26aPS-93 量子ポイント接合間における背景電荷ゆらぎの相関測定(26aPS 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 2011-03-03

著者

• 山岸 正和

  阪大院理

• 橋坂 昌幸

  東工大極低温セ:東工大院物性物理

• 村木 康二

  NTT物性基礎研

• 藤澤 利正

  東工大極低温セ

• 藤澤 利正

  東工大院理工

• 橋坂 昌幸

  東工大院理工

• 山岸 正和

  東工大院理工

関連論文

• 22pGS-8 イオン液体を用いたルブレン単結晶トランジスタのホール効果(22pGS 界面デバイス2,領域7(分子性固体・有機導体))
• 22pGS-7 ルブレン単結晶トランジスタへの高密度キャリア注入と異常な電界効果(22pGS 界面デバイス2,領域7(分子性固体・有機導体))
• 21pHV-8 量子ホール端状態におけるエッジマグネトプラズモンのマイクロ波伝搬特性(21pHV 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21pGS-4 高移動度ジオクチルベンゾチエノベンゾチオフェン結晶性塗布膜のホール効果(21pGS 界面デバイス1,領域7(分子性固体・有機導体))
• 20aHV-4 半導体ポイント接合における表面弾性波ポテンシャルの時間分解測定(20aHV 量子細線・量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20pHV-5 v=2/3スピン相転移の顕微フォトルミネッセンス(20pHV 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20pHV-12 2層系v=1量子ホール系におけるスピン・擬スピン反転を含んだSU(4)skyrmionの観測(20pHV 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20aHV-6 メゾスコピック系における負の余剰雑音の測定(20aHV 量子細線・量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 24pPSA-19 トンネルスピンフィルター効果に用いる新規強磁性絶縁体薄膜の物性(薄膜・人工格子,微小領域,遍歴磁性酸化物,f電子系,実験技術開発等,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 27aXD-5 電子干渉系における"Lobe構造"の観測(量子細線・量子干渉・半導体物性,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 21aHV-2 静電結合した並列2重量子ドットにおける近藤効果(21aHV 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25pXD-8 ν=1/2二層系における量子ホール状態とウィグナー結晶状態の競合 : 層間トンネリングの効果(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 20aHV-5 伝導度および電流ゆらぎ測定による量子細線における動的核スピン偏極の観測(20aHV 量子細線・量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27aXD-7 アハラノブ・ボームリングを用いた揺らぎの定理の検証II(量子細線・量子干渉・半導体物性,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 27aXD-6 電子Mach-Zehnder干渉計における量子干渉効果(量子細線・量子干渉・半導体物性,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 25pXD-2 量子ホール効果ブレークダウン領域における電流ゆらぎ測定(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 28aTX-7 ダブルゲートSi MOSFET中の電子・正孔移動度とSi/SiO_2界面状態(28aTX 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 28pSC-3 LaNi_Mn_O_3強磁性絶縁膜を用いたトンネル接合の電気伝導特性(28pSC 微小領域磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 22aPS-73 酸化物薄膜を用いたスピンフィルターデバイスの開発(領域3ポスターセッション,化合物磁性,酸化物磁性,f電子系磁性,スピングラス・ランダム系・アモルファス系,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 27pYD-16 極薄ゲート絶縁膜を有する有機単結晶トランジスタの高密度キャリア注入(界面・分子デバイス3,領域7,分子性固体・有機導体)
• 27pYD-7 Dinaphthothienothiophene薄膜トランジスタのホール効果(界面・分子デバイス3,領域7,分子性固体・有機導体)
• 29pYG-13 有機半導体単結晶の表面キャリアドープ層と金属電極の界面接触抵抗とその電界効果(29pYG 領域7,領域8合同 界面デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
• 29pYG-12 有機単結晶トランジスタにおける第二ゲート変調を用いた接触抵抗の低減効果(29pYG 領域7,領域8合同 界面デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
• 29pYG-13 有機半導体単結晶の表面キャリアドープ層と金属電極の界面接触抵抗とその電界効果(29pYG 領域7,領域8合同 界面デバイス,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 29pYG-12 有機単結晶トランジスタにおける第二ゲート変調を用いた接触抵抗の低減効果(29pYG 領域7,領域8合同 界面デバイス,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 22aTB-2 電荷移動効果による有機単結晶表面へのキャリアドーピングと面内輸送特性(22aTB 有機FET1,領域7(分子性固体・有機導体))
• 25pTG-15 空気中で動作するn型有機単結晶トランジスタ(有機FET,領域7,分子性固体・有機導体)
• 21pRB-2 有機単結晶トランジスタのホール効果と結晶内キャリア伝導(有機FET2,領域7,分子性固体・有機導体)
• 21pRB-3 有機単結晶トランジスタの磁場中キャリア伝導特性(有機FET2,領域7,分子性固体・有機導体)
• 21aRJ-4 アクセプター分子薄膜/ルブレン単結晶電界効果トランジスタのホール効果(有機FET1,領域7,分子性固体・有機導体)
• 21aRJ-6 高移動度有機単結晶トランジスタのホール効果(有機FET1,領域7,分子性固体・有機導体)
• 26pYF-4 有機絶縁性単結晶と有機半導体単結晶を貼り合わせた高移動度電界効果トランジスタ(26pYF 分子素子,有機FET 2,領域7(分子性固体・有機導体))
• 25pXD-12 核スピンをプローブとした量子ホール端状態におけるスピン偏極状態の検出(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 28aTX-4 量子ホール状態における電子波束伝播の時間分解測定(28aTX 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 量子ホール効果とスピン--ランダウ準位交差におけるIsing量子ホール強磁性と電子スピン-核スピン相互作用
• 26aYG-8 InAs(111)A表面における不規則ポテンシャル誘起電子トラップの低温走査トンネル顕微鏡観測(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 28aTK-8 高ランダウ準位におけるストライプ・バブル相のフォトルミネセンス(28aTX 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27pTX-7 2層系v=1量子ホール状態におけるナイトシフト測定(27pTX 量子ホール効果/半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20pYK-12 傾斜磁場を用いた二層V_T=1量子ホール状態における真性ギャップの測定(20pYK 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 18pRC-3 2層系ν=2強磁性状態におけるスピンテクスチャ(量子ホール効果(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 18pRC-4 分数量子ホール端状態における動的核スピン偏極(量子ホール効果(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 固体ナノ構造中における核スピン量子情報デバイス (特集 量子コンピュータ)
• NMRによる量子ホール傾角反強磁性状態におけるゴールドストーンモードの観測
• 25pXL-4 GaAs核スピン高偏極デバイスにおける核四重極相互作用(25pXL 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25pXL-2 ナイトシフトによる2層量子ホール系の電子スピン偏極率測定(25pXL 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27pXB-2 核スピンでみる半導体中二次元電子系 : 量子ホール系におけるスピン状態(27pXB 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 28aXB-11 縦結合二重量子細線におけるクーロンドラッグの観測(28aXB 量子細線,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20aYC-11 核スピン緩和を用いた2層系ν=2 canted antiferromagnet状態におけるGoldstone modeの観測(量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20aYC-3 GaAsナノデバイスを用いたν=2/3分数量子ホール状態におけるNMRスペクトルの観測(量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 19pYC-10 GaAsナノ構造における核スピンのデコヒーレンス機構(量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25pZC-6 量子ホール系における核スピン制御(領域4シンポジウム,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
• 13pYB-10 2 層系ν=2 量子ホール状態の整合非整合相転移(量子ホール効果, 領域 4)
• 13pYB-9 2 層系量子ホール状態における電流方向と面内磁場方向の違いによる縦抵抗の異方性(量子ホール効果, 領域 4)
• 13pYB-8 核スピン緩和速度によって測定された 2 層系ν=1 量子ホール状態における励起状態の電子密度差による変化(量子ホール効果, 領域 4)
• 13pYB-7 二重量子井戸におけるν=1/2 量子ホール状態の総電子密度・密度差依存性(量子ホール効果, 領域 4)
• 13aYB-12 分数量子ホールデバイスにおける電子-核スピンを用いたナノ領域での核スピンのコヒーレント制御(半導体スピン物性, 領域 4)
• 29pYG-13 2層量子ホール系における強相関-弱相関相転移による電子スピン-核スピン相互作用の変化(量子ホール効果)(領域4)
• 30aTX-6 Aharonov-Bohm ringを用いたゆらぎの定理の検証(30aTX 量子ドット・量子干渉(非平衡・非線形伝導),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 30aTX-5 Aharonov-Bohm ringにおける非線形伝導(30aTX 量子ドット・量子干渉(非平衡・非線形伝導),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27pPSB-58 メゾスコピック三端子素子における電流相関測定の試み(27pPSB 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27pPSB-57 極低温における高感度の量子雑音測定系の開発(27pPSB 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 22aYF-7 静電制御された量子ポイントコンタクトにおけるショット雑音(22aYF 量子細線,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 22aYF-6 量子ポイントコンタクトにおける量子雑音放射の熱的検出(22aYF 量子細線,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20aPS-9 量子ドットにおけるショット雑音測定(20aPS 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 23aWJ-4 量子ポイントコンタクトによる量子ショット雑音の非局所検出(量子細線,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 23aWJ-5 量子ポイントコンタクトにおける"0.7構造"の静電ポテンシャル制御(量子細線,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 23pPSB-64 量子ドットにおける量子雑音測定の試み(ポスターセッション,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 22aPS-116 量子ポイントコンタクトの極低温における伝導度測定(領域4ポスターセッション,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 21aTG-12 極低温における量子ポイントコンタクトのショットノイズ測定(量子細線,量子井戸・超格子,輸送現象,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 20pPSB-17 低温における量子雑音測定システムの開発(領域4ポスターセッション,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 23pRL-12 有機電界効果トランジスタにおけるホール効果測定(23pRL 界面デバイス1,領域7(分子性固体・有機導体))
• 24pRL-10 塗布結晶化法による有機半導体単結晶とその高移動度トランジスタ特性(24pRL 界面デバイス2,領域7(分子性固体・有機導体))
• 23aXA-2 伝導度および電流ゆらぎ測定による量子細線における動的核スピン偏極の観測II(23aXA 量子細線・グラフェン,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
• 24aXA-3 電圧制御可能なエッジマグネトプラズモン共振器(24aXA 量子ホール効果,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
• 23pPSB-61 電流アンプを用いたメゾスコピックデバイスのための量子雑音測定技術(23pPSB 領域4ポスターセッション,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
• 25pHG-10 2重エッジマグネトプラズモン共振器における共鳴スペクトルの観測(25pHG 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25pHG-9 エッジマグネトプラズモン伝播測定によるゲート電極近傍のエッジチャネル構造解析(25pHG 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 28aTN-3 有機単結晶電界効果トランジスタの圧力下伝導特性測定(28aTN 界面デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
• 28aTN-1 有機半導体のホール効果とキャリアのコヒーレンス(28aTN 界面デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
• 26aPS-93 量子ポイント接合間における背景電荷ゆらぎの相関測定(26aPS 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25pHG-11 量子ホール領域における量子ポイントコンタクトの高周波アドミッタンス測定(25pHG 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 28aHD-13 半導体表面の周期的金属構造に関する時間分解表面弾性波伝搬スペクトル(28aHD 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25pHG-13 量子ホール状態の崩壊に伴う電流ゆらぎの観測(25pHG 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 22aTL-4 SiC上グラフェンにおける時間分解電気伝導測定(22aTL グラフェン/ディラック電子系,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 22pTG-1 有機トランジスタのホール効果とキャリアのコヒーレンス(22pTG 界面デバイス・有機表面界面,領域7(分子性固体・有機導体))
• 23aTL-10 電流ゆらぎ測定による量子ホール効果ブレークダウン前駆現象の観測(23aTL 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 23pTM-6 ポテンシャルの時間分解測定による表面弾性波フォノン共振器特性(23pTM 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21pPSA-5 半導体量子ポイント接合の非線形伝導における高調波歪み測定(21pPSA 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 26pCE-9 量子ドットを用いたエッジマグネトプラズモンのエネルギー・時間分解測定(26pCE 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25pCJ-6 電圧パルス印加ゲート電極によるエッジマグネトプラズモン励起の局所占有率依存性(25pCJ 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 24aSB-8 SiC上グラフェンにおけるプラズモン伝導測定(24aSB 領域4,領域7合同 グラフェン(不純物・界面・伝導特性),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25pCJ-7 量子ホールエッジ状態間の分布キャパシタンス(25pCJ 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 26pSA-10 低温電流増幅器による半導体量子ポイント接合の電流交差相関測定(26pSA 領域4 ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20aEC-8 グラフェンにおけるプラズモンのナノリボンを利用した時間分解伝導測定(20aEC 領域4,領域7合同 グラフェン(電子相関・輸送特性),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 18pFB-8 量子ホールエッジチャネル間におけるクーロンドラッグの時間分解測定(18pFB 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27aXQ-4 環状エッジチャネルにおけるエッジマグネトプラズモンの共鳴現象(27aXQ 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27pXG-1 フォノンの理解・制御によるエレクトロニクスの新展開(27pXG 領域4,領域3,領域5,領域7,領域10合同シンポジウム:フォノンの理解・制御によるエレクトロニクスの新展開Novel phononic electronics in solid state devices,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 28pXQ-8 強磁場中量子ドットのスピン偏極単一電子トンネル電流の計数(28pXQ 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 28pPSA-7 量子ドットによる時間分解トンネル分光測定の分解能(28pPSA 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27pXG-1 フォノンの理解・制御によるエレクトロニクスの新展開(27pXG 領域4,領域3,領域5,領域7,領域10合同シンポジウム:フォノンの理解・制御によるエレクトロニクスの新展開Novel phononic electronics in solid state devices,領域3(磁性,磁気共鳴))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク