21pTH-6 GaAs基板におけるNMRスペクトルの四重極分離(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 2007-08-21
著者
-
平山 祥郎
東北大理
-
金子 雅一
新潟大
-
Hassan N.
新潟大自然
-
佐藤 真哉
新潟大自然
-
金子 雅一
新潟大自然
-
工藤 将倫
新潟大自然
-
工藤 将倫
新潟大院自然
-
佐々木 進
新潟大工:erato-jst
-
佐々木 進
新潟大自然研
-
佐々木 進
新潟大自然
関連論文
- 20aHV-2 強局在領域における位相緩和長と抵抗の温度変化(20aHV 量子細線・量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 23aWH-11 不均一なゼーマン磁場中におけるスカーミオンによる核スピン緩和(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 20aGD-11 Tm_2Rh_P_7の低温物性(20aGD スクッテルダイト,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 21aHW-10 分数量子ホール領域の円偏光発光スペクトルの温度依存性(21aHW 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aTH-4 奇数占有数量子ホール状態における電子スピンコヒーレンス増大の観測(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 18pRC-1 光誘起Kerr効果で見る量子Hall領域での電子スピン共鳴と動的核スピン分極(量子ホール効果(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 20pPSB-14 磁気光Kerr効果で見る量子ホール凝縮相のスピン分極(領域4ポスターセッション,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- InAs積層欠陥0次元構造の電子状態の低温STS評価
- 23aPS-74 クラスレート化合物,La_3Pd_T_6(T=Si and Ge)のケージ副構造とサイト占有率(23aPS ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 21aXA-13 カゴ状物質La_3Pd_X_6(X=Ge,Si)の4aサイトLaのNMR異常(スクッテルダイト化合物,領域8,強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など)
- 29pTA-10 (Tm_XLu_)_2Rh_P_7のNMR(29pTA スクッテルダイト,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 28aTX-7 ダブルゲートSi MOSFET中の電子・正孔移動度とSi/SiO_2界面状態(28aTX 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20aYK-8 SiO_2/(100)Si/SiO_2量子井戸に形成される二次元正孔系の磁気抵抗の閉じ込めポテンシャル依存性(20aYK 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 19pRC-3 SiO_2/Si/SiO_2量子井戸に閉じ込められた二次元電子系における電気抵抗の温度依存性(量子細線・量子井戸,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 26aXD-2 ν=1^-における円偏光発光スペクトル(量子井戸・超格子・光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 24aWH-6 異なるg因子をもつ2重量子ドットにおけるスピン依存共鳴トンネル(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 29pXB-6 少数電子ダブルドットの交換結合のゲート電圧及び磁場依存性(29pXB 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 19aWF-7 少数電子ダブルドットのトンネル及び交換結合(量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20pYK-10 抵抗検出NMR法を用を用いたスカーミオンによる核スピン緩和異常の観察(20pYK 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25pYA-10 カゴ状物質La_3Pd_Ge_6のNMR測定II(25pYA スクッテルダイト等(Sm系等),領域8(強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 21pTH-9 ν=2/3分数量子Hall状態を用いた細線中での動的核スピン偏極(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 21pTA-6 独立コンタクトを有する2重量子ドット-量子細線結合系の電気伝導特性(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 26pZC-12 量子ドットにおける核四重極相互作用とコヒーレント制御(半導体スピン物性,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 27pVE-12 分数量子ホール領域の円偏光発光スペクトル(27pVE 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27pTX-4 RF電場により誘起された電子スピンドメイン振動による核スピン共鳴(27pTX 量子ホール効果/半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20aYK-5 二次元電子系発光ピーク分裂エネルギーの電子密度依存性(20aYK 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21pTG-7 低電子密度領域二次元電子系発光による電子・正孔有効質量の増大の検出(量子井戸・超格子,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 21pTG-8 非ドープGaAs量子井戸の中性励起子と荷電励起子(量子井戸・超格子,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 29pYG-8 InAs/GaSbヘテロ構造の量子ホール効果 : 2DEGのQHEとネットキャリアのQHEの交錯(量子ホール効果)(領域4)
- 14pPSB-21 カゴ状物質 La_3Pd_Ge_6 の NMR 測定(f-電子系, 領域 8)
- 20pYK-2 走査トンネルスペクトロスコピーによる二次元電子系の波数空間解析(20pYK 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 23pWH-4 量子ホール転移の実空間観察(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 19aWF-6 二重量子ドットにおけるパウリスピンブロッケードの電気的制御(量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25aWR-12 シリコン二次元電子系における谷偏極状態での金属絶縁体相転移(25aWR 量子ホール効果,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 27aXD-4 量子細線の抵抗の温度依存性とdisorder依存性(量子細線・量子干渉・半導体物性,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 26pZC-11 GaAs-Al_Ga_AsのAl-NMR(半導体スピン物性,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 25aWA-3 超伝導体Pr_2Ba_4Cu_7O_のCu-NQR測定II(高温超伝導(磁気励起,1/8問題),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 12pRD-9 超伝導体 Pr_2Ba_4Cu_7O_ の Cu-NQR 測定(高温超伝導 : 擬ギャップ・超伝導応答, 領域 8)
- 13aYB-11 多重パルス列による Ga, As 核スピンの T_2(半導体スピン物性, 領域 4)
- 13aYB-10 多重パルス列による ^Si の NMR 測定(半導体スピン物性, 領域 4)
- 28aPS-7 Pr_2Ba_4Cu_7O_のCu-NQR測定(領域8 ポスターセッション)(領域8)
- 21aTJ-3 La_Sr_xCu_8O_ の磁化特性 II
- 22aTF-2 高純度シリコンの NMR による核スピン緩和時間の測定
- 20pHV-7 Al核スピンによるナノ構造の直接観察II(20pHV 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27pTX-5 Al核スピンによるナノ構造の直接観察(27pTX 量子ホール効果/半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 23aWH-12 CdTe基板における核スピンコヒーレント時間(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 21pTH-6 GaAs基板におけるNMRスペクトルの四重極分離(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 18pXA-5 カゴ状化合物La3Pd20Ge6の核磁気共鳴(領域10,領域8合同シンポジウム カゴに内包された原子の局所振動-ラットリングと量子効果,領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 18pXA-5 カゴ状化合物La3Pd20Ge6の核磁気共鳴(18pXA 領域10,領域8合同シンポジウム 主題:カゴに内包された原子の局所振動-ラットリングと量子効果,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 23aXL-12 微小磁石による局所磁場勾配の直接観察(23aXL 量子ドット(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27pXB-1 半導体中核スピンのデコヒーレンス : 物理的起源とキャリア依存性(27pXB 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 19pYC-12 多重パルス列によるGa,As核スピンのT_2 II(量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 19pYC-11 多重パルス列による^SiのNMR測定II(量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20aXD-2 超伝導体Pr_2Ba_4Cu_7O_のCu-NQR測定III(高温超伝導(多層型,揺らぎ),領域8(強相関系 : 高温超伝導,強相関f電子系など))
- 26pWA-1 擬一次元CuO二重鎖伝導面における超伝導(高温超伝導(置換効果・結晶化学),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 19aRC-3 空間分解局所光励起下でのGaAs/AlGaAs単一ヘテロ構造の伝導測定(量子ホール効果(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 30p-YX-2 K_3C_の磁場侵入長
- 6p-D-8 K_3C_のスピン帯磁率と電荷移動
- K_3C_の微視的電子状態の異方性
- K_3C_の^C-, ^K-NMR II
- 29a-YJ-2 K_3C_の^C_-, ^K-NMR
- 31p-YE-7 K_3C_の^C核のスピン格子緩和 II
- 23aXA-5 半導体微細ロール構造の機械振動における曲率依存性(23aXA 量子細線・グラフェン,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 29pXB-1 Pr_2Ba_4Cu_7O_酸化物の還元処理による超伝導遷移(高温超伝導(結晶化学,関連物質他))(領域8)
- 25aWQ-7 分数量子ホール領域の円偏光発光スペクトルの温度依存性II(25aWQ 量子井戸・超格子,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 31aZK-6 結合量子細線における細線間のトンネル電流
- 結合量子細線におけるクーロンドラッグ
- 結合量子細線におけるクーロンドラッグ
- 18pYJ-1 縦型量子ドットの非弾性スピン緩和
- 17aYG-9 結合量子細線における負のドラッグ抵抗
- 28aYS-8 結合量子細線におけるクーロンドラッグとフォノンドラッグ
- 27pTB-5 過渡電流スペクトルによる縦型量子ドットのスピン状態とエネルギー緩和
- 25aWD-7 InAs表面における二次元電子状態密度定在波の低温STM観察
- 25pSA-2 量子ドットの長寿命励起準位の非平衡トンネル電流
- 24pSA-5 結合量子細線におけるクーロンドラッグの温度特性
- 半導体ナノ構造の量子輸送 - 最近の研究動向 -
- 26p-ZJ-6 微小ダイオードにおける零次元準位共鳴トンネル効果と単電子トンネル
- 2006年国際固体素子・材料コンファレンス(SSDM 2006)報告
- 31aZP-6 InAs/GaSb ヘテロ構造の量子ホール効果 : 斜め磁場の効果
- 24pK-12 結合量子細線におけるクーロンドラッグ
- InAs/GaSb系ヘテロ構造の電子-正孔相関
- 29pYG-9 GaAs基盤のGa-,As-NMRのスペクトルと緩和時間(量子ホール効果)(領域4)
- (111)A面上のInAs/GaAsヘテロ構造と表面電子波のSTM観察
- (111)A面上のInAs/GaAsヘテロ構造と表面電子波のSTM観察
- 30aYA-3 四面体InAsナノ構造における局所ポテンシャル分布の低温STM測定(量子ドット(開放型・結合型・その他))(領域4)
- 25pRB-8 多重パルス照射によるゆらぎスペクトルの決定法(25pRB 量子エレクトロニクス(固体量子情報処理),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 25pRB-7 核スピン制御による固体中の低周波ゆらぎスペクトルの直接観察(25pRB 量子エレクトロニクス(固体量子情報処理),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 25pHG-5 高次ランダウレベルの電子状態観察(25pHG 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25aHG-8 二層量子井戸構造における核スピン拡散(25aHG 量子ホール効果(分数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25pHD-8 分数量子ホール領域の発光の微細構造(25pHD 磁性半導体・量子井戸・超格子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 化合物半導体マイクロ・ナノメカニクス (特集 新材料とその新機能デバイスへの応用)
- 22aTM-10 分数量子ホール領域の発光の微細構造(2)(22aTM 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 22pEB-6 多重パルス列によるノイズスペクトルの測定(22pEB 量子エレクトロニクス(量子測定・量子エレクトロニクス・分光),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 21aED-4 多重パルス照射による固体中の核スピン・コヒーレンス増大と雑音スペクトル(21aED 量子エレクトロニクス(固体量子情報処理・量子計算・量子ビット),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 19aFB-3 走査ゲート顕微鏡による量子ホール効果ブレークダウンでの局所核スピン検出(19aFB 量子ホール効果(分数量子ホール効果・核スピン),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 18aFB-4 低磁場低電子密度領域における電子占有数に依存したg-因子の増大(18aFB 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26pCJ-4 分数量子ホール領域の発光微細構造の温度依存性(26pCJ 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27pXQ-5 量子ホール系における核スピン偏極率の温度依存性(27pXQ 分数量子ホール効果・核スピン,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27aXQ-2 フーリエ変換走査トンネル分光によるランダウレベル波動関数の形状観察(27aXQ 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26aXQ-3 ゲート付非対称二重量子井戸における井戸内および井戸間二次元電子系発光(26aXQ 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))