Nihey Fumiyuki | Nec Fundamental Research Laboratories

スポンサーリンク

概要

• 同名の論文著者
• Nec Fundamental Research Laboratoriesの論文著者

関連著者

• 二瓶 史行

  Nec基礎・環境研究所

• Nihey Fumiyuki

  Nec Fundamental Research Laboratories

• Nihey F

  Nec Fundamental And Environmental Res. Lab. Tsukuba Jpn

• 二瓶 史行

  技術研究組合 単層cnt融合新材料研究開発機構

• 二瓶 史行

  NEC基礎研

• 二瓶 史行

  大阪大学大学院理学研究科物理学専攻

• Nihey Fumiyuki

  Fundamental Research Laboratories Nec Corporation

• 中村 和夫

  東工大総理工 : Nec基礎研

• 落合 幸徳

  JST

• 落合 幸徳

  Nec基礎・環境研究所

• 本郷 廣生

  NEC基礎研

• 中村 和夫

  NEC基礎研

• 本郷 廣生

  東京工業大学工学部電気電子工学科

• 本郷 廣生

  NECグリーンイノベーション研究所

• 石田 真彦

  NEC基礎・環境研究所

• 落合 幸徳

  Nec基礎・環境研

• 湯田坂 雅子

  Aistナノチューブ研究センター

• 飯島 澄男

  NECグリーンイノベーション研究所

• 飯島 澄男

  名城大学大学院理工学研究科電気電子・情報・材料工学専攻

• 邑瀬 和生

  阪大院理

• 宇野 滋雄

  阪大院理

• 音 賢一

  阪大院理

• 鷹岡 貞夫

  阪大院理

• 邑瀬 和生

  大阪教養

• 日浦 英文

  NEC 基礎研

• 市橋 鋭也

  Nec基礎・環境研究所

• 日浦 英文

  NECナノエレ研

• 日浦 英文

  Nec基礎研

• 市橋 鋭也

  NEC基礎研究所

• 湯田坂 雅子

  科技団

• 飯島 澄男

  NEC基礎研

• 市橋 鋭也

  Necナノエレクトロニクス研究所

• 本河 光博

  東北大金研

• 左近 拓男

  東北大金研

• 木戸 義勇

  金材技研

• 溝口 英二

  東工大総理工

• 高増 正

  金材技研

• 二瓶 史行

  マサチューセッツ工科大学

• Kastner M.A.

  マサチューセッツ工科大学

• 平井 宏

  東大教養

• 小宮山 進

  東大教養

• 二瓶 史行

  日本電気(株)基礎研

• 平井 宏

  東大院総合

• 曽根 純一

  NEC基礎研究所

• NIHEY Fumiyuki

  NEC Fundamental and Environmental Research Laboratories

• 日浦 英文

  NEC基礎・環境研

• NAKAMURA Kazuo

  NEC Fundamental Research Laboratories

• 曽根 純一

  東大

• 二瓶 史行

  日本電気(株)基礎・環境研究所ナノテクノロジーtg

• ANDO Tsuneya

  Institute for Solid State Physics, University of Tokyo

• 砂村 潤

  NEC基礎・環境研究所

• 二瓶 史行

  NECラボラトリーズ

• 市橋 鋭也

  NECラボラトリーズ

• 湯田 雅子

  科技団

• 飯島 澄男

  NECラボラトリーズ

• 湯田坂 雅子

  NEC基礎研

• 二瓶 史行

  日本電気株式会社基礎研究所

• 中村 和夫

  日本電気株式会社基礎研究所

• 二瓶 史行

  NEC 基礎研

• 中村 和夫

  NEC 基礎研

• 石坂 智

  NEC基礎研究所

• 中村 和夫

  日本電気基礎研

• 二瓶 史行

  日本電気基礎研

• 佐本 典彦

  関西エレ研

• 笠原 健資

  日本電気(株)マイクロエレ研

• 中村 和夫

  日本電気(株)基礎研

• 中村 和夫

  日本電気マイクロエレクトロニクス研

• 二瓶 史行

  日本電気マイクロエレクトロニクス研

• 落合 幸徳

  NEC基礎研究所

• 落合 幸徳

  日本電気(株)基礎研究所

• 藤田 淳一

  筑波大学大学院数理物質科学研究科

• Hongo Hiroo

  Fundamental Research Laboratories Nec Caporation

• Hwang S

  Semyung Univ. Chungbuk Kor

• Ando Tsuneya

  Institute For Solid State Physics University Of Tokyo

• 湯田坂 雅子

  Nec基礎・環境研究所

• Hwang Sungwoo

  Nec Fundamental Research Laboratories

• Iijima Sumio

  Fundamental Research Laboratories Nec Corporation

• 砂村 潤

  Nec基礎研

• SAKAMOTO Toshitsugu

  NEC Fundamental Research Laboratories

• NAKAMURA Yasunobu

  NEC Fundamental Research Laboratories

• 中村 和夫

  日本電気株式会社基礎・環境研究所:科学技術振興機構crest:東京工業大学総合理工学研究科

• Nakamura Y

  The Authors Are With Fujitsu Laboratories Limited

• 日浦 英文

  日本電気(株)基礎・環境研究所ナノテクノロジーTG

• 本郷 廣生

  日本電気(株)基礎・環境研究所ナノテクノロジーTG

• 石田 真彦

  日本電気(株)基礎・環境研究所ナノテクノロジーTG

• Hongo H

  Nec Fundamental And Environmental Res. Lab. Tsukuba Jpn

• ISHIZAKA Satoshi

  NEC Fundamental Research Laboratories

• Yudasaka Masako

  Japan Science And Technology Corporation Nec Corporation

• HONNGO Hiroo

  Fundamental Research Laboratories, NEC Corporation

• Honngo Hiroo

  Fundamental Research Laboratories Nec Corporation

• Iijima Sumio

  Fundamental Research Laboratories Nec Corporation:japan Science And Technology Corporation Nec Corpo

• Ando Tsuneya

  Institute For Solic State Physics University Of Tokyo

• Sone Jun'ichi

  Nec Fundamental Research Laboratories

• 市橋 鋭也

  NEC基礎研

• 飯鳥 澄男

  NEC基礎研

もっと見る 閉じる

著作論文

• カーボンナノチューブ技術 (ナノテクノロジー特集) -- (ナノテクノロジー基盤技術)
• 17pTJ-2 フラーレン内包単層カーボンナノチューブの電界効果
• 17pTJ-1 メンブレン構造上の単層カーボンナノチューブの電気伝導
• 28aYX-9 単層カーボンナノチューブにおけるホッピング伝導
• 25aF-11 金超微粒子を用いた単層カーボンナノチューブの炭素不純物除去
• アンチドット格子中の複合フェルミオン
• 30a-Q-9 分散量子ホール状態における電気容量の試料形状依存性
• 30a-Q-9 分数量子ホール状態における電気容量の試料形状依存性
• 8a-N-14 分数量子ホール状態における磁気電気容量
• アンチドット格子における絶縁体 : 量子ホール液体転移
• アンチドット格子における絶縁体-量子ホール液体転移
• 13p-DF-5 半導体ネットワークにおけるバリスティック電子波干渉
• 半導体ネットワークにおけるバリスティック電子波干渉
• 29p-X-6 量子ホール効果状態での電子の干渉性 II
• 29p-ZK-9 アンチドット構造における磁気輸送現象
• 28a-C-8 量子ホール効果状態での電子の干渉性
• 29pYS-5 アンチドット格子における電子波伝播
• 29pYS-5 アンチドット格子における電子波伝播
• 31p-YA-6 アンチドット系の量子輸送現象(実験的側面)
• トップダウン微細加工によるカーボンナノチューブの位置制御技術
• カーボンナノチューブの抵抗評価と合成
• カーボンナノチューブトランジスタ
• カーボンナノチューブの高性能トランジスタへの応用
• CS-6-4 カーボンナノチューブ(CS-6.ナノデバイスのための薄膜・材料技術-有機と無機/金属から絶縁体-あらゆる可能性を求めて,エレクトロニクス2)
• 31a-Q-11 アンチドット格子における複合フェルミ粒子の軌道量子化
• 31a-Q-11 アンチドット格子における複合フェルミ粒子の軌道量子化
• Coulomb Blockade of Two Quantum Dots in Series
• 8a-N-14 分数量子ホール状態における磁気電気容量
• カーボンナノチューブトランジスタ : デバイス化に向けた精密成長制御(表示記録用有機材料及びデバイス・一般)
• カーボンナノチューブトランジスタ : デバイス化に向けた精密成長制御(表示記録用有機材料及びデバイス・一般)
• 単層カーボンナノチューブの位置・直径の制御技術
• カーボンナノチューブトランジスタ : デバイス化に向けた精密成長制御
• カーボンナノチューブトランジスタ : デバイス化に向けた精密成長制御
• トランジスタ開発に向けたSWNT精密制御技術
• 「カーボンナノチューブ発見10周年記念つくばシンポジウム」に参加して
• NEC カーボンナノチューブの研究で先行 (特集 21世紀超未来技術が世界を変える ナノテクノロジーの衝撃) -- (Interviews ニッポン・ナノテク最前線)
• 12. PbTe/Pb_Sn_xTe超格子における強磁場量子輸送現象(大阪大学大学院理学研究科物理学専攻,修士論文題目・アブストラクト(1986年度),その2)
• 最新開発事例 カーボンナノチューブトランジスタ (特集 ナノエレクトロデバイスの課題と可能性)
• 化けた電子のAB効果--複合フェルミオンの量子干渉 (特集 メゾスコピック物理への招待)
• アンチドット系 (「量子輸送現象における新展開」特集号) -- (3.磁場中の量子輸送現象)
• アンチドット格子における絶縁体-量子ホ-ル液体転移
• Numerical Studies on Quantum Transport in Antidot Arrays in Magnetic Fields
• A Top-Gate Carbon-Nanotube Field-Effect Teansistor with a Titanium-Dioxide Insulator
• プリンタブルCNT薄膜トランジスタ
• 9aSE-1 サファイア基板上の単層カーボンナノチューブのCVD成長(成長,構造,ガス吸着,領域7)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク