佐々 誠彦 | 富士通研究所
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概要
関連著者
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佐々 誠彦
大阪工業大学
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佐々 誠彦
富士通研究所
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小宮山 進
東大教養
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佐々 誠彦
富士通厚木研
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藤井 俊夫
富士通研究所
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藤井 俊夫
(株)富士通研究所
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平井 宏
東大教養
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平井 宏
東大院総合
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藤井 俊夫
富士通厚木研
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冷水 佐寿
富士通研
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冷水 佐寿
富士通厚木研
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高増 正
東大教養
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松田 祐司
東大教養
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小宮山 進
東大院総合文化
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冷水 佐壽
富士通研究所
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谷林 慧
東大院総合
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谷林 慧
東大工
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小宮山 進
東大院総合
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谷林 慧
京大工
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上田 修
(株)富士通研究所
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上田 修
株)富士通研究所
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上田 修
富士通研究所・材料技術研究所
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川野 明弘
富士通研究所
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高橋 剛
富士通研究所
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今西 健治
富士通研究所
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富岡 健
富士通研究所
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新居 英明
東大教養
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富岡 健
株式会社富士通研究所
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佐々木 誠彦
富士通厚木研
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大沢 基
東大教養
著作論文
- C ドープ InGaP/GaAs HBTの信頼性
- 26p-P-12 ポテンシャル障壁による分布反転生成と非線形伝導
- 強磁場下2次元電子系のエッジ状態間の散乱(I)
- 強磁場下2次元電子系のエッヂ状態間の散乱(II)
- 31a-Z-3 エッチ非平衡分布のフォノン自然放出による緩和
- 4a-C-13 エッジ非平衡分布の温度依存性
- 4a-C-12 エッヂ非平衡分布存在下での実験結果の解析
- 4a-C-4 2次元電子系の電荷密度不均一による線形磁気抵抗
- 6a-A2-5 整数量子ホール効果における電気伝導特性 : フィリングファクター変化の影響
- 3p-F-11 量子ホール効果に対する有限電場の効果 IV
- 3p-A-10 量子ホール効果に対する有限電場の効果II
- 3p-A-9 量子ホール効果に対する有限電場の効果I
- 28p-R-12 ゲート付試料における量子ホール効果のブレークダウン
- 28p-R-12 ゲート付試料における量子ホール効果のブレークダウン
- 6a-A2-6 微細ゲートを持つAlGaAs-GaAsヘテロ構造素子における量子ホール効果II