小宮山 進 | 東大院総合文化

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概要

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関連著者

• 小宮山 進

  東大院総合文化

• 小宮山 進

  東大院総合

• 白木 靖寛

  都市大総研

• 白木 靖寛

  東大先端研

• 平井 宏

  東大院総合

• 小宮山 進

  東大教養

• 川口 康

  科学技術振興事業団

• 長田 俊人

  東大先端研

• 河野 行雄

  理研:jstさきがけ

• 河野 行雄

  東大院総合

• 小宮山 進

  東大総合文化

• 町田 友樹

  東大院総合

• 小林 直樹

  東大院理

• 平井 宏

  東大教養

• 小宮山 進

  東京大学総合文化研究科

• 小林 直樹

  東大院総合, JST

• 川口 康

  東大院総合

• 生嶋 健司

  東京農工大工

• 久永 幸博

  東大院総合

• 町田 友樹

  東大教養

• 豊島 秀雄

  日電マイクロエレ研

• 谷林 慧

  東大工

• 谷林 慧

  京大工

• 生嶋 健司

  東大院総合

• 深津 晋

  東大・教養

• 平川 一彦

  Jst-crest:東大生研:東大ナノ量子機構

• 沢田 達男

  東大院総合

• 上田 剛慈

  東大院総合文化

• 町田 友樹

  科学技術振興機構さきがけ

• 小宮山 進

  東京大学大学院総合文化研究科

• 深津 晋

  東大先端研

• 阪本 利司

  日本電気(株)デバイスプラットフォーム研究所

• 阪本 利司

  NEC基礎・環境研究所

• 松下 未知雄

  東大院総合:名大院理

• 石塚 進

  東大院総合

• 伊藤 良一

  東大先端研

• 菅原 正

  東京大学

• 川口 康

  東大生産研

• 阪本 利司

  日本電気(株)基礎・環境研究所

• 谷林 慧

  東大院総合

• 平川 一彦

  東京大

• 源 将

  Univ. of Tokyo

• ニッケルス パトリック

  Univ. Of Tokyo

• 町田 友樹

  科学技術振興事業団:東大院総合

• 村木 康二

  NTT物性基礎研

• 小林 泰子

  東京大学総合文化研究科

• 山崎 智幸

  東京大学大学院総合文化研究科

• 山崎 智幸

  東大院総合

• 小宮山 進

  科学技術振興事業団

• 徳重 貴久

  東大院総合

• 矢野 直佳

  東大院総合

• 小林 泰子

  東大院総合文化

• 平川 一彦

  東大生研

• 平山 祥郎

  NTT物性基礎研

• 平川 一彦

  東大生産研

• 坪井 理広

  東大院総合

• 町田 友樹

  科技団さきがけ

• 佐々 誠彦

  大阪工業大学

• 鄭 宗煥

  東大院総合

• 冷水 佐壽

  富士通研究所

• 佐々 誠彦

  富士通研究所

• 中川 一彦

  東京大学生産技術研究所

• 竹ノ内 弘和

  東大教養

• 尾上 秀平

  東大教養

• 生嶋 健司

  農工大院工

• 國谷 幸佑

  農工大院工

• Astafiev Oleg.v.

  科学技術振興事業団

• 久津輪 武史

  東京大学大学院 総合文化研究科

• 久津輪 武史

  東大院総合

• 小宮山 進

  東大・院・総合

• 川口 康

  東大・院・総合

• 谷林 慧

  東大・院・総合

• 小林 直樹

  東大教養

• 徳重 貴久

  東大教養

• 矢野 直佳

  東大教養

• 白木 靖寛

  RCAST

• 長田 俊人

  RCAST

• 坪井 理広

  東大院総合文化

• 久永 幸博

  東大教養

• 岡本 徹

  東大理

• 町田 友樹

  東大生産研

• 生嶋 健司

  東京農工大学

• 樋田 啓

  東大院総合文化

• 小宮山 進

  東大総文

• 長谷川 琢真

  東大総合文化

• 佐久間 寿人

  東京大学総合文化研究科

• 長谷川 琢真

  東大院総合文化

• 吉村 育大

  東大院総合文化

• 佐久間 寿人

  東大院総合文化

• 町田 友樹

  JSTさきがけ

• 阪本 利司

  Necデバイスプラットフォーム研究所

• 河野 行雄

  東大理

• 高瀬 恵子

  東大理

• Astafiev Oleg

  東京大学大学院総合文化研究科

• 深津 晋

  日電マイクロエレ研

• 白木 靖寛

  日電マイクロエレ研

• 伊藤 良一

  日電マイクロエレ研

• 林 文男

  東大教養

• 平山 祥郎

  科学技術振興事業団

• 大野 奈津美

  農工大院工

• Astafiev Oleg

  科学技術振興事業団

• ASTAFIEV Oleg.V

  科学技術振興事業団

• Astafiev Oleg

  科技団

• Antonov Vladimir

  科技団

• 阪本 利司

  Nec 基礎・環境研

• 小宮山 進

  JST (CREST)

• 川口 康

  東京大学大学院総合文化研究科

• 川口 康

  東大教養

• Nickels Patrick

  Univ. of Tokyo

• 松下 未知雄

  Univ. of Tokyo

• 菅原 正

  Univ. of Tokyo

• 小宮山 進

  Univ. of Tokyo

• ニッケルス パトリック

  東大総文

• 松下 未知雄

  東大総文

• 源 将

  東大総文

• 菅原 正

  東大総文

• Nickels Patrick

  Dept. of Basic Science, Grad. Shool of Arts and Sci. Univ. of Tokyo

• 松下 未知雄

  Dept. of Basic Science, Grad. Shool of Arts and Sci. Univ. of Tokyo

• 源 将

  Dept. of Basic Science, Grad. Shool of Arts and Sci. Univ. of Tokyo

• 菅原 正

  Dept. of Basic Science, Grad. Shool of Arts and Sci. Univ. of Tokyo

• 小宮山 進

  Dept. of Basic Science, Grad. Shool of Arts and Sci. Univ. of Tokyo

• Nickels Patrick

  東大総合文化

• 松下 未知雄

  東大総合文化

• 源 将

  東大総合文化

• 菅原 正

  東大総合文化

• 中島 峻

  東京大学総合文化研究科

• 高瀬 恵子

  Ntt物性科学基礎研究所

• Astafiev O.

  Japan Soience And Technology Corporation

• 樋田 啓

  東大総合文化

• 中島 峻

  東大院総合文化

• 高瀬 恵子

  Ntt物性基礎研

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著作論文

• 3J2b-2 超音波による電気・磁気特性の画像化(映像法/非破壊検査)
• 19pYC-4 量子ホール電子系のテラヘルツ光子計数イメージングI(量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 13pYB-3 量子ホール系のサイクロトロン発光 II : フォトンカウンティング計測(量子ホール効果, 領域 4)
• 29pYG-12 量子ホール端状態による動的核スピン偏極の空間分布検出(量子ホール効果)(領域4)
• 21pTL-14 量子ホール素子における核スピン制御と高周波磁場分布解析
• 31aZP-3 量子ホール系端状態を用いた核スピンエコーの観測
• 24pD-7 強磁場中二次元電子系の位相干渉性
• 30p-Q-11 強磁場下クローン振動の遠赤外光応答
• 30p-Q-11 強磁場下クーロン振動の遠赤外光応答
• 8a-N-3 非弾性散乱長の奇妙なソース・ドレイン電圧依存性
• 8a-N-2 量子ホール状態間遷移の試料形状依存性
• 8a-N-1 量子ホール状態における二次元電子系の位相干渉性
• 7a-N-4 強磁場下量子ドットでのクーロン振動
• 7a-N-4 強磁場下量子ドットでのクローン振動
• 29a-R-12 量子ドットを使用した単一光子検出の可能性
• 28p-R-9 強磁場二次元電子系の位相干渉性
• エッジ状態エネルギー分散関係の実験的探求
• 量子ホール効果状態におけるエッジ状態の位相干渉性
• 量子ホール効果状態間遷移領域における非弾性散乱長の絶対的決定
• 24aYT-4 光パルス励起による量子ホール系非平衡キャリアダイナミクスの観測II(量子ホール効果,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
• 23aL-7 量子ホール効果デバイスからのサイクロトロン発光 : 空間分解測定III
• 24pD-8 量子ホール効果状態における光励起キャリアの寿命測定
• 28a-ZB-10 量子ホール効果崩壊に伴う雑音の測定
• 26p-YG-15 量子ホール効果デバイスからのサイクロトロン発光 : 空間分解測定II
• 30p-Q-15 量子ホール効果状態における遠赤外光伝導の時定数
• エッジ状態間散乱の温度、及び、磁場依存性
• 28p-X-6 エッジ状態間散乱の温度、及び、磁場依存性
• 29a-L-4 量子ホール効果状態における遠赤外域光伝導
• 29a-L-3 量子ホール効果降伏電流の異常な試料幅依存性
• 29a-L-4 量子ホール効果状態における遠赤外域光伝導
• 27pTC-7 量子ホール遷移における磁気抵抗揺らぎ
• 24aD-8 分数エッジチャネルにおける非平衡分布の観測
• 28a-ZB-9 磁気抵抗揺らぎによる量子ホール二次元電子系の位相干渉性の探求
• 28a-ZB-9 磁気抵抗揺らぎによる量子ホール二次元電子系の位相干渉性の探求
• 25aWR-7 量子ホール効果素子におけるテラヘルツ波の発生・伝搬・検出(25aWR 量子ホール効果,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
• 28a-ZB-10 量子ホール効果崩壊に伴う雑音の測定
• 26p-YG-15 量子ホール効果デバイスからのサイクロトロン発光 : 空間分解測定II
• 30p-Q-13 二次元電子系の遠赤外応答におけるゲート電極の効果(II)
• 30p-Q-13 二次元電子系の遠赤外応答におけるゲート電極の効果(II)
• 25pK-4 サブミリメーター波長域での単一光子検出 : サイクロトロン励起状態の寿命
• 30p-Q-12 二次元電子系の遠赤外応答におけるゲート電極の効果(I)
• 30p-Q-12 二次元電子系の遠赤外応答におけるゲート電極の効果(I)
• 8a-N-10 量子ホール効果デバイスによる超高感度遠赤外線検出
• 8a-N-10 量子ホール効果デバイスによる超高感度遠赤外線検出
• 17pYG-6 整数量子ホール効果Breakdown現象の距離発展
• 27pTC-6 臨界電流値が素子幅に比例しない量子ホール効果崩壊現象
• 30p-Q-2 量子ホール効果状態における電場の影響
• 30p-Q-2 量子ホール効果状態における電場の影響
• 28pーR-13 臨界電流値が試料幅にスケールしない量子ホール効果Breakdown現象
• 28p-R-11 量子ホール効果の熱的安定性
• 28p-R-13 臨界電流値が試料幅にスケールしない量子ホール効果Breakdown現象
• 28p-R-11 量子ホール効果の熱的安定性
• ブーストラップ式電子加熱 : 量子ホール効果崩壊の可能な機構
• QHE Breakdown臨界電流値以上で生じる非対称性
• QHE Breakdown臨界電流値以上で生じる縦抵抗の指数関数的増大
• ブーストラップ式電子加熱 : 量子ホール効果崩壊の可能な機構
• QHB Breakdown臨界電流値以上で生じる非対称性
• QHB Breakdown臨界電流値以上で生じる縦抵抗の指数関数的増大
• 3a-E-9 量子ホール効果Breakdown現象における顕著な非局所性II
• 量子ホール効果Breakdown現象における顕著な非局所性
• 3a-E-11 量子ホール効果デバイスにおける電流注入II
• 量子ホール効果デバイスにおける電流注入
• 28p-X-8 量子ホール効果デバイスにおける電流注入
• 4a-J-10 量子ホール効果デバイスでの雑音測定II
• 4p-J-10 量子ホール効果デバイスでの雑音測定II
• 26pTF-11 Electronic Properties of Gold Nanoparticle-Molecular Wire Networks
• 22aRC-7 金ナノ粒子・分子ワイヤネットワークの伝導特性(導電性高分子・分子デバイス,領域7,分子性固体・有機導体)
• 21aRJ-13 Spin correlated tunneling in Nano Particle Networks connected by Spin-polarized Molecular Wire
• 30pXC-1 Conducting Properties of Gold Nano Particle Networks connected by Molecular Wires
• 28p-R-12 ゲート付試料における量子ホール効果のブレークダウン
• 28p-R-12 ゲート付試料における量子ホール効果のブレークダウン
• 8a-N-3 非弾性散乱長の奇妙なソース・ドレイン電圧依存性
• 8a-N-2 量子ホール状態間遷移の試料形状依存性
• 8a-N-1 量子ホール状態における二次元電子系の位相干渉性
• 29a-R-12 量子ドットを使用した単一光子検出の可能性
• 28p-R-9 強磁場二次元電子系の位相干渉性
• 27pXB-4 量子ホール系端状態による核スピン偏極生成 : 囲い込みポテンシャル依存性(27pXB 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 19pYC-9 量子ホール系端状態で形成される核スピン偏極の減衰時間(量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 19pYC-8 量子ホール系端状態で形成される核スピン偏極の空間分布(量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 30p-Q-15 量子ホール効果状態における遠赤外光伝導の時定数
• 8a-N-11 量子ホール効果デバイスからのサイクロトロン発光 : 空間分解測定
• 6p-N-6 量子ホール効果素子からのサイクロトロン発光
• 8a-N-11 量子ホール効果デバイスからのサイクロトロン発光:空間分解測定
• 6p-N-6 量子ホール効果素子からのサイクロトロン発光
• 28p-R-8 量子ホール効果状態における遠赤外光伝導信号の時間分解測定
• 28p-R-8 量子ホール効果状態における遠赤外光伝導信号の時間分解測定
• 量子ホール効果デバイスからのサイクロトロン発光II
• 量子ホール効果デバイスからのサイクロトロン発光II
• 25aWR-8 エッジ状態間散乱に伴う光子の生成とそのオンチップ検出(25aWR 量子ホール効果,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
• 27aXB-6 量子ホール効果端状態の位相干渉性(27aXB 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 18pYH-5 分数エッジチャネルによる核磁気共鳴の観測
• 27pTB-12 半導体量子ドットの遠赤外応答とプラズマ振動
• エッジ状態エネルギー分散関係の実験的探究
• 量子ホール効果状態におけるエッジ状態の位相干渉性
• 量子ホール効果状態間遷移領域における非弾性散乱長の絶対的決定
• 31a-YA-3 量子ホール効果状態における位相可干渉性の探求
• 3a-E-12 量子ホール効果デバイスからのサイクロトロン発光の測定
• 3a-E-10 量子ホール効果状態における遠赤外光伝導II
• 量子ホール効果状態における遠赤外線光応答
• 28a-X-2 量子ホール効果状態における遠赤外線光応答
• エッジ状態と量子ホール効果
• 29p-Y-5 エッジ状態と量子ホール効果
• 28p-X-5 磁場中の2つの伝導電流

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