促進障壁層を有する AlGaN/GaN E-mode HFET の作製
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概要
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- 2011-11-10
著者
-
廣木 正伸
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
前田 就彦
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
佐々木 智
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
-
原田 裕一
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
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