18aEC-9 エピタキシャルグラフェンにおけるv=2量子ホール状態の活性化エネルギー(18aEC 領域4,領域7合同 グラフェン(磁場効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

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概要

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• 一般社団法人日本物理学会の論文
• 2012-08-24

著者

• 村木 康二

  NTT物性基礎研

• 日比野 浩樹

  NTT基礎研

• 日比野 浩樹

  Ntt物性科学基礎研究所

• 高瀬 恵子

  Ntt物性科学基礎研究所

• 日比野 浩樹

  Ntt物性基礎研

• 田邉 真一

  Ntt物性基礎研

• 高瀬 恵子

  Ntt物性基礎研

• 村木 康二

  NTT物性科学基礎研究所

• 田邉 真一

  NTT物性科学基礎研究所

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