表面トンネルトランジスタにおける負性抵抗特性の評価
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概要
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表面トンネルトランジスタ(STT)の高性能化を目的に、チャネルに直接ドーピングを行い、チャネルの縮退度を高めた構造を作製した。その結果、従来構造に比べ、3桁以上の動作電流密度の増加とバンド間のトンネリングに基づく明瞭な負性抵抗(NDR)特性を室温において得た。さらに、STTの機能デバイスとしての応用を示すために、一つのSTT素子と一つの負荷抵抗からなる双安定回路を構築し、その動作を確認した。また、NDR特性を劣化させるバレイ電流の原因を明かにするため、STTと同様の再成長界面を有するp^+-n^+トンネルダイオード構造を作製し、NDR特性の温度依存性とpn再成長界面の不純物濃度を評価した。その結果、バレイ電流は主にpn再成長界面における残留酸素により形成されるトラップ準位を介したトンネル電流であることが示唆された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-04-22
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