高増 正 | 東大教養

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概要

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• 高増 正

  東大教養

• 小宮山 進

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• 冷水 佐寿

  富士通厚木研

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  富士通厚木研

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著作論文

• 4a-C-7 Si-MOSFETにおける量子ホール効果状態のbreakdown現象
• 6a-A2-5 整数量子ホール効果における電気伝導特性 : フィリングファクター変化の影響
• 3p-F-11 量子ホール効果に対する有限電場の効果 IV
• 3p-A-10 量子ホール効果に対する有限電場の効果II
• 3p-A-9 量子ホール効果に対する有限電場の効果I
• 2p-L1-7 整数量子ホール効果における負微分伝導(半導体,(表面・界面・超格子))
• 30a-FC-3 強磁場下の二次元電流不安定性(30a FC 半導体(表面・界面・超格子・MOS))
• 28p-G-2 整数量子ホール効果状態のbreakdown現象 : 試料依存性(28pG 半導体(量子ホール効果,超格子))
• 1p-D2-2 量子ホール効果に対する有限電場の効果III(1p D2 半導体(表面界面・超格子・MOS・擬一次元・磁性半導体),半導体)

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