山本 眞史 | 北海道大学大学院工学研究科
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概要
関連著者
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山本 眞史
北海道大学大学院工学研究科
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山本 眞史
北海道大学 大学院情報科学研究科
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山本 眞史
北大情報科学
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植村 哲也
北海道大学大学院情報科学研究科
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山本 眞史
北海道大学大学院情報科学研究科情報エレクトロニクス専攻
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植村 哲也
北海道大学 大学院情報科学研究科
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丸亀 孝生
北海道大学大学院情報科学研究科情報エレクトロニクス専攻
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丸亀 孝生
北海道大学 大学院情報科学研究科 情報エレクトロニクス専攻
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植村 哲也
北大 大学院情報科学研究科
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植村 哲也
Nec基礎研究所、システムデバイス・基礎研究本部
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松田 健一
北海道大学大学院情報科学研究科
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植村 哲也
「応用物理」編集委員会
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石川 貴之
北大情報科学
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石川 貴之
北海道大学大学院情報科学研究科情報エレクトロニクス専攻
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本間 怜
北海道大学電子情報工学専攻
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本間 怜
北海道大学大学院工学研究科
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笠原 貴志
北海道大学大学院情報科学研究科情報エレクトロニクス専攻
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袴田 真矢
北海道大学大学院情報科学研究科情報エレクトロニクス専攻
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工藤 一彦
北海道大学
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島津 洋一郎
北海道大学大学院工学研究科量子エネルギー工学専攻
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工藤 一彦
北海道大学大学院工学研究科
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蟹江 俊仁
北海道大学大学院工学研究科
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島津 洋一郎
北海道大学
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島津 洋一郎
北海道大学大学院工学研究科
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原 正治
北海道大学大学院工学研究科
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山本 眞史
北海道大学大学院情報科学研究科
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松田 健一
北海道大学大学院情報科学研究科情報エレクトロニクス専攻
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植村 哲也
北海道大学大学院情報科学研究科情報エレクトロニクス専攻
著作論文
- Co_2Cr_Fe_Al薄膜を用いたエピタキシャル強磁性トンネル接合の製作とトンネル磁気抵抗特性
- CoFe強磁性トンネル接合を用いた不揮発性3値連想メモリ
- ハーフメタル系ホイスラー合金Co_2Cr_Fe_Al薄膜とMgOトンネル障壁を用いたエピタキシャル強磁性トンネル接合の製作とトンネル磁気抵抗特性
- CoFe強磁性トンネル接合を用いた不揮発性3値連想メモリ(スピン制御と機能,量子効果デバイス及び関連技術)
- ハーフメタル系ホイスラー合金Co_2Cr_Fe_Al薄膜とMgOトンネル障壁を用いたエピタキシャル強磁性トンネル接合の製作とトンネル磁気抵抗特性(スピン制御と機能,量子効果デバイス及び関連技術)
- 195 米国における新しい技術者教育 : 北海道大学工学部海外高等教育実態調査(技術者継続教育I,第50セッション)
- CoFe強磁性トンネル接合を用いた不揮発性3値連想メモリ(スピン制御と機能,量子効果デバイス及び関連技術)
- ハーフメタル系ホイスラー合金Co_2Cr_Fe_Al薄膜とMgOトンネル障壁を用いたエピタキシャル強磁性トンネル接合の製作とトンネル磁気抵抗特性(スピン制御と機能,量子効果デバイス及び関連技術)
- マグネトロンスパッタ法によるホイスラー合金Co_2Cr_Fe_Al薄膜のエピタキシャル成長と磁気特性評価
- マグネトロンスパッタ法によるホイスラー合金Co_2Cr_Fe_Al薄膜のエピタキシャル成長と磁気特性評価
- SC-11-2 強磁性トンネル接合素子とトンネルダイオードからなるMRAMセルの提案と動作実証(SC-11.新概念VLSI : 先進アーキテクチャ,新回路,デバイス技術)
- 強磁性トンネル接合素子と負性抵抗素子からなるMRAMセルの提案と動作実証(量子効果デバイス及び関連技術)
- 強磁性トンネル接合素子と負性抵抗素子からなるMRAMセルの提案と動作実証(量子効果デバイス及び関連技術)
- Co系フルホイスラー合金を用いたスピン流の創出と制御