InAs/GaSb系ヘテロ構造の電子-正孔相関

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概要

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• 電子、正孔が共存する、InAz/GaSbヘテロ構造、および、AlSbバリヤで電子-正孔間隔を変えたInAs/AlSb/GaSbヘテロ構造について、伝導特性にあらわれる電子-正孔相関を調べた。ホール測定、平行磁場での抵抗測定、サイクロトロン共鳴測定結果には、相関特性が明瞭にあらわれ、バリヤ厚による相関系から独立系への遷移を観測した。さらに、バックゲート構造を用い、相関系の電子、正孔状態について調べた結果、相関系特有の量子ホール効果は、超過電子により引き起こされることが分かった。このことは、電子の量子ホール状態における励起子結合の可能性を示唆する。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2002-01-21

著者

• 平山 祥郎

  東北大理

• 宮下 宣

  NTT-AT

• 平山 祥郎

  NTT物性基礎研

• 鈴木 恭一

  東北大・科研

• 鈴木 恭一

  Ntt基礎研究所

• 宮下 宣

  NTTアドバンステクノロジ

• 鈴木 恭一

  NTT物性基礎研

• 平山 祥郎

  NTT物性科学基礎研

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