DXセンター・エネルギーの局所環境効果
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1990-08-05
著者
関連論文
- 30a-D-5 リニアコライダーに用いるマルチバンチ偏極電子ビームの生成実験
- 29a-C-2 リニアーコライダーの為の超格子半導体による偏極電子源の開発VI
- 1p-ZN-2 JLCのための超格子半導体によるスピン偏極電子源の開発IV
- 5p-A-9 JLCのための超格子半導体によるスピン偏極電子源の開発
- 27a-ZB-7 超格子半導体によるスピン偏極電子源の開発I
- DXセンター・エネルギーの局所環境効果
- [招待講演]ナノリソグラフィー技術のデバイス応用
- 微細MOSFET中のキャリア伝導
- 14nmゲートEJ-MOSFETの作製と電気的特性の評価
- 14 nmゲート EJ-MOSFETの作製と電気的特性の評価
- 30nmゲート長EJ-MOSFETの作製
- 21pXA-12 GaN 中の浅いドナーとしての水素原子
- [招待講演]ナノリソグラフィー技術のデバイス応用
- 微細MOSFET中のキャリア伝導
- 30nmゲート長EJ-MOSFETの作製
- 80nmゲート長を有するセルフアラインSTT
- 80nmゲート長を有するセルフアラインSTT
- 表面トンネルトランジスタ
- 表面トンネルトランジスタにおける負性抵抗特性の評価