原田 裕一 | Ntt物性科学基礎研究所

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概要

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関連著者

• 原田 裕一

  Ntt物性科学基礎研究所

• 村木 康二

  NTT物性基礎研

• 原田 裕一

  NTT物性基礎研

• 佐々木 智

  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所

• 佐々木 智子

  NTT基礎研

• 廣木 正伸

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 前田 就彦

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 小野満 恒二

  NTT物性基礎研

• 鈴木 恭一

  NTT物性基礎研

• 原田 裕一

  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所

• 佐々木 智

  NTT物性基礎研

• 都倉 康弘

  NTT物性基礎研

• 鈴木 恭一

  東北大・科研

• 鈴木 恭一

  Ntt基礎研究所

• 寒川 哲臣

  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所

• 寒川 哲臣

  NTT物性基礎研

• 都倉 康弘

  Icorp:ntt物性基礎研

• 都倉 康弘

  Ntt物性科学基礎研究所

• Zhang Guoqiang

  NTT物性基礎研

• 鈴木 恭一

  Ntt物性科学基礎研究所

• 舘野 功太

  Ntt物性基礎研

• 寒川 哲臣

  Ntt物性基礎

• 小野満 恒二

  Ntt物性科学基礎研究所

• Zhang Guoqiang

  Ntt物性基礎

• 都倉 康弘

  ICORP-JST:NTT物性基礎研

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著作論文

• 26aHG-8 InAs/GaSbヘテロ構造の両面ゲート制御 : トポロジカル絶縁領域の実現に向けて(26aHG トポロジカル絶縁体(表面状態/輸送現象),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21aTL-3 InAsナノワイアにおけるラシュバスピン軌道相互作用のゲート電界制御(21aTL 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 促進障壁層を有するAlGaN/GaN E-mode HFETの作製(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• 促進障壁層を有するAlGaN/GaN E-mode HFETの作製(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• 促進障壁層を有するAlGaN/GaN E-mode HFETの作製(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• 25aBJ-11 InAs/GaSbトポロジカル絶縁領域の伝導特性(25aBJ トポロジカル絶縁体(物質探索,巨大Rashba系),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 直接ギャップ半導体ヘテロ接合によるトポロジカル絶縁体の実現(機能ナノデバイス及び関連技術)

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