25pCJ-4 SiC上に成長したエピタキシャルグラフェンにおける最小電気伝導度とN=0ランダウレベルにおける挙動(25pCJ 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

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概要

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• 2012-03-05

著者

• 村木 康二

  NTT物性基礎研

• 日比野 浩樹

  Ntt物性基礎研

• 田邉 真一

  Ntt物性基礎研

• 高瀬 恵子

  Ntt物性基礎研

• 高瀬 恵子

  NTT物性科学基礎研究

• 村木 康二

  NTT物性科学基礎研究

• 日比野 浩樹

  NTT物性科学基礎研究

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