ウェハ接合によるシリコン基板上量子ドットレーザの進展(半導体レーザ関連技術,及び一般)
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概要
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III-V化合物半導体光源をSiチップないし導波路上に形成したハイブリッド型レーザは、光集積回路の実現に有望視されている。特に、量子ドットレーザは低い発振閾値、高い温度動作安定性を有することから高密度集積に適している。我々は、低抵抗GaAs/Si直接融着技術を開発し、それを用いSi基板上1.3 um InAs/GaAs量子ドットレーザを作製した。既存のSiO2や金属を介した融着法と異なり、本構造ではIII-V/Si界面を通した電流注入と光結合の両方が可能であり、光集積回路の作製と駆動に大きな利便を与える。作製したレーザの閾値電流密度は205 A/cm2と、Si上の半導体レーザとして極めて小さい値を達成している。
- 2012-12-06
著者
-
荒川 泰彦
東京大学ナノエレクトロニクス連携研究センター
-
荒川 泰彦
東京大学 ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
-
荒川 泰彦
東大生産研:東大ナノ量子機構
-
荒川 泰彦
東京大学
-
田辺 克明
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
-
荒川 泰彦
1995 1996年度エレクトロニクスソサイエティ和文論文誌編集委員会
-
Arakawa Yasuhiko
Institute For Nano Quantum Information Electronics The University Of Tokyo
-
荒川 泰彦
東大ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構:東大生産研
-
Arakawa Yasuhiko
Research Center For Advanced Science And Technology And Institute Of Industrial Science University O
-
荒川 泰彦
東京大学先端科学技術研究センター・生産技術研究所
-
田辺 克明
東京大学
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