植村 哲也 | 北大 大学院情報科学研究科

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概要

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関連著者

• 植村 哲也

  北海道大学大学院情報科学研究科

• 植村 哲也

  北大 大学院情報科学研究科

• 山本 眞史

  北大情報科学

• 植村 哲也

  北海道大学 大学院情報科学研究科

• 丸亀 孝生

  北海道大学大学院情報科学研究科情報エレクトロニクス専攻

• 山本 眞史

  北海道大学大学院情報科学研究科情報エレクトロニクス専攻

• 植村 哲也

  Nec基礎研究所、システムデバイス・基礎研究本部

• 山本 眞史

  北海道大学大学院工学研究科

• 丸亀 孝生

  北海道大学 大学院情報科学研究科 情報エレクトロニクス専攻

• 山本 眞史

  北海道大学 大学院情報科学研究科

• 松田 健一

  北海道大学大学院情報科学研究科

• 植村 哲也

  「応用物理」編集委員会

• 石川 貴之

  北大情報科学

• 石川 貴之

  北海道大学大学院情報科学研究科情報エレクトロニクス専攻

• 本間 怜

  北海道大学電子情報工学専攻

• 本間 怜

  北海道大学大学院工学研究科

• 笠原 貴志

  北海道大学大学院情報科学研究科情報エレクトロニクス専攻

• 足立 智

  北海道大学大学院工学研究科

• 山本 眞史

  北大院情報科学

• 福井 孝志

  北海道大学情報科学研究科および量子集積エレクトロニクス研究センター

• 有田 正志

  北海道大学大学院情報科学研究科

• 高橋 庸夫

  北海道大学大学院情報科学研究科

• 松田 健一

  北大院情報

• 菅原 陽

  北海道小樽工業高等学校

• 菅原 広剛

  北海道大学大学院情報科学研究科

• 葛西 誠也

  北海道大学大学院情報科学研究科

• 佐藤 威友

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 袴田 真矢

  北海道大学大学院情報科学研究科情報エレクトロニクス専攻

• 丹羽 浩貴

  北大院情報科学

• 秋元 陽介

  北大院情報科学

• 植村 哲也

  北大院情報科学

• 菅原 広剛

  北海道大学

• 高橋 庸夫

  北大

• 高橋 庸夫

  東北大・工

• 高橋 庸夫

  北海道大学 大学院情報科学研究科

• 福井 孝志

  北海道大学大学院情報科学研究科

• 足立 智

  北大 大学院工学研究科

• Sato T

  Hokkaido Univ. Sapporo Jpn

• 高橋 庸夫

  日本確信電話(株)ntt物性科学基礎研究所

• Sato Taketomo

  Graduate School Of Electronics And Information Engineering And Research Center For Integrated Quantu

• Sato Taketomo

  Research Center For Integrated Quantum Electronics (rciqe) And Graduate School Of Information Scienc

• 高橋 庸夫

  北海道大学情報科学研究科

• Sato Taketomo

  Hokkaido Univ. Sapporo Jpn

• 葛西 誠也

  北海道大学 大学院情報科学研究科

• 山本 眞史

  北海道大学大学院情報科学研究科

• 福井 孝志

  北海道大学 大学院情報科学研究科

• 松田 健一

  北海道大学大学院情報科学研究科情報エレクトロニクス専攻

• 有田 正志

  北海道大学大学院 情報科学研究科

• 植村 哲也

  北海道大学大学院情報科学研究科情報エレクトロニクス専攻

• 葛西 誠也

  北海道大学

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著作論文

• 平成20年度リフレッシュ理科教室開催報告-サイエンスオリエンテーリング2008 in 札幌- : 北海道支部・北海道大学会場
• Co_2Cr_Fe_Al薄膜を用いたエピタキシャル強磁性トンネル接合の製作とトンネル磁気抵抗特性
• 19aRD-3 超伝導体/強磁性体2層構造を有する膜厚可変型ブリッジ構造のジョセフソン輸送特性(超伝導(近接効果),領域6,金属,超低温,超伝導・密度波)
• CoFe強磁性トンネル接合を用いた不揮発性3値連想メモリ
• ハーフメタル系ホイスラー合金Co_2Cr_Fe_Al薄膜とMgOトンネル障壁を用いたエピタキシャル強磁性トンネル接合の製作とトンネル磁気抵抗特性
• CoFe強磁性トンネル接合を用いた不揮発性3値連想メモリ(スピン制御と機能,量子効果デバイス及び関連技術)
• ハーフメタル系ホイスラー合金Co_2Cr_Fe_Al薄膜とMgOトンネル障壁を用いたエピタキシャル強磁性トンネル接合の製作とトンネル磁気抵抗特性(スピン制御と機能,量子効果デバイス及び関連技術)
• CoFe強磁性トンネル接合を用いた不揮発性3値連想メモリ(スピン制御と機能,量子効果デバイス及び関連技術)
• ハーフメタル系ホイスラー合金Co_2Cr_Fe_Al薄膜とMgOトンネル障壁を用いたエピタキシャル強磁性トンネル接合の製作とトンネル磁気抵抗特性(スピン制御と機能,量子効果デバイス及び関連技術)
• マグネトロンスパッタ法によるホイスラー合金Co_2Cr_Fe_Al薄膜のエピタキシャル成長と磁気特性評価
• マグネトロンスパッタ法によるホイスラー合金Co_2Cr_Fe_Al薄膜のエピタキシャル成長と磁気特性評価
• SC-11-2 強磁性トンネル接合素子とトンネルダイオードからなるMRAMセルの提案と動作実証(SC-11.新概念VLSI : 先進アーキテクチャ,新回路,デバイス技術)
• 強磁性トンネル接合素子と負性抵抗素子からなるMRAMセルの提案と動作実証(量子効果デバイス及び関連技術)
• 強磁性トンネル接合素子と負性抵抗素子からなるMRAMセルの提案と動作実証(量子効果デバイス及び関連技術)

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