30p-Q-15 量子ホール効果状態における遠赤外光伝導の時定数
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
3J2b-2 超音波による電気・磁気特性の画像化(映像法/非破壊検査)
-
19pYC-4 量子ホール電子系のテラヘルツ光子計数イメージングI(量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
13pYB-3 量子ホール系のサイクロトロン発光 II : フォトンカウンティング計測(量子ホール効果, 領域 4)
-
29pYG-12 量子ホール端状態による動的核スピン偏極の空間分布検出(量子ホール効果)(領域4)
-
21pTL-14 量子ホール素子における核スピン制御と高周波磁場分布解析
-
31aZP-3 量子ホール系端状態を用いた核スピンエコーの観測
-
24pD-7 強磁場中二次元電子系の位相干渉性
-
30p-Q-11 強磁場下クローン振動の遠赤外光応答
-
30p-Q-11 強磁場下クーロン振動の遠赤外光応答
-
8a-N-3 非弾性散乱長の奇妙なソース・ドレイン電圧依存性
-
8a-N-2 量子ホール状態間遷移の試料形状依存性
-
8a-N-1 量子ホール状態における二次元電子系の位相干渉性
-
7a-N-4 強磁場下量子ドットでのクーロン振動
-
7a-N-4 強磁場下量子ドットでのクローン振動
-
29a-R-12 量子ドットを使用した単一光子検出の可能性
-
28p-R-9 強磁場二次元電子系の位相干渉性
-
エッジ状態エネルギー分散関係の実験的探求
-
量子ホール効果状態におけるエッジ状態の位相干渉性
-
量子ホール効果状態間遷移領域における非弾性散乱長の絶対的決定
-
24aYT-4 光パルス励起による量子ホール系非平衡キャリアダイナミクスの観測II(量子ホール効果,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
-
23aL-7 量子ホール効果デバイスからのサイクロトロン発光 : 空間分解測定III
-
24pD-8 量子ホール効果状態における光励起キャリアの寿命測定
-
28a-ZB-10 量子ホール効果崩壊に伴う雑音の測定
-
26p-YG-15 量子ホール効果デバイスからのサイクロトロン発光 : 空間分解測定II
-
30p-Q-15 量子ホール効果状態における遠赤外光伝導の時定数
-
エッジ状態間散乱の温度、及び、磁場依存性
-
28p-X-6 エッジ状態間散乱の温度、及び、磁場依存性
-
29a-L-4 量子ホール効果状態における遠赤外域光伝導
-
29a-L-3 量子ホール効果降伏電流の異常な試料幅依存性
-
29a-L-4 量子ホール効果状態における遠赤外域光伝導
-
27pTC-7 量子ホール遷移における磁気抵抗揺らぎ
-
24aD-8 分数エッジチャネルにおける非平衡分布の観測
-
28a-ZB-9 磁気抵抗揺らぎによる量子ホール二次元電子系の位相干渉性の探求
-
28a-ZB-9 磁気抵抗揺らぎによる量子ホール二次元電子系の位相干渉性の探求
-
25aWR-7 量子ホール効果素子におけるテラヘルツ波の発生・伝搬・検出(25aWR 量子ホール効果,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
-
28a-ZB-10 量子ホール効果崩壊に伴う雑音の測定
-
26p-YG-15 量子ホール効果デバイスからのサイクロトロン発光 : 空間分解測定II
-
30p-Q-13 二次元電子系の遠赤外応答におけるゲート電極の効果(II)
-
30p-Q-13 二次元電子系の遠赤外応答におけるゲート電極の効果(II)
-
25pK-4 サブミリメーター波長域での単一光子検出 : サイクロトロン励起状態の寿命
-
30p-Q-12 二次元電子系の遠赤外応答におけるゲート電極の効果(I)
-
30p-Q-12 二次元電子系の遠赤外応答におけるゲート電極の効果(I)
-
8a-N-10 量子ホール効果デバイスによる超高感度遠赤外線検出
-
8a-N-10 量子ホール効果デバイスによる超高感度遠赤外線検出
-
17pYG-6 整数量子ホール効果Breakdown現象の距離発展
-
27pTC-6 臨界電流値が素子幅に比例しない量子ホール効果崩壊現象
-
30p-Q-2 量子ホール効果状態における電場の影響
-
30p-Q-2 量子ホール効果状態における電場の影響
-
28pーR-13 臨界電流値が試料幅にスケールしない量子ホール効果Breakdown現象
-
28p-R-11 量子ホール効果の熱的安定性
-
28p-R-13 臨界電流値が試料幅にスケールしない量子ホール効果Breakdown現象
-
28p-R-11 量子ホール効果の熱的安定性
-
ブーストラップ式電子加熱 : 量子ホール効果崩壊の可能な機構
-
QHE Breakdown臨界電流値以上で生じる非対称性
-
QHE Breakdown臨界電流値以上で生じる縦抵抗の指数関数的増大
-
ブーストラップ式電子加熱 : 量子ホール効果崩壊の可能な機構
-
QHB Breakdown臨界電流値以上で生じる非対称性
-
QHB Breakdown臨界電流値以上で生じる縦抵抗の指数関数的増大
-
3a-E-9 量子ホール効果Breakdown現象における顕著な非局所性II
-
量子ホール効果Breakdown現象における顕著な非局所性
-
3a-E-11 量子ホール効果デバイスにおける電流注入II
-
量子ホール効果デバイスにおける電流注入
-
28p-X-8 量子ホール効果デバイスにおける電流注入
-
4a-J-10 量子ホール効果デバイスでの雑音測定II
-
4p-J-10 量子ホール効果デバイスでの雑音測定II
-
26pTF-11 Electronic Properties of Gold Nanoparticle-Molecular Wire Networks
-
22aRC-7 金ナノ粒子・分子ワイヤネットワークの伝導特性(導電性高分子・分子デバイス,領域7,分子性固体・有機導体)
-
21aRJ-13 Spin correlated tunneling in Nano Particle Networks connected by Spin-polarized Molecular Wire
-
30pXC-1 Conducting Properties of Gold Nano Particle Networks connected by Molecular Wires
-
28p-R-12 ゲート付試料における量子ホール効果のブレークダウン
-
28p-R-12 ゲート付試料における量子ホール効果のブレークダウン
-
8a-N-3 非弾性散乱長の奇妙なソース・ドレイン電圧依存性
-
8a-N-2 量子ホール状態間遷移の試料形状依存性
-
8a-N-1 量子ホール状態における二次元電子系の位相干渉性
-
29a-R-12 量子ドットを使用した単一光子検出の可能性
-
28p-R-9 強磁場二次元電子系の位相干渉性
-
27pXB-4 量子ホール系端状態による核スピン偏極生成 : 囲い込みポテンシャル依存性(27pXB 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
19pYC-9 量子ホール系端状態で形成される核スピン偏極の減衰時間(量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
19pYC-8 量子ホール系端状態で形成される核スピン偏極の空間分布(量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
30p-Q-15 量子ホール効果状態における遠赤外光伝導の時定数
-
8a-N-11 量子ホール効果デバイスからのサイクロトロン発光 : 空間分解測定
-
6p-N-6 量子ホール効果素子からのサイクロトロン発光
-
8a-N-11 量子ホール効果デバイスからのサイクロトロン発光:空間分解測定
-
6p-N-6 量子ホール効果素子からのサイクロトロン発光
-
28p-R-8 量子ホール効果状態における遠赤外光伝導信号の時間分解測定
-
28p-R-8 量子ホール効果状態における遠赤外光伝導信号の時間分解測定
-
量子ホール効果デバイスからのサイクロトロン発光II
-
量子ホール効果デバイスからのサイクロトロン発光II
-
25aWR-8 エッジ状態間散乱に伴う光子の生成とそのオンチップ検出(25aWR 量子ホール効果,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
-
27aXB-6 量子ホール効果端状態の位相干渉性(27aXB 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
18pYH-5 分数エッジチャネルによる核磁気共鳴の観測
-
27pTB-12 半導体量子ドットの遠赤外応答とプラズマ振動
-
エッジ状態エネルギー分散関係の実験的探究
-
量子ホール効果状態におけるエッジ状態の位相干渉性
-
量子ホール効果状態間遷移領域における非弾性散乱長の絶対的決定
-
31a-YA-3 量子ホール効果状態における位相可干渉性の探求
-
3a-E-12 量子ホール効果デバイスからのサイクロトロン発光の測定
-
3a-E-10 量子ホール効果状態における遠赤外光伝導II
-
量子ホール効果状態における遠赤外線光応答
-
28a-X-2 量子ホール効果状態における遠赤外線光応答
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク