21aTL-3 InAsナノワイアにおけるラシュバスピン軌道相互作用のゲート電界制御(21aTL 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
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概要
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- 2011-08-24
著者
-
佐々木 智
NTT物性基礎研
-
都倉 康弘
NTT物性基礎研
-
村木 康二
NTT物性基礎研
-
原田 裕一
NTT物性基礎研
-
佐々木 智
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
-
佐々木 智子
NTT基礎研
-
寒川 哲臣
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
-
寒川 哲臣
NTT物性基礎研
-
都倉 康弘
Icorp:ntt物性基礎研
-
都倉 康弘
Ntt物性科学基礎研究所
-
Zhang Guoqiang
NTT物性基礎研
-
舘野 功太
Ntt物性基礎研
-
原田 裕一
Ntt物性科学基礎研究所
-
寒川 哲臣
Ntt物性基礎
-
Zhang Guoqiang
Ntt物性基礎
-
都倉 康弘
ICORP-JST:NTT物性基礎研
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