29p-T-11 量子ホール効果デバイスでの雑音測定

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1993-03-16

著者

• 白木 靖寛

  都市大総研

• 深津 晋

  東大先端研

• 白木 靖寛

  東大先端研

• 小宮山 進

  東大教養

• 深津 晋

  東大・教養

• 豊島 秀雄

  日電マイクロエレ研

• 伊藤 良一

  東大先端研

• 尾上 秀平

  東大教養

関連論文

• 20pHV-3 Si/SiGe2次元金属相におけるサイクロトロン共鳴(20pHV 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 29a-YM-7 Si/Ge/Si界面からのX線散漫散乱
• 8a-N-3 非弾性散乱長の奇妙なソース・ドレイン電圧依存性
• 8a-N-2 量子ホール状態間遷移の試料形状依存性
• 8a-N-1 量子ホール状態における二次元電子系の位相干渉性
• 28p-R-9 強磁場二次元電子系の位相干渉性
• エッジ状態エネルギー分散関係の実験的探求
• 量子ホール効果状態におけるエッジ状態の位相干渉性
• 量子ホール効果状態間遷移領域における非弾性散乱長の絶対的決定
• 人材育成
• 30p-Q-15 量子ホール効果状態における遠赤外光伝導の時定数
• 25pXD-3 Si/SiGe量子井戸二次元電子系における井戸幅と谷分離エネルギーの関係(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 20pYK-11 シリコン2次元電子系におけるランダウ準位交差と擬スピン非偏極状態の可能性(20pYK 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21aTH-6 高移動度シリコン2次元電子におけるランダウ準位交差と電気伝導の巨大異方性(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 26aXL-3 強相関シリコン2次元電子系におけるスクリーニング効果(26aXL 半導体スピン物性(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 13aTJ-8 X 線回折を利用した Si/Ge/Si(001) 結晶における Ge island の歪みについての研究(X 線・粒子線 : X 線, 領域 10)
• 20pTH-7 GaAs/AlAs 隣接閉じ込め構造からの励起子磁気発光 II
• 20pTH-6 半導体ナノ構造における電子・正孔空間分離型励起子からの磁気発光ダイナミクス
• 19pTH-7 ^Ge/^Ge同位体ヘテロ構造中のフォノン・ラマン散乱
• 20pWF-3 非コヒーレントな層間結合をもつ層状物質における角度依存磁気抵抗振動の検証
• 20aYH-7 強磁場下半導体超格子における磁気抵抗効果
• イオン注入法を用いた歪み緩和SiGe薄膜の作製と応用
• 28p-R-5 二次元アンチドット格子系における量子ホール状態
• 28p-R-5 二次元アンチドット格子系における量子ホール状態
• 二次元アンチドット格子系の強磁場磁気抵抗
• 二次元アンチドット格子系の強磁場磁気抵抗
• 27pTC-14 半導体超格子における磁場方位に依存する磁気抵抗効果
• 25pSB-6 非コヒーレントな層間結合をもつ半導体超格子における角度依存磁気抵抗振動
• 24pD-11 多層量子ホール系におけるカイラル表面状態の電気伝導特性III
• エッジ状態間散乱の温度、及び、磁場依存性
• 28p-X-6 エッジ状態間散乱の温度、及び、磁場依存性
• 27p-N-5 緩和したSiGe/Siエピタキシャル膜中に誘起される少数キャリアトラップ
• 29p-YC-8 緩和したSiGe/Siエピタキシャル膜中に誘起されるディープセンターの起源
• 29a-L-4 量子ホール効果状態における遠赤外域光伝導
• 29a-L-3 量子ホール効果降伏電流の異常な試料幅依存性
• 29a-L-4 量子ホール効果状態における遠赤外域光伝導
• 29a-L-3 量子ホール効果降伏電流の異常な試料幅依存性
• 13a-K-1 二次元電子系への歪による周期ポテンシャルの導入とワイス振動の観測
• 13a-K-1 二次元電子系への歪による周期ポテンシャルの導入とワイス振動の観測
• 12p-DK-1 SiGe / Siエピタキシャル膜中のディープセンター
• 29p-T-11 量子ホール効果デバイスでの雑音測定
• 30p-N-9 量子ホール効果の試料長さ依存性
• 31p-D-3 緩和したSiGe/Siエピタキシャル膜フォトルミネッセンス測定
• 24aWQ-2 Lateral dot fabrication by using a MOS electric gate on SiGe hetero structure
• 24aWQ-3 PdショットキーゲートによるSi/SiGe量子ドットの作製とその評価(24aWQ 量子ドット,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
• 25pXL-5 Si/SiGe量子ホール系における非局所抵抗のスピン依存性(25pXL 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27pXB-6 Si/SiGe量子ホール系におけるエッジチャネル伝導(27pXB 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 19aYJ-10 GaP/AlPヘテロ構造からの励起子発光と磁場誘起キャリア局在
• 23aYH-5 蛍光X線ホログラフィによるGe/Si(001)量子ドット構造の研究
• 23pL-3 アンチドット系の磁気抵抗の配列及び形状依存性II
• 25pYK-12 ^Ge_n/^Ge_n同位体超格子中のフォノン
• 27pD-6 アンチドット系の磁気抵抗の配列及び形状依存性
• 26aC-4 強磁場下におけるSi/SiGe単一量子井戸中高易動度2次元電子ガスのサイクロトロン共鳴
• 31p-ZB-5 高移動度シリコン2次元金属相における磁気抵抗効果
• 31p-ZB-5 高移動度シリコン2次元金属相における磁気抵抗効果
• 27a-YN-7 強磁場下及び超強磁場下におけるSi/SiGe単一量子井戸中高易動度2次元電子ガスのサイクロトロン共鳴
• 26p-YG-8 Si/SiGeヘテロ接合2次元電子系における金属相の異常な電気伝導
• 2p-YH-1 超強磁場下におけるSiGe/Si単一量子井戸中高易動度2次元電子ガスのサイクロトロン共鳴
• 強磁場下における非対称三重障壁共鳴トンネルダイオードの磁気量子振動
• 23aWH-9 Si/SiGe量子ホールダイオードにおけるトンネル電流のスピン依存性(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 19aRC-1 Si/SiGe量子ホール系における谷分離端状態伝導(量子ホール効果(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 28pーR-13 臨界電流値が試料幅にスケールしない量子ホール効果Breakdown現象
• 28p-R-13 臨界電流値が試料幅にスケールしない量子ホール効果Breakdown現象
• QHE Breakdown臨界電流値以上で生じる非対称性
• QHE Breakdown臨界電流値以上で生じる縦抵抗の指数関数的増大
• QHB Breakdown臨界電流値以上で生じる非対称性
• QHB Breakdown臨界電流値以上で生じる縦抵抗の指数関数的増大
• 3a-E-9 量子ホール効果Breakdown現象における顕著な非局所性II
• 量子ホール効果Breakdown現象における顕著な非局所性
• 28p-X-4 量子ホール効果Breakdown現象における顕著な非局所性
• 31a-R-9 MBE成長Si_xGe_/Ge(100)における光励起キャリアーの電子ラマン散乱
• 28p-P-10 半導体ヘテロエピタキシャル膜中の転位運動に対する電子励起効果
• 2a-YH-9 GaP/AlP超格子構造における励起子発光の磁場と圧力の効果
• 30p-R-5 GaP/AlP短周期超格子および量子井戸の磁気発光スペクトル
• 3a-E-11 量子ホール効果デバイスにおける電流注入II
• 量子ホール効果デバイスにおける電流注入
• 28p-X-8 量子ホール効果デバイスにおける電流注入
• 26p-YG-8 Si/SiGeヘテロ接合2次元電子系における金属相の異常な電気伝導
• 30p-Q-5 高移動度シリコン2次元電子系での金属・絶縁体転移と磁気抵抗
• 30p-Q-5 高移動度シリコン2次元電子系での金属・絶縁体転移と磁気抵抗
• 4a-J-10 量子ホール効果デバイスでの雑音測定II
• 4p-J-10 量子ホール効果デバイスでの雑音測定II
• 13a-DE-7 InGaAs/GaAs量子井戸における励起子の振動子強度
• 12a-DE-5 量子井戸における励起子-フォノン相互作用の井戸幅依存性
• 8a-N-3 非弾性散乱長の奇妙なソース・ドレイン電圧依存性
• 8a-N-2 量子ホール状態間遷移の試料形状依存性
• 8a-N-1 量子ホール状態における二次元電子系の位相干渉性
• 28p-R-9 強磁場二次元電子系の位相干渉性
• 30p-Q-15 量子ホール効果状態における遠赤外光伝導の時定数
• 8a-N-11 量子ホール効果デバイスからのサイクロトロン発光 : 空間分解測定
• 8a-N-11 量子ホール効果デバイスからのサイクロトロン発光:空間分解測定
• 28p-R-8 量子ホール効果状態における遠赤外光伝導信号の時間分解測定
• 28p-R-8 量子ホール効果状態における遠赤外光伝導信号の時間分解測定
• 量子ホール効果デバイスからのサイクロトロン発光II
• 量子ホール効果デバイスからのサイクロトロン発光II
• Si1-xGex/Si量子井戸の発光
• エッジ状態エネルギー分散関係の実験的探究
• 量子ホール効果状態におけるエッジ状態の位相干渉性
• 量子ホール効果状態間遷移領域における非弾性散乱長の絶対的決定
• 29a-R-5 半導体トンネル構造を用いた超格子ポテンシャル下の電子波干渉効果の研究

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク