強磁性トンネル接合素子と負性抵抗素子からなるMRAMセルの提案と動作実証(量子効果デバイス及び関連技術)
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概要
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強磁性トンネル接合(MTJ)と負性抵抗(NDR)素子を並列および直列に接続した二種類の新規MRAMセルを提案し,その基本動作をシミュレーションならびに実験により実証した. NDR素子により,MTJ素子の平行時と反平行時の磁気抵抗(MR)比を増大させることができる.MTJ素子としてCoFe/AlOxからなる二重トンネル接合素子を,NDR素子としてGaAsバンド間トンネルダイオードを用いた上記提案のMRAMセルを試作し,そのMR比を評価した.その結果,実効的なMR比がMTJ素子単独の場合の15%から最大890%にまで飛躍的に増大できることを確認した.さらに,単体としてのTMR比が30%以上のMTJを用いることにより十分な動作マージンが確保できることを示した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-01-23
著者
-
山本 眞史
北大情報科学
-
植村 哲也
北海道大学大学院情報科学研究科
-
丸亀 孝生
北海道大学大学院情報科学研究科情報エレクトロニクス専攻
-
山本 眞史
北海道大学大学院情報科学研究科情報エレクトロニクス専攻
-
植村 哲也
Nec基礎研究所、システムデバイス・基礎研究本部
-
山本 眞史
北海道大学大学院工学研究科
-
本間 怜
北海道大学電子情報工学専攻
-
丸亀 孝生
北海道大学 大学院情報科学研究科 情報エレクトロニクス専攻
-
本間 怜
北海道大学大学院工学研究科
-
植村 哲也
北大 大学院情報科学研究科
-
山本 眞史
北海道大学 大学院情報科学研究科
-
植村 哲也
北海道大学 大学院情報科学研究科
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