27p-YA-11 電荷密度波における量子位相すべり
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1998-09-05
著者
-
丹田 聡
北海道大学理学部物理学科
-
丹田 聡
北海道大学
-
松田 健一
北大院情報
-
松田 健一
北海道大学大学院情報科学研究科
-
塩原 正人
北大院工
-
畠中 憲之
NTT基礎研
-
塩原 正人
北海道大学工学部
-
畠中 憲之
広大院総合科
関連論文
- 20pPSB-1 タンデム型BCSエキシトン太陽電池の理論(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 24aPS-79 BCSエキシトン系における光電流理論(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 平成20年度リフレッシュ理科教室開催報告-サイエンスオリエンテーリング2008 in 札幌- : 北海道支部・北海道大学会場
- 20aHW-1 ジョセフソン人工原子による動的カシミール効果の理論(20aHW 微小接合,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 宇宙における渦状構造とチャーン・サイモン重力理論 (オイラー方程式の数理 : 渦運動150年)
- Co_2Cr_Fe_Al薄膜を用いたエピタキシャル強磁性トンネル接合の製作とトンネル磁気抵抗特性
- 19aRD-3 超伝導体/強磁性体2層構造を有する膜厚可変型ブリッジ構造のジョセフソン輸送特性(超伝導(近接効果),領域6,金属,超低温,超伝導・密度波)
- CoFe強磁性トンネル接合を用いた不揮発性3値連想メモリ
- ハーフメタル系ホイスラー合金Co_2Cr_Fe_Al薄膜とMgOトンネル障壁を用いたエピタキシャル強磁性トンネル接合の製作とトンネル磁気抵抗特性
- CoFe強磁性トンネル接合を用いた不揮発性3値連想メモリ(スピン制御と機能,量子効果デバイス及び関連技術)
- ハーフメタル系ホイスラー合金Co_2Cr_Fe_Al薄膜とMgOトンネル障壁を用いたエピタキシャル強磁性トンネル接合の製作とトンネル磁気抵抗特性(スピン制御と機能,量子効果デバイス及び関連技術)
- 24aYS-4 音響KdVソリトンを用いた電子輸送理論(フォノン物性,領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
- 17pTB-6 ソリトン型ポテンシャルを用いた単一光子生成 II
- 28aYN-3 ソリトン型ポテンシャルを用いた単一光子生成
- 25aP-4 斜方晶TaS_3における電荷密度波の巨視的量子トンネル現象 : 新しい非線形伝導特性の観測
- 27pF-7 リングCDWにおける新しい非局所的伝導効果
- 24pYM-4 新しいCDW干渉系における非線形電気伝導の観測
- 30p-PSA-25 擬一次元導体NbSe_3のリング状結晶の作製と成長過程の研究
- 30p-PSA-24 擬一次元導体NbSe_3のリング状結晶 : 電気抵抗測定によるCDW転移の確認
- 27p-YA-11 電荷密度波における量子位相すべり
- 27p-YA-10 電荷密度波における動的相転移と温度依存性
- 27p-YA-7 Pb超薄膜とBi超薄膜の超伝導-絶縁体転移
- 8a-PS-41 Si単結晶表面のエッチングによる成長現象の動的スケーリング
- 6p-K-11 電荷密度波系における動的相転移現象
- トポロジー科学のすすめ : エネルギー利用に関するトポロジーの発想
- 27pF-6 新しいトポロジーをもつリング状及びチューブ状CDW物質の創成
- 24pYM-5 リング状NbSe_3単結晶:新しいCDW干渉系
- 1T-TaS_2のX線回折(遷移金属カルコゲナイド,低次元性無機化合物の相転移と化学結合,科研費研究会報告)
- 13p-PS-6 1T-TaS_2の衛星反射II
- 3a-B-9 1T-TaS_2の衛星反射
- 21pXQ-13 超高速時間分解分光によるNbSe_3結晶の電荷密度波相転移特性(超伝導・密度波,領域6,金属,超低温,超伝導・密度波)
- 22pYF-1 ジョセフソン伝送線路におけるブリーザー間相互作用(22pYF 微小接合,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 24aTH-12 超伝導/強磁性/超伝導接合中のπフラクソン対における相対論的時間遅れ(超伝導,領域6,金属,超低温,超伝導・密度波)
- 22pTG-3 相対論的ジョセフソン・ブリーザーの量子崩壊(微小接合,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 24aXJ-2 ブリーザー量子ビット(24aXJ 微小接合,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 30aXC-10 量子散乱問題における散逸の影響(30aXC 微小ジョセフソン接合,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20aWF-13 ジョセフソンブリーザー量子ビット(微小ジョセフソン接合,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 22aTG-6 スピン・テクスチャーによるアンドレーエフ束縛状態
- 29p-A-10 ^3He weak link系でみる非線型効果と摩擦
- 5p-Q-8 ジョセフソン接合共振器中の光子数QND測定について
- ジョセフソン電流と光子場の量子ゆらぎ相関
- 29a-PS-47 量子コヒーレンスとソリトン相互作用
- トンネル電流の量子化とスクイージング
- 23aWQ-1 ジョセフソン人工原子による動的カシミール効果の理論II(23aWQ 微小接合,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 23pZA-4 過渡反射率測定におけるコヒーレント集団励起スペクトルの系統的考察(23pZA 電荷密度波,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- 27pXF-8 二色励起ポンププローブ法による擬一次元導体NbSe_3のフェムト秒ダイナミクス(27pXF 超伝導・電荷密度波,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- 22aTA-3 1T-TaS_2 における電荷密度波の集団励起ダイナミクスと温度特性
- CoFe強磁性トンネル接合を用いた不揮発性3値連想メモリ(スピン制御と機能,量子効果デバイス及び関連技術)
- ハーフメタル系ホイスラー合金Co_2Cr_Fe_Al薄膜とMgOトンネル障壁を用いたエピタキシャル強磁性トンネル接合の製作とトンネル磁気抵抗特性(スピン制御と機能,量子効果デバイス及び関連技術)
- マグネトロンスパッタ法によるホイスラー合金Co_2Cr_Fe_Al薄膜のエピタキシャル成長と磁気特性評価
- マグネトロンスパッタ法によるホイスラー合金Co_2Cr_Fe_Al薄膜のエピタキシャル成長と磁気特性評価
- 23pWJ-8 磁束量子を用いた超伝導位相量子ビットのエンタングルメント生成(量子ドット,微小接合,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 23pWJ-7 磁束量子を用いた超伝導位相量子ビット間の相互作用制御(量子ドット,微小接合,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 22pTG-4 超伝導位相量子ビットにおける量子絡み合い状態の生成(微小接合,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 29pPSA-8 一次元複合古典スピン系(強磁性-反強磁性-反強磁性三量体鎖)のスピン波励起(領域11ポスターセッション)
- 27aVE-6 フラクソン制御による超伝導磁束量子コンピュータの理論(27aVE 微小接合,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 22pYF-3 NMRイメージング法による磁束量子ビットの個別制御理論(22pYF 微小接合,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- ジョセフソン・メーザー
- ジョセフソン・メーザー
- 1p-S-12 ジョセフソン接合共振器中の光子場の量子ダイナミクス
- 27p-PSB-20 STM系でのSET振動に対する表面波の影響
- 27a-YB-13 ジョセフソン接合共振器中の光子場のダイナミクス : 「半」古典極限
- 28p-E-3 トンネル接合とスクイズド光
- 14a-DA-8 Squeezing of photons through Josephson junctions
- 15p-DC-16 常伝導-超伝導界面でのポラリトン反射
- 27pXF-5 電荷密度波における階層構造2(27pXF 超伝導・電荷密度波,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- メビウス結晶の生成機構 : トポロジカル物質の発見
- 24aXJ-1 結合した位相量子ビットにおける滅衰量子コヒーレント振動の理論(24aXJ 微小接合,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20aWF-11 減衰ラビ振動の理論(微小ジョセフソン接合,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 24pP-10 孤立ジョセフソン接合線路における二重サイン・ゴルドン磁束量子ソリトン
- 26pYM-4 アンドレーエフ準粒子干渉計に対する静電効果
- 30p-ZK-13 微小ジョセフソン接合における電圧状態への遷移過程
- 位相の共鳴トンネリングと最大ジョセフソン電流
- 31p-Y-2 微小ジョセフソン接合における電圧スパイクII
- 6a-ZE-9 微小ジョセフソン接合における電圧スパイク
- 6p-B1-9 dcSQUIDにおける巨視的トンネル効果
- 21aTM-5 超伝導ネットワークにおけるSU(2)対称性の拡大(21aTM 量子細線・接合系(量子細線・微小接合・ジョセブソン接合),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aTM-6 時間Greenberger-Horne-Zeilingerテストによる巨視的量子限界の探索(21aTM 量子細線・接合系(量子細線・微小接合・ジョセブソン接合),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 28p-SC-2 結合したジョセフソン系におけるエネルギー散逸効果(28p SC 低温(Heavy Fermion系,その他の超伝導))