磁場中有限超伝導ネットワークにおける境界の影響
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
27a-J-8 K_3C単結晶の超伝導上部臨界磁場
-
磁場中有限超伝導ネットワークにおける境界の影響
-
29p-M-8 磁場中有限超伝導ネットワークにおける境界の影響
-
28a-ZB-3 量子ホール状態下の半導体超格子端面におけるカイラル表面状態の電気伝導特性II
-
28a-ZB-3 量子ホール状態下の半導体超格子端面におけるカイラル表面状態の電気伝導特性II
-
26a-YG-4 量子ホール状態下の半導体超格子端面におけるカイラル表面状態の電気伝導特性
-
エッジ状態間散乱の温度、及び、磁場依存性
-
28p-X-6 エッジ状態間散乱の温度、及び、磁場依存性
-
13a-K-1 二次元電子系への歪による周期ポテンシャルの導入とワイス振動の観測
-
13a-K-1 二次元電子系への歪による周期ポテンシャルの導入とワイス振動の観測
-
28a-YK-11 単結晶にドープしたK_3C_の超伝導上部臨界磁場
-
29a-C-2 擬2次元フェルミ面における小閉軌道効果
-
1a-C-12 α-(BEDT-TTF)_2KHg(SCN)_4の圧力下磁気抵抗と構造
-
2p-G-1 磁場中の異方的2次元近接効果接合配列における電気抵抗の電流方向依存性
-
28pーR-13 臨界電流値が試料幅にスケールしない量子ホール効果Breakdown現象
-
28p-R-13 臨界電流値が試料幅にスケールしない量子ホール効果Breakdown現象
-
QHE Breakdown臨界電流値以上で生じる非対称性
-
QHE Breakdown臨界電流値以上で生じる縦抵抗の指数関数的増大
-
QHB Breakdown臨界電流値以上で生じる非対称性
-
QHB Breakdown臨界電流値以上で生じる縦抵抗の指数関数的増大
-
3a-E-9 量子ホール効果Breakdown現象における顕著な非局所性II
-
量子ホール効果Breakdown現象における顕著な非局所性
-
28p-X-4 量子ホール効果Breakdown現象における顕著な非局所性
-
31a-D-10 低次元伝導体(TMTSF)_2CIO_4の高圧相における磁気量子振動
-
4p-S-4 (TMTSF)_2CIO_4の高圧相における磁気量子振動
-
28p-YJ-14 (TMTSF)_2ClO_4の正常相における小周期振動 II
-
1a-C-2 (TMTSF)_2ClO_4の正常相における小周期振動
-
1a-C-1 (TMTSF)_2ClO_4における傾斜磁場下の磁場誘起スピン密度波転移
-
28p-K-7 α-(BEDT-TTF)_2KHg(SCN)_4の圧力下強磁場磁気抵抗
-
8a-X-4 異方性のある2次元近接効果接合配列の磁場中超伝導状態
-
3a-E-11 量子ホール効果デバイスにおける電流注入II
-
量子ホール効果デバイスからのサイクロトロン発光II
-
量子ホール効果デバイスからのサイクロトロン発光II
-
29a-R-5 半導体トンネル構造を用いた超格子ポテンシャル下の電子波干渉効果の研究
-
29a-R-5 半導体トンネル構造を用いた超格子ポテンシャル下の電子波干渉効果の研究
-
wide-well二重障壁共鳴トンネルダイオードにおけるvirtual state resonance
-
3a-E-12 量子ホール効果デバイスからのサイクロトロン発光の測定
-
3a-E-10 量子ホール効果状態における遠赤外光伝導II
-
量子ホール効果状態における遠赤外線光応答
-
28a-X-2 量子ホール効果状態における遠赤外線光応答
-
28a-J-13 (DMe-DCNQI)_2Cuの圧力下磁気抵抗II
-
28p-M-7 薄膜端面を利用した微小トンネル接合の作製と電気特性
-
-
31p-N-11 ストレッサが2次元電子ガスに及ぼすポテンシャル形状のワイス振動による研究
-
31p-N-11 ストレッサが2次元電子ガスに及ぼすポテンシャル形状のワイス振動による研究
-
3a-E-10 量子ホール効果状態における遠赤外光伝導II(3aE 半導体,低温合同(メゾスコピック,量子ホール効果),低温)
-
3a-E-12 量子ホール効果デバイスからのサイクロトロン発光の測定(3aE 半導体,低温合同(メゾスコピック,量子ホール効果),低温)
-
3a-E-11 量子ホール効果デバイスにおける電流注入II(3aE 半導体,低温合同(メゾスコピック,量子ホール効果),低温)
-
3a-E-9 量子ホール効果Breakdown現象における顕著な非局所性II(3aE 半導体,低温合同(メゾスコピック,量子ホール効果),低温)
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク