山本 眞史 | 北大情報科学
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概要
関連著者
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山本 眞史
北大情報科学
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植村 哲也
北海道大学大学院情報科学研究科
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山本 眞史
北海道大学大学院工学研究科
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丸亀 孝生
北海道大学 大学院情報科学研究科 情報エレクトロニクス専攻
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植村 哲也
北大 大学院情報科学研究科
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山本 眞史
北海道大学 大学院情報科学研究科
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植村 哲也
北海道大学 大学院情報科学研究科
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丸亀 孝生
北海道大学大学院情報科学研究科情報エレクトロニクス専攻
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山本 眞史
北海道大学大学院情報科学研究科情報エレクトロニクス専攻
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植村 哲也
Nec基礎研究所、システムデバイス・基礎研究本部
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松田 健一
北海道大学大学院情報科学研究科
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石川 貴之
北大情報科学
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植村 哲也
「応用物理」編集委員会
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石川 貴之
北海道大学大学院情報科学研究科情報エレクトロニクス専攻
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朝倉 大輔
産総研
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小出 常晴
高エネ研
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小出 常晴
高エネルギー物理学研究所放射光実験施設
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本間 怜
北海道大学電子情報工学専攻
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本間 怜
北海道大学大学院工学研究科
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藤森 淳
東大理
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片岡 隆史
東大理
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山崎 陽
東大理
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小出 常晴
KEK-PF
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片岡 隆史
東大新領域
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坂本 勇太
東大新領域
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平 智幸
北大情報科学
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小出 常晴
高エ研PF
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山本 眞史
北大院情報科学
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笠原 貴志
北海道大学大学院情報科学研究科情報エレクトロニクス専攻
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山本 眞史
北海道大学大学院情報科学研究科
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朝倉 大輔
KEK-PF
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朝倉 大輔
高エ研PF
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平 智幸
北大院情報科学
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石川 貴之
北大院情報科学
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角田 乃亜
東邦大理
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片山 利一
東邦大理
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浅野 裕司
東邦大理
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江村 藍
東邦大理
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松岡 七絵
東邦大理
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齊藤 敏明
東邦大理
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朝倉 大輔
高エネ研
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石川 貴之
北大院・情報科学
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丸亀 孝生
北大院・情報科学
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山本 眞史
北大院・情報科学
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小出 常晴
高エネルギー物理学研究所
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松田 健一
北大院情報
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袴田 真矢
北海道大学大学院情報科学研究科情報エレクトロニクス専攻
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丹羽 浩貴
北大院情報科学
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秋元 陽介
北大院情報科学
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植村 哲也
北大院情報科学
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片山 利一
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
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江村 藍
東邦大・理
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斉藤 敏明
東邦大理
-
齋藤 敏明
東邦大・理
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松田 健一
北海道大学大学院情報科学研究科情報エレクトロニクス専攻
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植村 哲也
北海道大学大学院情報科学研究科情報エレクトロニクス専攻
著作論文
- 25aQJ-6 MgOバリアと界面を形成するハーフメタルCo_2MnGe超薄膜の軟X線磁気円二色性(微少磁性(材料,構造),領域3,磁性,磁気共鳴)
- 21pPSA-5 MgOバリアと界面を形成するCo_2MnGe薄膜のXMCD測定(21pPSA 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 19aZC-3 MgOバリアと界面を形成するCo_2MnSiエピタキシャル極薄膜のXMCD測定(19aZC 薄膜・人工格子磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- Co_2Cr_Fe_Al薄膜を用いたエピタキシャル強磁性トンネル接合の製作とトンネル磁気抵抗特性
- 19aRD-3 超伝導体/強磁性体2層構造を有する膜厚可変型ブリッジ構造のジョセフソン輸送特性(超伝導(近接効果),領域6,金属,超低温,超伝導・密度波)
- CoFe強磁性トンネル接合を用いた不揮発性3値連想メモリ
- ハーフメタル系ホイスラー合金Co_2Cr_Fe_Al薄膜とMgOトンネル障壁を用いたエピタキシャル強磁性トンネル接合の製作とトンネル磁気抵抗特性
- CoFe強磁性トンネル接合を用いた不揮発性3値連想メモリ(スピン制御と機能,量子効果デバイス及び関連技術)
- ハーフメタル系ホイスラー合金Co_2Cr_Fe_Al薄膜とMgOトンネル障壁を用いたエピタキシャル強磁性トンネル接合の製作とトンネル磁気抵抗特性(スピン制御と機能,量子効果デバイス及び関連技術)
- CoFe強磁性トンネル接合を用いた不揮発性3値連想メモリ(スピン制御と機能,量子効果デバイス及び関連技術)
- ハーフメタル系ホイスラー合金Co_2Cr_Fe_Al薄膜とMgOトンネル障壁を用いたエピタキシャル強磁性トンネル接合の製作とトンネル磁気抵抗特性(スピン制御と機能,量子効果デバイス及び関連技術)
- マグネトロンスパッタ法によるホイスラー合金Co_2Cr_Fe_Al薄膜のエピタキシャル成長と磁気特性評価
- マグネトロンスパッタ法によるホイスラー合金Co_2Cr_Fe_Al薄膜のエピタキシャル成長と磁気特性評価
- SC-11-2 強磁性トンネル接合素子とトンネルダイオードからなるMRAMセルの提案と動作実証(SC-11.新概念VLSI : 先進アーキテクチャ,新回路,デバイス技術)
- 強磁性トンネル接合素子と負性抵抗素子からなるMRAMセルの提案と動作実証(量子効果デバイス及び関連技術)
- 強磁性トンネル接合素子と負性抵抗素子からなるMRAMセルの提案と動作実証(量子効果デバイス及び関連技術)
- Co系フルホイスラー合金を用いたスピン流の創出と制御