佐々木 智 | Ntt物性科学基礎研究所:東北大学大学院理学研究科
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概要
関連著者
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佐々木 智
Ntt物性科学基礎研究所:東北大学大学院理学研究科
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佐々木 智
NTT物性基礎研
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佐々木 智子
NTT基礎研
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佐々木 智
Ntt物性基礎研:東北大院理
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佐々木 智
Nit物性基礎研
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赤崎 達志
NTT物性基礎研
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田村 浩之
NTT物性基礎研
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藤澤 利正
NTT物性基礎研
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村木 康二
NTT物性基礎研
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藤澤 利正
東工大極低温セ
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小林 俊之
Ntt物性基礎研
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鶴田 尚英
NTT物性基礎研
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鶴田 尚英
Ntt物性基礎研:東理大理
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藤沢 利正
Ntt 基礎研
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平山 祥郎
Ntt物性基礎研:東北大理:sorst-jst
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丸山 達朗
NTT-AT
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佐々木 智
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
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小林 嵩
NTT物性基礎研
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小林 嵩
Ntt物性基礎研:東北大理
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都倉 康弘
NTT物性基礎研
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宮下 宣
NTT-AT
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太田 剛
NTT物性基礎研
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岡崎 雄馬
NTT物性科学基礎研究所
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佐々木 智
NTT基礎研
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岡崎 雄馬
Ntt物性科学基礎研究所:東北大学大学院理学研究科
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宮下 宣
NTTアドバンステクノロジ
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本多 隆
NTT基礎研究所
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熊田 倫雄
NTT物性基礎研
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平山 祥郎
東北大理
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平山 祥郎
NTT物性基礎研
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平山 祥郎
Ntt基礎研
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高柳 英明
東理大:物材機構:jst-crest
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樽茶 清悟
NTT基礎研
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日達 研一
東大理
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日達 研一
NTT物性基礎研
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姜 承求
Ntt物性基礎研:crest-jst:筑波大物質創成
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都倉 康弘
Ntt物性科学基礎研究所
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山口 真澄
NTT物性基礎研
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平山 祥郎
東北大院理
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高柳 英明
NTT物性基礎研
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林 稔晶
Ntt物性基礎研
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佐藤 俊彦
Erato
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小寺 哲夫
東大理
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小寺 哲夫
東工大量子ナノ研:東大ナノ量子機構
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山田 和正
九大院理
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山田 和正
九大理
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樽茶 清悟
東大理
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Wiel W.
東大理
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山田 和正
JST-ERATO
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佐藤 俊彦
JST-ERATO
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丸山 達朗
JST-ERATO
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太田 剛
JST-ERATO
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北川 広野
Crest-jst:東理大理
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高柳 英明
CREST-JST
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姜 承求
NTT物性基礎研
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姜 承求
筑波大物質創成
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Liu Robert.C
Stanford大
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椿 光太郎
NTT基礎研究所
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樽茶 清吾
NTT基礎研究所
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小寺 哲夫
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
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樽茶 清吾
科技団創造:東大理:ntt物性基礎研
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椿 光太郎
東洋大学工学部
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Wiel W.
東大理:jst-presto
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椿 光太郎
Ntt基礎研
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平山 祥郎
東北大理:jst-erato
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小寺 哲夫
東工大量子ナノ研セ:東大ナノ量子機構:さきがけ-JST
著作論文
- 21aHV-2 静電結合した並列2重量子ドットにおける近藤効果(21aHV 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25aXG-7 横結合二重量子ドットにおけるファノ-近藤効果(半導体スピン物性・量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 30aYA-8 縦型横結合直列ドットのスタビリティダイアグラムとスピン効果(量子ドット(開放型・結合型・その他))(領域4)
- 28aTX-10 細線型閉じ込めによるスカーミオン由来の低周波電子スピン揺らぎの抑制(28aTX 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 22aYF-4 並列量子ポイントコンタクトにおける量子干渉の有限バイアス効果(22aYF 量子細線,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20pYF-3 半導体量子ドットの近藤効果における電極のスピン蓄積効果(20pYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20pYF-2 横結合2重量子ドットにおける近藤-ファノ効果(20pYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 23aWJ-3 並列量子ポイントコンタクトにおけるAharonov-Bohm振動(量子細線,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 24aWH-9 量子ドットの近藤効果におけるスピン偏極電流注入効果(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 21pTH-9 ν=2/3分数量子Hall状態を用いた細線中での動的核スピン偏極(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 21pTA-6 独立コンタクトを有する2重量子ドット-量子細線結合系の電気伝導特性(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 21pTA-5 電子フォーカシングにより電流注入された量子ドットの伝導特性(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 19pWF-8 2重量子ドット-量子細線結合系におけるファノ-近藤効果(量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 30aYA-10 横型量子ドットにおけるスピン緩和のパルス測定(量子ドット(開放型・結合型・その他))(領域4)
- 31a-Q-6 直列ポイントコンタクトの非平衡電流雑音特性II
- 5a-J-10 ポイントコンタクトにおける非平衡電流雑音
- 24pWQ-8 GaAs横型2重量子ドットにおける基底状態遷移に伴う動的核スピン偏極(24pWQ 量子ドット,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 5a-J-10 ポイントコンタクトにおける非平衡電流雑音
- 24pWQ-4 擬スピン近藤効果に対する量子ポイントコンタクト検出のバックアクション(24pWQ 量子ドット,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 27pHD-8 2重量子ドット中での不均一な動的核スピン偏極に伴う伝導の増大(27pHD 若手奨励賞・量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26pCE-4 半導体量子ドットの近藤領域における電流雑音特性(26pCE 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))