ハーフメタル系ホイスラー合金Co_2Cr_<0.6>Fe_<0.4>Al薄膜とMgOトンネル障壁を用いたエピタキシャル強磁性トンネル接合の製作とトンネル磁気抵抗特性(スピン制御と機能,量子効果デバイス及び関連技術)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
Co系フルホイスラー合金Co_2Cr_<0.6>Fe_<0.4>Al(CCFA)とMgOトンネルバリアを用いたエピタキシャル強磁性トンネル接合(MTJ)を製作した.保磁力差型MTJにおいて,CCFA薄膜の組成を化学量論的な値に近づけることにより,室温で90%(4.2Kで240%)に達するTMR比が得られた.さらに交換バイアス型MTJにおいて室温で109%,4.2Kで317%の高いTMR比が得られた.得られたTMR比よりB2構造を有するエピタキシャルCCFA薄膜の実効的なスピン偏極率を見積もったところ,4.2Kで0.88(室温で0.57)の高い値が得られた.これらの結果より,Co系ホイスラー合金薄膜の本質的に高いスピン偏極率を活用する上で,すべての層が単結晶エピタキシャル成長の強磁性トンネル接合の構造が有用であることが示された.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-01-25
著者
-
石川 貴之
北大情報科学
-
山本 眞史
北大情報科学
-
植村 哲也
北海道大学大学院情報科学研究科
-
松田 健一
北海道大学大学院情報科学研究科
-
丸亀 孝生
北海道大学大学院情報科学研究科情報エレクトロニクス専攻
-
石川 貴之
北海道大学大学院情報科学研究科情報エレクトロニクス専攻
-
山本 眞史
北海道大学大学院情報科学研究科情報エレクトロニクス専攻
-
植村 哲也
「応用物理」編集委員会
-
植村 哲也
Nec基礎研究所、システムデバイス・基礎研究本部
-
山本 眞史
北海道大学大学院工学研究科
-
丸亀 孝生
北海道大学 大学院情報科学研究科 情報エレクトロニクス専攻
-
植村 哲也
北大 大学院情報科学研究科
-
山本 眞史
北海道大学 大学院情報科学研究科
-
植村 哲也
北海道大学 大学院情報科学研究科
関連論文
- 平成20年度リフレッシュ理科教室開催報告-サイエンスオリエンテーリング2008 in 札幌- : 北海道支部・北海道大学会場
- 25aQJ-6 MgOバリアと界面を形成するハーフメタルCo_2MnGe超薄膜の軟X線磁気円二色性(微少磁性(材料,構造),領域3,磁性,磁気共鳴)
- 21pPSA-5 MgOバリアと界面を形成するCo_2MnGe薄膜のXMCD測定(21pPSA 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 19aZC-3 MgOバリアと界面を形成するCo_2MnSiエピタキシャル極薄膜のXMCD測定(19aZC 薄膜・人工格子磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- Co_2Cr_Fe_Al薄膜を用いたエピタキシャル強磁性トンネル接合の製作とトンネル磁気抵抗特性
- 19aRD-3 超伝導体/強磁性体2層構造を有する膜厚可変型ブリッジ構造のジョセフソン輸送特性(超伝導(近接効果),領域6,金属,超低温,超伝導・密度波)
- CoFe強磁性トンネル接合を用いた不揮発性3値連想メモリ
- ハーフメタル系ホイスラー合金Co_2Cr_Fe_Al薄膜とMgOトンネル障壁を用いたエピタキシャル強磁性トンネル接合の製作とトンネル磁気抵抗特性
- CoFe強磁性トンネル接合を用いた不揮発性3値連想メモリ(スピン制御と機能,量子効果デバイス及び関連技術)
- ハーフメタル系ホイスラー合金Co_2Cr_Fe_Al薄膜とMgOトンネル障壁を用いたエピタキシャル強磁性トンネル接合の製作とトンネル磁気抵抗特性(スピン制御と機能,量子効果デバイス及び関連技術)
- 27p-YA-11 電荷密度波における量子位相すべり
- 量子化機能回路に向けた表面トンネルトランジスタ(STT)の開発 (小特集:量子化機能素子) -- (量子化機能素子プロジェクトの進捗状況)
- Beyond CMOS に向けて
- 編集にあたって
- 基礎編/有機分子エレクトロニクスの基礎と応用
- 基礎講座
- 基礎講座
- 基礎講座 : 基礎編/有機分子エレクトロニクスの基礎と応用
- 基礎講座
- 基礎講座 : 基礎編/有機分子エレクトロニクスの基礎と応用
- 基礎講座
- 基礎講座
- 基礎講座
- 195 米国における新しい技術者教育 : 北海道大学工学部海外高等教育実態調査(技術者継続教育I,第50セッション)
- CoFe強磁性トンネル接合を用いた不揮発性3値連想メモリ(スピン制御と機能,量子効果デバイス及び関連技術)
- ハーフメタル系ホイスラー合金Co_2Cr_Fe_Al薄膜とMgOトンネル障壁を用いたエピタキシャル強磁性トンネル接合の製作とトンネル磁気抵抗特性(スピン制御と機能,量子効果デバイス及び関連技術)
- マグネトロンスパッタ法によるホイスラー合金Co_2Cr_Fe_Al薄膜のエピタキシャル成長と磁気特性評価
- マグネトロンスパッタ法によるホイスラー合金Co_2Cr_Fe_Al薄膜のエピタキシャル成長と磁気特性評価
- SC-11-2 強磁性トンネル接合素子とトンネルダイオードからなるMRAMセルの提案と動作実証(SC-11.新概念VLSI : 先進アーキテクチャ,新回路,デバイス技術)
- 強磁性トンネル接合素子と負性抵抗素子からなるMRAMセルの提案と動作実証(量子効果デバイス及び関連技術)
- 強磁性トンネル接合素子と負性抵抗素子からなるMRAMセルの提案と動作実証(量子効果デバイス及び関連技術)
- 9)フラクタルによる図形の生成とその応用(画像通信システム研究会(第72回))
- フラクタルによる図形の生成とその応用
- ロボット開発に貢献するバイオエレクトロニクス
- C-10-20 多重接合型表面トンネルトランジスタを用いた3値シフトレジスター
- 80nmゲート長を有するセルフアラインSTT
- 80nmゲート長を有するセルフアラインSTT
- SC-9-4 多重接合型表面トンネルトランジスタとヘテロ接合FETを用いた3値Tゲート回路と2段D-FF回路の作製
- 多重接合型表面トンネルトランジスタを用いた3値Tゲート回路の評価と3値D-FF回路への応用
- ED2000-55 / SDM2000-55 多重接合型表面トンネルトランジスタを用いた3値Tゲート回路の評価と3値D-FF回路への応用
- 多重接合型表面トンネルトランジスタを用いた3値Tゲート回路
- 表面トンネルトランジスタ
- 表面トンネルトランジスタにおける負性抵抗特性の評価
- Co系フルホイスラー合金を用いたスピン流の創出と制御
- Creation and Control of Spin Current Using Co-Based Heusler Alloy