量子ホール効果状態における遠赤外線光応答
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
27a-J-8 K_3C単結晶の超伝導上部臨界磁場
-
磁場中有限超伝導ネットワークにおける境界の影響
-
29p-M-8 磁場中有限超伝導ネットワークにおける境界の影響
-
3J2b-2 超音波による電気・磁気特性の画像化(映像法/非破壊検査)
-
19pYC-4 量子ホール電子系のテラヘルツ光子計数イメージングI(量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
13pYB-3 量子ホール系のサイクロトロン発光 II : フォトンカウンティング計測(量子ホール効果, 領域 4)
-
29pYG-12 量子ホール端状態による動的核スピン偏極の空間分布検出(量子ホール効果)(領域4)
-
21pTL-14 量子ホール素子における核スピン制御と高周波磁場分布解析
-
31aZP-3 量子ホール系端状態を用いた核スピンエコーの観測
-
24pD-7 強磁場中二次元電子系の位相干渉性
-
30p-Q-11 強磁場下クローン振動の遠赤外光応答
-
30p-Q-11 強磁場下クーロン振動の遠赤外光応答
-
8a-N-3 非弾性散乱長の奇妙なソース・ドレイン電圧依存性
-
8a-N-2 量子ホール状態間遷移の試料形状依存性
-
8a-N-1 量子ホール状態における二次元電子系の位相干渉性
-
7a-N-4 強磁場下量子ドットでのクーロン振動
-
7a-N-4 強磁場下量子ドットでのクローン振動
-
29a-R-12 量子ドットを使用した単一光子検出の可能性
-
28p-R-9 強磁場二次元電子系の位相干渉性
-
エッジ状態エネルギー分散関係の実験的探求
-
量子ホール効果状態におけるエッジ状態の位相干渉性
-
量子ホール効果状態間遷移領域における非弾性散乱長の絶対的決定
-
24aYT-4 光パルス励起による量子ホール系非平衡キャリアダイナミクスの観測II(量子ホール効果,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
-
23aL-7 量子ホール効果デバイスからのサイクロトロン発光 : 空間分解測定III
-
24pD-8 量子ホール効果状態における光励起キャリアの寿命測定
-
28a-ZB-10 量子ホール効果崩壊に伴う雑音の測定
-
26p-YG-15 量子ホール効果デバイスからのサイクロトロン発光 : 空間分解測定II
-
30p-Q-15 量子ホール効果状態における遠赤外光伝導の時定数
-
28a-ZB-3 量子ホール状態下の半導体超格子端面におけるカイラル表面状態の電気伝導特性II
-
28a-ZB-3 量子ホール状態下の半導体超格子端面におけるカイラル表面状態の電気伝導特性II
-
26a-YG-4 量子ホール状態下の半導体超格子端面におけるカイラル表面状態の電気伝導特性
-
エッジ状態間散乱の温度、及び、磁場依存性
-
28p-X-6 エッジ状態間散乱の温度、及び、磁場依存性
-
29a-L-4 量子ホール効果状態における遠赤外域光伝導
-
29a-L-3 量子ホール効果降伏電流の異常な試料幅依存性
-
29a-L-4 量子ホール効果状態における遠赤外域光伝導
-
13a-K-1 二次元電子系への歪による周期ポテンシャルの導入とワイス振動の観測
-
13a-K-1 二次元電子系への歪による周期ポテンシャルの導入とワイス振動の観測
-
27pTC-7 量子ホール遷移における磁気抵抗揺らぎ
-
24aD-8 分数エッジチャネルにおける非平衡分布の観測
-
28a-ZB-9 磁気抵抗揺らぎによる量子ホール二次元電子系の位相干渉性の探求
-
28a-ZB-9 磁気抵抗揺らぎによる量子ホール二次元電子系の位相干渉性の探求
-
25aWR-7 量子ホール効果素子におけるテラヘルツ波の発生・伝搬・検出(25aWR 量子ホール効果,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
-
28a-YK-11 単結晶にドープしたK_3C_の超伝導上部臨界磁場
-
28a-ZB-10 量子ホール効果崩壊に伴う雑音の測定
-
26p-YG-15 量子ホール効果デバイスからのサイクロトロン発光 : 空間分解測定II
-
30p-Q-13 二次元電子系の遠赤外応答におけるゲート電極の効果(II)
-
30p-Q-13 二次元電子系の遠赤外応答におけるゲート電極の効果(II)
-
25pK-4 サブミリメーター波長域での単一光子検出 : サイクロトロン励起状態の寿命
-
29a-C-2 擬2次元フェルミ面における小閉軌道効果
-
1a-C-12 α-(BEDT-TTF)_2KHg(SCN)_4の圧力下磁気抵抗と構造
-
2p-G-1 磁場中の異方的2次元近接効果接合配列における電気抵抗の電流方向依存性
-
30p-Q-12 二次元電子系の遠赤外応答におけるゲート電極の効果(I)
-
30p-Q-12 二次元電子系の遠赤外応答におけるゲート電極の効果(I)
-
8a-N-10 量子ホール効果デバイスによる超高感度遠赤外線検出
-
8a-N-10 量子ホール効果デバイスによる超高感度遠赤外線検出
-
17pYG-6 整数量子ホール効果Breakdown現象の距離発展
-
27pTC-6 臨界電流値が素子幅に比例しない量子ホール効果崩壊現象
-
30p-Q-2 量子ホール効果状態における電場の影響
-
30p-Q-2 量子ホール効果状態における電場の影響
-
28pーR-13 臨界電流値が試料幅にスケールしない量子ホール効果Breakdown現象
-
28p-R-11 量子ホール効果の熱的安定性
-
28p-R-13 臨界電流値が試料幅にスケールしない量子ホール効果Breakdown現象
-
28p-R-11 量子ホール効果の熱的安定性
-
ブーストラップ式電子加熱 : 量子ホール効果崩壊の可能な機構
-
QHE Breakdown臨界電流値以上で生じる非対称性
-
QHE Breakdown臨界電流値以上で生じる縦抵抗の指数関数的増大
-
ブーストラップ式電子加熱 : 量子ホール効果崩壊の可能な機構
-
QHB Breakdown臨界電流値以上で生じる非対称性
-
QHB Breakdown臨界電流値以上で生じる縦抵抗の指数関数的増大
-
3a-E-9 量子ホール効果Breakdown現象における顕著な非局所性II
-
量子ホール効果Breakdown現象における顕著な非局所性
-
28p-X-4 量子ホール効果Breakdown現象における顕著な非局所性
-
31a-D-10 低次元伝導体(TMTSF)_2CIO_4の高圧相における磁気量子振動
-
4p-S-4 (TMTSF)_2CIO_4の高圧相における磁気量子振動
-
28p-YJ-14 (TMTSF)_2ClO_4の正常相における小周期振動 II
-
1a-C-2 (TMTSF)_2ClO_4の正常相における小周期振動
-
1a-C-1 (TMTSF)_2ClO_4における傾斜磁場下の磁場誘起スピン密度波転移
-
28p-K-7 α-(BEDT-TTF)_2KHg(SCN)_4の圧力下強磁場磁気抵抗
-
8a-X-4 異方性のある2次元近接効果接合配列の磁場中超伝導状態
-
3a-E-11 量子ホール効果デバイスにおける電流注入II
-
量子ホール効果デバイスにおける電流注入
-
量子ホール効果デバイスからのサイクロトロン発光II
-
量子ホール効果デバイスからのサイクロトロン発光II
-
29a-R-5 半導体トンネル構造を用いた超格子ポテンシャル下の電子波干渉効果の研究
-
29a-R-5 半導体トンネル構造を用いた超格子ポテンシャル下の電子波干渉効果の研究
-
wide-well二重障壁共鳴トンネルダイオードにおけるvirtual state resonance
-
3a-E-12 量子ホール効果デバイスからのサイクロトロン発光の測定
-
3a-E-10 量子ホール効果状態における遠赤外光伝導II
-
量子ホール効果状態における遠赤外線光応答
-
28a-X-2 量子ホール効果状態における遠赤外線光応答
-
28a-J-13 (DMe-DCNQI)_2Cuの圧力下磁気抵抗II
-
28p-M-7 薄膜端面を利用した微小トンネル接合の作製と電気特性
-
-
31p-N-11 ストレッサが2次元電子ガスに及ぼすポテンシャル形状のワイス振動による研究
-
31p-N-11 ストレッサが2次元電子ガスに及ぼすポテンシャル形状のワイス振動による研究
-
3a-E-10 量子ホール効果状態における遠赤外光伝導II(3aE 半導体,低温合同(メゾスコピック,量子ホール効果),低温)
-
3a-E-12 量子ホール効果デバイスからのサイクロトロン発光の測定(3aE 半導体,低温合同(メゾスコピック,量子ホール効果),低温)
-
3a-E-11 量子ホール効果デバイスにおける電流注入II(3aE 半導体,低温合同(メゾスコピック,量子ホール効果),低温)
-
3a-E-9 量子ホール効果Breakdown現象における顕著な非局所性II(3aE 半導体,低温合同(メゾスコピック,量子ホール効果),低温)
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク