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-10 ArF液浸露光を用いた2次元フォトニック結晶スラブ導波路(シリコンフォトニクス(1),C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- 300mm基板上にArF液侵リソグラフィーを用いて作製したシリコンフォトニクスデバイス(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- 300mm基板上にArF液侵リソグラフィーを用いて作製したシリコンフォトニクスデバイス(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)