深津 晋 | 東大・教養
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概要
関連著者
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深津 晋
東大・教養
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深津 晋
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東大先端研
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東大教養
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東大・工
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東大・工
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東大・先端研
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深津 晋
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東大先端科
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白木 靖寛
東京大学先端科学技術研究センター
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深津 晋
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東大教養
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東大先端研
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狩野 覚
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豊島 秀雄
日電 マイクロエレ研
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深津 晉
東大先端研
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深津 晋
東京大学先端研
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宇佐美 徳隆
東京大学先端研
著作論文
- 25p-H-8 ヘテロエピタキシャル薄膜中の転移運動に対する膜厚効果
- 29a-YM-7 Si/Ge/Si界面からのX線散漫散乱
- 25p-S-6 X線回折法によるGe/Si(001)界面構造の研究
- 3p-M-3 時間分解法による緩和したSiGe/Siエピタキシャル膜のフォトルミネッセンス測定
- エッジ状態間散乱の温度、及び、磁場依存性
- 28p-X-6 エッジ状態間散乱の温度、及び、磁場依存性
- 27p-N-5 緩和したSiGe/Siエピタキシャル膜中に誘起される少数キャリアトラップ
- 29p-YC-8 緩和したSiGe/Siエピタキシャル膜中に誘起されるディープセンターの起源
- 29a-L-4 量子ホール効果状態における遠赤外域光伝導
- 29a-L-3 量子ホール効果降伏電流の異常な試料幅依存性
- 29a-L-4 量子ホール効果状態における遠赤外域光伝導
- 29a-L-3 量子ホール効果降伏電流の異常な試料幅依存性
- 13a-K-1 二次元電子系への歪による周期ポテンシャルの導入とワイス振動の観測
- 14p-DH-8 STM study of the Pb/Ge(001)system
- 14p-DH-7 A common complex defect on the Ge(001)2x1 surface
- 13a-K-1 二次元電子系への歪による周期ポテンシャルの導入とワイス振動の観測
- 12p-DK-1 SiGe / Siエピタキシャル膜中のディープセンター
- 29p-T-11 量子ホール効果デバイスでの雑音測定
- 30p-N-9 量子ホール効果の試料長さ依存性
- 31p-D-3 緩和したSiGe/Siエピタキシャル膜フォトルミネッセンス測定
- 27p-P-3 強磁場下2次元電子系のSdH振動に現れる非線形性
- 27p-ZN-9 Si_Ge_X/Si(100)中の転位運動速度の転位長依存性
- 28p-W-6 InGaAs/GaAs量子井戸の二次元励起子蛍光寿命
- 29p-X-7 2次元電子系の非局所性SdH振動 (III)
- 28a-C-9 2次元電子系の非局所性Sdh振動(II)
- 27a-C-5 トンネル障壁を有する量子井戸におけるキャリアの捕獲
- 26a-ZB-13 2次元電子系の非局所性SdH振動
- 26a-ZH-18 SiGe/Si歪量子井戸のバンド端発光
- 25p-H-7 SiGe/Siエピタキシャル膜中のミスフィット転位のフォトルミネッセンス
- Si1-xGex/Si量子井戸の発光