GaAs基板上GaSb/AlSb量子カスケードレーザ構造の特性評価(光・電波ワークショップ)
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概要
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GaSb/AlSb系量子井戸を用いたテラヘルツ帯の量子カスケードレーザ構造を提案し, GaAs基板上に試作した.設計発振周波数は2.6THzである.作成した素子のTHz帯フォトルミネッセンス特性評価を液体ヘリウム温度(4.2K)で行った.注入電流を増していくと, ある閾値において急激な発光強度の増大を観測した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-07-08
著者
-
寳迫 巌
情報通信研究機構
-
宮下 宣
NTT-AT
-
寳迫 巌
NICT
-
安田 浩朗
独立行政法人情報通信研究機構新世代ネットワーク研究センター
-
安田 浩朗
情報通信研究機構
-
宮下 宣
NTTアドバンステクノロジ
-
パトラシン ミハイル
情報通信研究機構
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