村木 康二 | NTT物性科学基礎研究所

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著作論文

• 18aEC-9 エピタキシャルグラフェンにおけるv=2量子ホール状態の活性化エネルギー(18aEC 領域4,領域7合同 グラフェン(磁場効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27aXQ-3 InAs/GaSbトポロジカル絶縁領域の伝導特性II : バックゲートの効果(27aXQ 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27aDD-7 3端子三重量子ドットにおける非平衡量子セルオートマトン効果(量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

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