小宮山 進 | 東大院総合
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概要
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小宮山 進
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小宮山 進
東大院総合:科学技術振興事業団
著作論文
- 3J2b-2 超音波による電気・磁気特性の画像化(映像法/非破壊検査)
- 19pYC-4 量子ホール電子系のテラヘルツ光子計数イメージングI(量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 13pYB-3 量子ホール系のサイクロトロン発光 II : フォトンカウンティング計測(量子ホール効果, 領域 4)
- 29pYG-12 量子ホール端状態による動的核スピン偏極の空間分布検出(量子ホール効果)(領域4)
- 21pTL-14 量子ホール素子における核スピン制御と高周波磁場分布解析
- 31aZP-3 量子ホール系端状態を用いた核スピンエコーの観測
- 24pD-7 強磁場中二次元電子系の位相干渉性
- 30p-Q-11 強磁場下クローン振動の遠赤外光応答
- 30p-Q-11 強磁場下クーロン振動の遠赤外光応答
- 8a-N-3 非弾性散乱長の奇妙なソース・ドレイン電圧依存性
- 8a-N-2 量子ホール状態間遷移の試料形状依存性
- 8a-N-1 量子ホール状態における二次元電子系の位相干渉性
- 7a-N-4 強磁場下量子ドットでのクーロン振動
- 7a-N-4 強磁場下量子ドットでのクローン振動
- 29a-R-12 量子ドットを使用した単一光子検出の可能性
- 28p-R-9 強磁場二次元電子系の位相干渉性
- 24aYT-4 光パルス励起による量子ホール系非平衡キャリアダイナミクスの観測II(量子ホール効果,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 23aL-7 量子ホール効果デバイスからのサイクロトロン発光 : 空間分解測定III
- 24pD-8 量子ホール効果状態における光励起キャリアの寿命測定
- 28a-ZB-10 量子ホール効果崩壊に伴う雑音の測定
- 30p-Q-15 量子ホール効果状態における遠赤外光伝導の時定数
- 27pTC-7 量子ホール遷移における磁気抵抗揺らぎ
- 24aD-8 分数エッジチャネルにおける非平衡分布の観測
- 25aWR-7 量子ホール効果素子におけるテラヘルツ波の発生・伝搬・検出(25aWR 量子ホール効果,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 28a-ZB-10 量子ホール効果崩壊に伴う雑音の測定
- 30p-Q-13 二次元電子系の遠赤外応答におけるゲート電極の効果(II)
- 25pK-4 サブミリメーター波長域での単一光子検出 : サイクロトロン励起状態の寿命
- 8a-N-10 量子ホール効果デバイスによる超高感度遠赤外線検出
- 8a-N-10 量子ホール効果デバイスによる超高感度遠赤外線検出
- 30p-Q-2 量子ホール効果状態における電場の影響
- 30p-Q-2 量子ホール効果状態における電場の影響
- 3a-E-11 量子ホール効果デバイスにおける電流注入II
- 28p-R-12 ゲート付試料における量子ホール効果のブレークダウン
- 28p-R-12 ゲート付試料における量子ホール効果のブレークダウン
- 8a-N-3 非弾性散乱長の奇妙なソース・ドレイン電圧依存性
- 8a-N-2 量子ホール状態間遷移の試料形状依存性
- 8a-N-1 量子ホール状態における二次元電子系の位相干渉性
- 29a-R-12 量子ドットを使用した単一光子検出の可能性
- 28p-R-9 強磁場二次元電子系の位相干渉性
- 27pXB-4 量子ホール系端状態による核スピン偏極生成 : 囲い込みポテンシャル依存性(27pXB 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 19pYC-9 量子ホール系端状態で形成される核スピン偏極の減衰時間(量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 19pYC-8 量子ホール系端状態で形成される核スピン偏極の空間分布(量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 30p-Q-15 量子ホール効果状態における遠赤外光伝導の時定数
- 8a-N-11 量子ホール効果デバイスからのサイクロトロン発光 : 空間分解測定
- 8a-N-11 量子ホール効果デバイスからのサイクロトロン発光:空間分解測定
- 28p-R-8 量子ホール効果状態における遠赤外光伝導信号の時間分解測定
- 28p-R-8 量子ホール効果状態における遠赤外光伝導信号の時間分解測定
- 量子ホール効果デバイスからのサイクロトロン発光II
- 量子ホール効果デバイスからのサイクロトロン発光II
- 25aWR-8 エッジ状態間散乱に伴う光子の生成とそのオンチップ検出(25aWR 量子ホール効果,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 27aXB-6 量子ホール効果端状態の位相干渉性(27aXB 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 18pYH-5 分数エッジチャネルによる核磁気共鳴の観測
- 27pTB-12 半導体量子ドットの遠赤外応答とプラズマ振動
- 3a-E-12 量子ホール効果デバイスからのサイクロトロン発光の測定
- 3a-E-10 量子ホール効果状態における遠赤外光伝導II
- 8pSB-7 量子ホール系端状態によるコヒーレントな核スピン制御(主題:半導体量子構造のスピン状態と量子伝導,合同シンポジウム,領域4,領域3,領域5,領域4)
- 8pSB-7 量子ホール系端状態によるコヒーレントな核スピン制御(半導体量子構造のスピン状態と量子伝導,領域4,領域3,領域5合同シンポジウム,領域3)
- 24aSA-6 エッジチャネルを用いた核スピンの局所的な検出(I)(24aSA 量子ホール効果(ストライプ,エッジ),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))
- 3a-E-10 量子ホール効果状態における遠赤外光伝導II(3aE 半導体,低温合同(メゾスコピック,量子ホール効果),低温)
- 3a-E-12 量子ホール効果デバイスからのサイクロトロン発光の測定(3aE 半導体,低温合同(メゾスコピック,量子ホール効果),低温)
- 3a-E-11 量子ホール効果デバイスにおける電流注入II(3aE 半導体,低温合同(メゾスコピック,量子ホール効果),低温)