鈴木 恭一 | NTT物性基礎研
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概要
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鈴木 恭一
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村木 康二
NTT物性科学基礎研究所
著作論文
- 29pYG-8 InAs/GaSbヘテロ構造の量子ホール効果 : 2DEGのQHEとネットキャリアのQHEの交錯(量子ホール効果)(領域4)
- 31aZP-6 InAs/GaSb ヘテロ構造の量子ホール効果 : 斜め磁場の効果
- 21aTG-1 GaSb/InAs量子井戸における2次元正孔状態密度の低温STSイメージング(量子細線,量子井戸・超格子,輸送現象,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 18pTA-12 低温STSによるInAs/GaSb二重量子井戸中の局所状態密度分布の観測(量子井戸・超格子,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 24aXL-4 低温STM/STSによる半導体ヘテロ界面における入射・反射電子波の干渉観察(24aXL 量子井戸・超格子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27pXC-10 低温STM/STSによるInAs/GaSb超格子中の局所状態密度分布の層厚依存性(27pXC 領域4,領域5合同 量子井戸・超格子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- InAs/GaSb系ヘテロ構造の電子-正孔相関
- InAs/GaSb系ヘテロ構造の電子-正孔相関
- 26aHG-8 InAs/GaSbヘテロ構造の両面ゲート制御 : トポロジカル絶縁領域の実現に向けて(26aHG トポロジカル絶縁体(表面状態/輸送現象),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25aBJ-11 InAs/GaSbトポロジカル絶縁領域の伝導特性(25aBJ トポロジカル絶縁体(物質探索,巨大Rashba系),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27aXQ-3 InAs/GaSbトポロジカル絶縁領域の伝導特性II : バックゲートの効果(27aXQ 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 直接ギャップ半導体ヘテロ接合によるトポロジカル絶縁体の実現(機能ナノデバイス及び関連技術)