高瀬 恵子 | Ntt物性科学基礎研究所
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概要
関連著者
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高瀬 恵子
Ntt物性科学基礎研究所
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高瀬 恵子
Ntt物性基礎研
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高瀬 恵子
東大理
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長谷川 修司
東大理
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平原 徹
東大理
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村木 康二
NTT物性基礎研
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岡本 徹
東大理
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日比野 浩樹
NTT基礎研
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長谷川 修司
東京大学大学院理学系研究科物理学専攻
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河野 行雄
理研:jstさきがけ
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河野 行雄
東大理
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日比野 浩樹
Ntt物性科学基礎研究所
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日比野 浩樹
Ntt物性基礎研
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田邉 真一
Ntt物性基礎研
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松田 巌
東大物性研
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佐々木 智
NTT物性基礎研
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原沢 あゆみ
東大物性研
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奥田 太一
東大物性研
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保原 麗
東大理
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中山 泰生
千葉大先進
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中山 泰生
千葉大学先進科学センター
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松田 巌
東大理
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小宮山 進
東大院総合文化
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小宮山 進
東大総合文化
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上田 剛慈
東大院総合文化
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松田 厳
東大物性研
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佐々木 智
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
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佐々木 智子
NTT基礎研
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宮田 伸弘
東大理
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芝崎 剛豪
東大理
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宮田 信弘
東大理
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保原 麗
東京大学大学院理学系研究科物理学教室
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D'angelo Marie
東大理
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村木 康二
NTT物性科学基礎研究所
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田邉 真一
NTT物性科学基礎研究所
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小宮山 進
東大院総合
著作論文
- 24aYT-4 光パルス励起による量子ホール系非平衡キャリアダイナミクスの観測II(量子ホール効果,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 13pYB-4 光パルス励起による量子ホール系非平衡キャリアダイナミクスの観測(量子ホール効果, 領域 4)
- 18pTG-4 Mn吸着したSi(111)√3×√3-Ag表面のSTMおよび光電子分光測定(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 22pPSA-81 Mn吸着したSi(111)√×√-Ag表面のSTMおよび光電子分光測定II(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 27aYG-13 希薄磁性表面での抵抗異常 : 近藤効果とRKKY相互作用の競合(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 22pPSA-4 磁性体吸着した金属表面Si(111)-√×√の電気伝導(22pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23aYH-10 Si(111)7×7表面上Na吸着に伴う金属-絶縁体転移とその電気伝導変化(23aYH 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25aWR-5 ν=1二層層系の電子密度差に対する安定性 : スピン自由度の効果(25aWR 量子ホール効果,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 22aTL-11 グラフェン ランダウ ファン ダイアグラムに現れる界面準位の影響(22aTL グラフェン/ディラック電子系,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 18aEC-9 エピタキシャルグラフェンにおけるv=2量子ホール状態の活性化エネルギー(18aEC 領域4,領域7合同 グラフェン(磁場効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))