26aHG-8 InAs/GaSbヘテロ構造の両面ゲート制御 : トポロジカル絶縁領域の実現に向けて(26aHG トポロジカル絶縁体(表面状態/輸送現象),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

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概要

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• 2011-03-03

著者

• 村木 康二

  NTT物性基礎研

• 原田 裕一

  NTT物性基礎研

• 鈴木 恭一

  東北大・科研

• 鈴木 恭一

  Ntt基礎研究所

• 小野満 恒二

  NTT物性基礎研

• 鈴木 恭一

  NTT物性基礎研

• 原田 裕一

  Ntt物性科学基礎研究所

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