落合 幸徳 | Nec基礎・環境研
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概要
関連著者
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落合 幸徳
Nec基礎・環境研究所
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落合 幸徳
Nec基礎・環境研
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落合 幸徳
JST
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石田 真彦
NEC基礎・環境研究所
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二瓶 史行
NEC基礎研
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二瓶 史行
Nec基礎・環境研究所
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Nihey F
Nec Fundamental And Environmental Res. Lab. Tsukuba Jpn
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Nihey Fumiyuki
Nec Fundamental Research Laboratories
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二瓶 史行
大阪大学大学院理学研究科物理学専攻
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Nihey Fumiyuki
Fundamental Research Laboratories Nec Corporation
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本郷 廣生
NEC基礎研
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本郷 廣生
東京工業大学工学部電気電子工学科
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本郷 廣生
NECグリーンイノベーション研究所
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落合 幸徳
NEC基礎研究所
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藤田 淳一
筑波大学大学院数理物質科学研究科
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二瓶 史行
技術研究組合 単層cnt融合新材料研究開発機構
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市橋 鋭也
NEC基礎研究所
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藤田 淳一
NEC基礎研
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松井 真二
兵庫県立大
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松井 真二
日本電気(株)基礎研究所
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市橋 鋭也
Nec基礎・環境研究所
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松井 真二
Nec 基礎研
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阪本 利司
NEC基礎・環境研究所
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松井 真二
NEC基礎研究所
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阪本 利司
日本電気(株)基礎・環境研究所
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馬場 寿夫
NEC基礎研
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川浦 久雄
日本電気(株)ビジネスイノベーションセンター
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川浦 久雄
NEC基礎・環境研究所
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曽根 純一
NEC基礎研究所
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馬場 寿夫
Nec基礎研究所
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日浦 英文
NEC基礎・環境研
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日浦 英文
NEC 基礎研
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日浦 英文
NECナノエレ研
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曽根 純一
東大
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日浦 英文
Nec基礎研
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木村 滋
JASRI
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谷垣 勝巳
東北大理
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谷垣 勝巳
NEC基礎研
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辰巳 徹
NEC シリコンシステム研究所
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辰巳 徹
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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蔡 兆申
Necエレクトロニクス研究所:riken
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馬場 雅和
NEC基礎研究所
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中原 寧
NECエレクトロニクス先端デバイス開発事業部
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古川 昭雄
日本電気(株)システムデバイス・基礎研究本部
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古川 昭雄
Nec シリコンシステム研究所
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中原 寧
先端デバイス開発本部
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古川 昭雄
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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蔡 兆申
NEC基礎・環境研究所
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藤田 淳一
Nec基礎研究所
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小野 晴彦
マイクロエレ研
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皆藤 孝
セイコーインスツルメント株式会社 科学機器事業部
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望月 康則
NEC基礎研
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渡部 平司
NEC基礎研
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大久保 紀雄
NEC基礎研
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木村 滋
マイクロエレ研
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中原 寧
NEC Electronics Corporation
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中村 泰信
NEC基礎・環境研究所
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竹内 潔
Nec シリコンシステム研究所
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竹内 潔
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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中原 寧
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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眞子 祥子
NEC基礎研究所
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寒川 誠二
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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望月 康則
Necシステムデバイス研究所
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渡部 平司
NECシステムデバイス研究所
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馬場 雅和
Nec 基礎・環境研
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馬場 雅和
Nec基礎研:crest-jst
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中村 泰信
Necエレクトロニクス研究所:riken
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中原 寧
Necエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部
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高井 大祐
NEC基礎研究所
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松井 真二
姫路工大高度産業科学技術研究所
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皆藤 孝
エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社
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皆藤 孝
セイコーインスツルメンツ(株)科学機器事業部
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木村 滋
(財)高輝度光科学研究センター ナノテクノロジー総合支援プロジェクト推進室
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中原 寧
Necエレクトロニクス
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皆藤 孝
セイコーイソスツルメンツ (株) 科学機器事業部
著作論文
- 30nmゲート長EJ-MOSFETの作製
- 27p-ZF-8 可視発光Siの作製と物性 : イオン照射フッ酸処理法と陽極化成法
- トップダウン微細加工によるカーボンナノチューブの位置制御技術
- 鉄触媒を用いた固相反応による非晶質カーボンピラーのチューブ化その場観察
- 鉄触媒を用いた固相反応による非晶質カーボンのチューブ化その場観察
- 選択成長層からの固相拡散による浅接合トランジスタ
- カーボンナノチューブの抵抗評価と合成
- CS-6-4 カーボンナノチューブ(CS-6.ナノデバイスのための薄膜・材料技術-有機と無機/金属から絶縁体-あらゆる可能性を求めて,エレクトロニクス2)
- 30nmゲート長EJ-MOSFETの作製
- 6a-PS-124 ナノスケール磁気ドット格子の磁気特性
- 12p-DF-3 1次元SET接合アレイの電流-電圧特性
- 集束イオンビームによる超微細立体構造形成技術(荷電ビームを応用する加工と計測)
- カーボンナノチューブトランジスタ : デバイス化に向けた精密成長制御(表示記録用有機材料及びデバイス・一般)
- カーボンナノチューブトランジスタ : デバイス化に向けた精密成長制御(表示記録用有機材料及びデバイス・一般)
- 第17回マイクロプロセス・ナノテクノロジー国際会議(MNC 2004)報告
- 単層カーボンナノチューブの位置・直径の制御技術
- カーボンナノチューブトランジスタ : デバイス化に向けた精密成長制御
- カーボンナノチューブトランジスタ : デバイス化に向けた精密成長制御
- トランジスタ開発に向けたSWNT精密制御技術