日本学術会議公開シンポジウム : 「科学技術におけるイノベーションの創出と人材育成-応用物理の目指す方向-」開催報告

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 2010-03-10

著者

• 荒川 泰彦

  東大ナノ量子機構

• 荒川 泰彦

  東京大学 ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構

• 荒川 泰彦

  東大

関連論文

• 21pHL-6 半導体キラルフォトニック結晶からの円偏光放射(21pHL 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域5(光物性))
• 21pHL-6 半導体キラルフォトニック結晶からの円偏光放射(21pHL 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 26aXG-4 シリコン結合量子ドットの電子輸送特性評価(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 26pWH-6 1.3μm帯光伝導測定によるg因子の見積もり(光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 高アスペクト比ドライエッチング技術を用いて作製したシリコンフォトニック結晶デバイス(光パッシブコンポネント(フィルタ,コネクタ,MEMS),シリコンフォトニクス,光ファイバ,一般)
• C-3-24 超小型PD集積型1次元フォトニック結晶分散補償モジュール(フォトニック結晶ファイバ・素子,C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
• C-3-81 1次元結合欠陥型フォトニック結晶分散補償器(補償デバイス,C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
• フォトニック結晶を用いた分散補償素子の作製検討(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
• 一次元フォトニック結晶の作製と応用(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• 量子ドット光デバイスと国家プロジェクト
• 榊裕之先生,平成20年度文化功労者に
• 1.総論:先端ナノフォトニクスの展開 : 量子ドットを中心にして(進化する先端フォトニックデバイス)
• 応用物理における将来ビジョンマップ : アカデミックロードマップの取り組み
• First Demonstration of Electrically Driven 1.55μm Single-Photon Generator
• MOCVD法により作製したGaAs基板上GaInNAs埋め込みInAs量子ドットレーザの1.3μm帯室温連続発振(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,及び一般)
• Single-photon generator for telecom applications
• Photonic Crystal Nanocavity Continuous-wave Laser Operation at Room Temperature
• 学術講演「未来社会に向けた工学の新展開〜エレクトロニクスを中心にして〜」
• Development of Electrically Driven Single-Photon Emitter at Optical Fiber Bands
• Single-Photon Generation in the 1.55-μm Optical-Fiber Band from an InAs/InP Quantum Dot
• Optical Control of Transmittance by Photo-Induced Absorption Effect in InGaN/GaN Structures (Selected Topics in Applied Physics(3)Physics of UV Materials and Devices and Their Applications)
• Observation of Light Emission at-1.5μm from InAs Quantum Dots in Photonic Crystal Microcavity
• Non-classical Photon Emission from a Single InAs/InP Quantum Dot in the 1.3-μm Optical-Fiber Band
• Differential Absorption in InGaN Multiple Quantum Wells and Epilayers Induced by Blue-Violet Laser Diode
• Lab-on-a-chip:towards the miniaturization and integration of fluorescencespectroscopy based detection method onto portable device
• 量子ドットレーザの展望(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
• 〔invited〕量子ドットレーザの展望(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
• 窒化物半導体垂直微小共振器LEDの作製と青色面発光レーザへの展望(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• B-12-11 量子ドットレーザを用いた温度無依存10Gbps 300m-MMF伝送(B-12.フォトニックネットワーク,一般講演)
• 日本学術会議公開シンポジウム : 「科学技術におけるイノベーションの創出と人材育成-応用物理の目指す方向-」開催報告
• アカデミック・ロードマップ : 意義と経緯
• C-4-30 1.3μm帯量子ドットDFBレーザの広温度範囲10.3Gb/s動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• 窒化物半導体垂直微小共振器LEDの作製と青色面発光レーザへの展望
• 「総論:ナノテクノロジーと次世代情報通信技術>
• A-4-8 拡張成分分離型ε-フィルタの最適設計とその画像処理への応用
• 非発光再結合準位の2波長励起フォトルミネッセンス測定
• 高Q値3次元フォトニック結晶ナノ共振器におけるレーザ発振(量子効果デバイス(光信号処理、LD、光増幅、変調等)と集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
• 高Q値3次元フォトニック結晶ナノ共振器におけるレーザ発振(量子効果デバイス(光信号処理、LD、光増幅、変調等)と集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
• 20aYK-12 自己形成量子ドットを用いた単電子トランジスタ構造における光電流,発光の制御(20aYK 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 光導波路集積型マイクロディスク量子カスケードレーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
• FDTD法のフォトニック結晶研究への応用
• フォトニック結晶を利用した有機発光素子
• 半導体量子ドットを用いた単一光子発生技術の展開
• SC-1-2 フォトニック結晶の新しい展開 : 量子ドット・MEMS との融合
• フォトニック結晶を用いた分散補償素子の作製検討(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
• フォトニック結晶を用いた分散補償素子の作製検討(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
• フォトニック結晶を用いた分散補償素子の作製検討(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
• 一次元フォトニック結晶の作製と応用(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• 一次元フォトニック結晶の作製と応用(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• シリコン上1.3μm量子ドットレーザ--光LSI融合システム構築に向けて
• ウェハ融着によるSi基板上1.3μm InAs/GaAs量子ドットレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• ウェハ融着によるSi基板上1.3μm InAs/GaAs量子ドットレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• ウェハ融着によるSi基板上1.3μm InAs/GaAs量子ドットレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• ウェハ融着によるSi基板上1.3μm InAs/GaAs量子ドットレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• C-4-4 10G-EPONへ向けた波長1.27μm帯量子ドットDFBレーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• 量子井戸レ-ザの発展 (量子効果デバイスの現状と展望)
• グリーンICT社会に向けたフォトニックデバイス : 量子,ナノ,光の融合(エレクトロニクスソサイエティ和文論文誌500号記念論文)
• 次世代高効率ネットワーク技術開発プロジェクトと研究諸課題 : デバイス基盤技術の概要(PN特別セッション(1),IPバックボーンネットワーク,MPLS,GMPLS,フォトニックネットワーク及び一般)
• 次世代高効率ネットワーク技術開発プロジェクトと研究諸課題 : デバイス基盤技術の概要(PN特別セッション(1),IPバックボーンネットワーク,MPLS,GMPLS,フォトニックネットワーク及び一般)
• 24aPS-42 A面サファイア基板上GaNの四光波混合分光(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• Observation of 1.55μm Light Emission from InAs Quantum Dots in Photonic Crystal Microcavity
• Transmission Experiment of Quantum Keys over 50km Using High-Performance Quantum-Dot Single-Photon Source at 1.5μm Wavelength
• 微小共振器レーザにおけるピコ秒光パルスの発生
• MOCVD法により作製したGaAs基板上GaInNAs埋め込みInAs量子ドットレーザの1.3μm帯室温連続発振(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,及び一般)
• Investigation of the Spectral Triplet in Strongly Coupled Quantum Dot-Nanocavity System
• Two-Photon Control of Biexciton Population in Telecommunication-Band Quantum Dot
• Large Vacuum Rabi Splitting in Single Self-Assembled Quantum Dot-Nanocavity System
• ハードウェアでの実装に適した非線形ディジタルフィルタ(「非線形ディジタル信号処理とその応用特集号」)
• 量子ドット・フォトニック結晶ナノレーザー : 単一人工原子レーザーを中心にして
• 半導体直接融着によるSi基板上1.3μm InAs/GaAs量子ドットレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 半導体直接融着によるSi基板上1.3μm InAs/GaAs量子ドットレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 半導体直接融着によるSi基板上1.3μm InAs/GaAs量子ドットレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 半導体直接融着によるSi基板上1.3μm InAs/GaAs量子ドットレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 次世代太陽光発電の展望 : 量子ドット太陽電池を中心にして
• 量子ドット太陽電池研究の展開 (次世代エネルギーを再考する)
• C-4-1 ウェハ融着によるSi基板上1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• GaNナノワイヤの有機金属気相成長法による形成と単一光子発生器への応用(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• GaNナノワイヤの有機金属気相成長法による形成と単一光子発生器への応用(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• GaNナノワイヤの有機金属気相成長法による形成と単一光子発生器への応用(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• 量子ドット太陽電池研究の展開
• 次世代超高精細映像に向けた超高速LAN-SANシステム化技術とその要素技術開発
• 通信波長帯量子ドットを用いた励起子状態のコヒーレント制御(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎,及び一般)
• ウェハ接合によるシリコン基板上量子ドットレーザの進展(半導体レーザ関連技術,及び一般)
• 半導体における共振器量子電気力学 : 量子ドットーフォトニック結晶ナノ共振器結合系

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク