平山 祥郎 | Ntt物性基礎研:東北大理:sorst-jst

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概要

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関連著者

• 平山 祥郎

  Ntt物性基礎研:東北大理:sorst-jst

• 平山 祥郎

  東北大理:jst-erato

• 平山 祥郎

  東北大理

• 田村 浩之

  NTT物性基礎研

• 宮下 宣

  NTT-AT

• 赤崎 達志

  NTT物性基礎研

• 宮下 宣

  NTTアドバンステクノロジ

• 山口 真澄

  NTT物性基礎研

• 野村 晋太郎

  筑波大数理物質:ntt物性基礎研

• 平山 祥郎

  NTT物性基礎研

• 野村 晋太郎

  筑波大院数物

• 丸山 達朗

  NTT-AT

• 長瀬 勝美

  ERATO-NSEP

• 平山 祥郎

  JST-ERAT

• 秋葉 圭一郎

  東京工業大学大学院理工学研究科

• 高柳 英明

  東理大:物材機構:jst-crest

• 渡辺 信嗣

  Jst-erato

• 渡邊 信嗣

  CREST-JST

• 秋葉 圭一郎

  JST-ERATO

• 長瀬 勝美

  JST-ERATO

• 渡辺 信嗣

  金沢大理工

• 弓削 達郎

  東北大国際高等研

• 熊田 倫雄

  NTT物性基礎研

• 山口 浩司

  Ntt物性基礎研

• 山口 浩司

  東京大学大学院 情報理工学系研究科

• 高柳 英明

  NTT物性基礎研

• 佐々木 進

  新潟大工:erato-jst

• 佐々木 智

  Nit物性基礎研

• 山口 浩司

  三菱重工業(株)

• 佐々木 智

  Ntt物性科学基礎研究所:東北大学大学院理学研究科

• 佐々木 智

  Ntt物性基礎研:東北大院理

• 弓削 達郎

  東北大国際高等

• 熊田 倫雄

  NTT物性科学基礎研究所

• 佐々木 智

  NTT物性基礎研

• 平山 祥郎

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• 鈴木 恭一

  東北大・科研

• 鈴木 恭一

  Ntt基礎研究所

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  NTT基礎研

• 野村 晋太郎

  NTT物性基礎研

• 鈴木 恭一

  NTT物性基礎研

• 川中子 隆

  新潟大工

• 三島 一展

  新潟大・自然

• 垣内 渉

  新潟大・自然

• 金杉 静子

  東北大院理

• 岡本 創

  Ntt物性基礎研

• 羽田野 剛司

  ICORP-JST

• 佐々木 進

  新潟大自然研

• 野村 晋太郎

  筑波大物質創成

• 橋本 克之

  ハンブルグ大:東北大理:jst-erato

• 宮越 賢治

  東京理科大:crest-jst

• 佐々木 進

  新潟大・自然

• 川中子 隆

  新潟大・自然

• 久米 航

  東北大理

• 羽田野 剛司

  JST-ERATO

• 佐々木 進

  新潟大自然

• 橋本 克之

  JST-ERATO:東北大院理

• 平山 祥郎

  NTT物性科学基礎研

• 岩佐 義宏

  東北大金研

• 岩佐 義宏

  東京大学大学院工学系研究科

• 福岡 大輔

  千葉大院理

• 伊藤 裕紀

  千葉大院理

• 室 清文

  千葉大院理

• 橋本 克之

  東北大理

• 都倉 康弘

  NTT物性基礎研

• 藤澤 利正

  NTT物性基礎研

• 音 賢一

  千葉大院理

• 丸田 裕己

  東大工

• 石原 直

  東大工

• 下谷 秀和

  東北大金研

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• 岩佐 義宏

  東大 工

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• 岩佐 義宏

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• 岩佐 義宏

  東北大学金属材料研究所

• 西島 崇裕

  東北大金研

• 平山 祥郎

  ERATO-NSEP

• 林 稔晶

  Ntt物性基礎研

• 平山 祥郎

  Ntt基礎研

• 藤澤 利正

  東工大極低温セ

• 佐々木 智

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• 宮越 賢治

  CREST-JST

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• 津村 公平

  筑波大物質創成

• 野村 晋太郎

  筑波大院物質創成

• 津村 公平

  筑波大院物質創成

• 熊田 倫雄

  NTT・物性基礎研

• 高品 圭

  バース大物理

• 宮越 賢治

  東京理科大

• 姜 承求

  Ntt物性基礎研:crest-jst:筑波大物質創成

• 藤沢 利正

  Ntt 基礎研

• 川中子 隆

  新潟大自然

• 三島 一展

  新潟大自然

• 垣内 渉

  新潟大自然

• 小野 絢哉

  Crest-jst:筑波大物質創成

• 冨松 透

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• 橋本 克之

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著作論文

• 22pGS-4 電気二重層トランジスタによるInPのキャリア数制御(22pGS 界面デバイス2,領域7(分子性固体・有機導体))
• 21aHW-10 分数量子ホール領域の円偏光発光スペクトルの温度依存性(21aHW 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25pXL-14 GaAs/AlGaAs二次元電子系におけるピエゾ電圧効果(25pXL 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27aXB-1 量子ホール系における歪効果と電子系によるエネルギー散逸(27aXB 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 26aXD-2 ν=1^-における円偏光発光スペクトル(量子井戸・超格子・光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 21pTA-6 独立コンタクトを有する2重量子ドット-量子細線結合系の電気伝導特性(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 19pWF-8 2重量子ドット-量子細線結合系におけるファノ-近藤効果(量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 30aYA-10 横型量子ドットにおけるスピン緩和のパルス測定(量子ドット(開放型・結合型・その他))(領域4)
• 5a-J-10 ポイントコンタクトにおける非平衡電流雑音
• 27pVE-12 分数量子ホール領域の円偏光発光スペクトル(27pVE 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20aYK-5 二次元電子系発光ピーク分裂エネルギーの電子密度依存性(20aYK 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21pTG-7 低電子密度領域二次元電子系発光による電子・正孔有効質量の増大の検出(量子井戸・超格子,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 21pTG-8 非ドープGaAs量子井戸の中性励起子と荷電励起子(量子井戸・超格子,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 18pTA-1 非ドープGaAs量子井戸におけるキャパシタンスと荷電励起子発光の対応(量子井戸・超格子,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 19aYC-7 表面ゲートによって形成される量子ドット列における発光測定(量子閉じ込め・輸送現象・サイクロトロン,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 29pYG-8 InAs/GaSbヘテロ構造の量子ホール効果 : 2DEGのQHEとネットキャリアのQHEの交錯(量子ホール効果)(領域4)
• 29pYF-6 InAs/AlGaSbピエゾ抵抗カンチレバーにおける量子効果(半導体スピン物性)(領域4)
• 19aRC-3 空間分解局所光励起下でのGaAs/AlGaAs単一ヘテロ構造の伝導測定(量子ホール効果(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 24aXA-8 抵抗検出NMRによるν=1/3でのスピン反転励起の観測(24aXA 量子ホール効果,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
• 24aXA-1 光ファイバーを用いた量子ホール系の強磁場、極低温におけるKerr回転スペクトルの測定(24aXA 量子ホール効果,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
• 27aXB-11 バックゲート付き量子井戸における極低電子密度領域での電子有效質量(27aXB 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25aWQ-7 分数量子ホール領域の円偏光発光スペクトルの温度依存性II(25aWQ 量子井戸・超格子,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
• 20pTL-6 InAs/AlGaSb ピエゾ抵抗カンチレバーにおける量子干渉効果
• 31aZP-6 InAs/GaSb ヘテロ構造の量子ホール効果 : 斜め磁場の効果
• InAs/GaSb系ヘテロ構造の電子-正孔相関
• 25pRB-8 多重パルス照射によるゆらぎスペクトルの決定法(25pRB 量子エレクトロニクス(固体量子情報処理),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 25pRB-7 核スピン制御による固体中の低周波ゆらぎスペクトルの直接観察(25pRB 量子エレクトロニクス(固体量子情報処理),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 25pHG-5 高次ランダウレベルの電子状態観察(25pHG 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25aHG-8 二層量子井戸構造における核スピン拡散(25aHG 量子ホール効果(分数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25aHG-5 占有率2/3スピン相転移ピークを用いた光学的核スピン偏極の抵抗検出(25aHG 量子ホール効果(分数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25aHG-6 量子ホール領域における熱偏極した核スピン偏極率の充填率依存性(25aHG 量子ホール効果(分数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25pHD-8 分数量子ホール領域の発光の微細構造(25pHD 磁性半導体・量子井戸・超格子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 22aTM-10 分数量子ホール領域の発光の微細構造(2)(22aTM 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 24pTR-10 光学的核スピン偏極での照射光条件の抵抗検出を用いた評価(24pTR 量子ホール効果(分数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 24pTR-9 抵抗検出された光学的核スピン偏極の占有率依存性(24pTR 量子ホール効果(分数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 24pTR-8 ν=2/3量子ホール効果を用いた二層量子井戸間の核スピン拡散(24pTR 量子ホール効果(分数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 24pTR-6 量子ホール2次元電子系における熱平衡状態の核スピン偏極率の充填率依存性(24pTR 量子ホール効果(分数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 24pTR-5 量子ホール効果ブレークダウンによる核スピン偏極の電流及びフィリングファクター依存性(24pTR 量子ホール効果(分数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 22pEB-6 多重パルス列によるノイズスペクトルの測定(22pEB 量子エレクトロニクス(量子測定・量子エレクトロニクス・分光),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 21aED-4 多重パルス照射による固体中の核スピン・コヒーレンス増大と雑音スペクトル(21aED 量子エレクトロニクス(固体量子情報処理・量子計算・量子ビット),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))

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