佐々 誠彦 | 富士通厚木研
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概要
関連著者
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小宮山 進
東大教養
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佐々 誠彦
富士通厚木研
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佐々 誠彦
大阪工業大学
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佐々 誠彦
富士通研究所
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平井 宏
東大教養
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藤井 俊夫
富士通厚木研
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冷水 佐寿
富士通厚木研
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高増 正
東大教養
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藤井 俊夫
富士通研究所
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平井 宏
東大院総合
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藤井 俊夫
(株)富士通研究所
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冷水 佐寿
富士通研
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松田 祐司
東大教養
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新居 英明
東大教養
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大沢 基
東大教養
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冷水 佐壽
富士通厚木研
著作論文
- 強磁場下2次元電子系のエッジ状態間の散乱(I)
- 強磁場下2次元電子系のエッヂ状態間の散乱(II)
- 31a-Z-3 エッチ非平衡分布のフォノン自然放出による緩和
- 4a-C-13 エッジ非平衡分布の温度依存性
- 4a-C-12 エッヂ非平衡分布存在下での実験結果の解析
- 4a-C-4 2次元電子系の電荷密度不均一による線形磁気抵抗
- 6a-A2-5 整数量子ホール効果における電気伝導特性 : フィリングファクター変化の影響
- 3p-F-11 量子ホール効果に対する有限電場の効果 IV
- 3p-A-10 量子ホール効果に対する有限電場の効果II
- 3p-A-9 量子ホール効果に対する有限電場の効果I
- 6a-A2-6 微細ゲートを持つAlGaAs-GaAsヘテロ構造素子における量子ホール効果II
- 30p-G-3 IQHEに対するEdge Currentと後方散乱の影響,及び電圧端子の役割(30pG 半導体シンポジウム:量子ホール効果の現状)
- 28p-G-2 整数量子ホール効果状態のbreakdown現象 : 試料依存性(28pG 半導体(量子ホール効果,超格子))
- 28p-G-5 量子ホール効果に対する非平衡担体注入の効果(28pG 半導体(量子ホール効果,超格子))
- 1p-D2-2 量子ホール効果に対する有限電場の効果III(1p D2 半導体(表面界面・超格子・MOS・擬一次元・磁性半導体),半導体)
- 2p-L1-6 微細ゲートをもつAIGaAs-GaAsヘテロ構造素子における量子ホール効果(半導体,(表面・界面・超格子))