平井 宏 | 東大教養
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概要
関連著者
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平井 宏
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東大院総合
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東大院総合文化
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町田 友樹
東大教養
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富士通研究所
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藤井 俊夫
(株)富士通研究所
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小林 直樹
東大院理
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東工大総理工 : Nec基礎研
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深津 晋
東大・教養
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豊島 秀雄
日電マイクロエレ研
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二瓶 史行
Nec基礎・環境研究所
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Nihey Fumiyuki
Nec Fundamental Research Laboratories
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徳重 貴久
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小林 直樹
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徳重 貴久
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矢野 直佳
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長田 俊人
RCAST
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二瓶 史行
技術研究組合 単層cnt融合新材料研究開発機構
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東京大学大学院総合文化研究科
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新居 英明
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中村 和夫
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二瓶 史行
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富士通研
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佐々木 誠彦
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冷水 佐壽
富士通厚木研
著作論文
- 29p-X-6 量子ホール効果状態での電子の干渉性 II
- 28a-C-8 量子ホール効果状態での電子の干渉性
- エッジ状態エネルギー分散関係の実験的探求
- 量子ホール効果状態におけるエッジ状態の位相干渉性
- 量子ホール効果状態間遷移領域における非弾性散乱長の絶対的決定
- 26p-P-12 ポテンシャル障壁による分布反転生成と非線形伝導
- 強磁場下2次元電子系のエッジ状態間の散乱(I)
- 31a-Z-3 エッチ非平衡分布のフォノン自然放出による緩和
- 4a-C-13 エッジ非平衡分布の温度依存性
- 4a-C-12 エッヂ非平衡分布存在下での実験結果の解析
- 4a-C-4 2次元電子系の電荷密度不均一による線形磁気抵抗
- エッジ状態間散乱の温度、及び、磁場依存性
- 28p-X-6 エッジ状態間散乱の温度、及び、磁場依存性
- 量子ホール効果デバイスにおける電流注入
- 28p-X-8 量子ホール効果デバイスにおける電流注入
- 6a-A2-6 微細ゲートを持つAlGaAs-GaAsヘテロ構造素子における量子ホール効果II
- エッジ状態エネルギー分散関係の実験的探究
- 量子ホール効果状態におけるエッジ状態の位相干渉性
- 量子ホール効果状態間遷移領域における非弾性散乱長の絶対的決定
- 31a-YA-3 量子ホール効果状態における位相可干渉性の探求
- 磁場中の2つの伝導電流
- 4a-J-9 量子ホール効果状態での電流分布
- 4p-J-9 量子ホール効果状態での電流分布
- 29a-L-2 量子ホール効果状態でのエッジ電流とバルク電流の比率
- 29a-L-2 量子ホール効果状態でのエッジ電流とバルク電流の比率
- 4a-C-11 強磁場下2次元電子系における端子の役割 (II)
- 4a-C-10 強磁場下2次元電子系における端子の役割 (I)
- 30p-G-3 IQHEに対するEdge Currentと後方散乱の影響,及び電圧端子の役割(30pG 半導体シンポジウム:量子ホール効果の現状)
- 28p-G-5 量子ホール効果に対する非平衡担体注入の効果(28pG 半導体(量子ホール効果,超格子))
- 2p-L1-6 微細ゲートをもつAIGaAs-GaAsヘテロ構造素子における量子ホール効果(半導体,(表面・界面・超格子))