原田 裕一 | 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所

スポンサーリンク

概要

• 原田 裕一の詳細を見る
• 同名の論文著者
• 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所の論文著者

関連著者

• 廣木 正伸

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 前田 就彦

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 佐々木 智

  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所

• 原田 裕一

  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所

• 佐々木 智子

  NTT基礎研

• 原田 裕一

  Ntt物性科学基礎研究所

著作論文

• 促進障壁層を有するAlGaN/GaN E-mode HFETの作製(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• 促進障壁層を有するAlGaN/GaN E-mode HFETの作製(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• 促進障壁層を有するAlGaN/GaN E-mode HFETの作製(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• 促進障壁層を有する AlGaN/GaN E-mode HFET の作製
• 促進障壁層を有する AlGaN/GaN E-mode HFET の作製
• 促進障壁層を有する AlGaN/GaN E-mode HFET の作製

スポンサーリンク